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发明公开
制造半导体器件的方法审中-公开

公开(公告)号：CN119560452A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411064286.X

申请日：2024-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宜珩 , 陈相昊 , 朴种国 , 金柔诊 , 尹霞卿 , 李园喜

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在真空状态下的第一基板处理装置中，在基板上提供具有沟槽的层间介电层；当基板在第一基板处理装置中时，在沟槽中形成第一金属阻挡层；从第一基板处理装置卸载基板，并将基板暴露于非真空环境；在真空状态的第二基板处理装置中提供基板；在第二基板处理装置中，在沟槽中形成第二金属阻挡层；以及形成金属图案以填充沟槽。

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