电容器和具有其的半导体装置

    公开(公告)号:CN111063672B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN201910480502.1

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 提供了一种电容器和一种具有该电容器的半导体装置。所述电容器包括:下电极,包括第一金属材料并且具有几纳米的范围内的第一晶粒尺寸;介电层,覆盖下电极并且具有值为晶粒膨胀比乘以第一晶粒尺寸的值的第二晶粒尺寸;以及上电极,包括第二金属材料并且覆盖介电层。上电极具有比第二晶粒尺寸小的第三晶粒尺寸。

    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN110931467B

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN201910777718.4

    申请日:2019-08-22

    Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法,所述制造半导体器件的方法包括:形成第一电极;在第一电极上形成初始介电层;在初始介电层上形成第二电极;以及使初始介电层至少部分地相变以形成介电层。第一电极与介电层之间的界面能可以小于第一电极与初始介电层之间的界面能。

    包括介电层的半导体装置及其形成方法

    公开(公告)号:CN116583170A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202310107180.2

    申请日:2023-01-31

    Abstract: 提供了一种形成半导体装置的方法,所述方法包括:在基底上形成第一电极,基底包括单晶结构。在第一电极上形成包括第一介电层和第二介电层的介电层。在介电层上形成第二电极。形成介电层的步骤包括:在第一电极上形成具有单晶钙钛矿结构的第一介电层;以及在第一介电层上形成第二介电层。第一介电层的与第二介电层相邻的上表面具有比第二介电层的上表面大的表面粗糙度。第一介电层的上表面与第二介电层相邻设置,并且第二介电层的上表面与第二电极相邻设置。

    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN110931467A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201910777718.4

    申请日:2019-08-22

    Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法,所述制造半导体器件的方法包括:形成第一电极;在第一电极上形成初始介电层;在初始介电层上形成第二电极;以及使初始介电层至少部分地相变以形成介电层。第一电极与介电层之间的界面能可以小于第一电极与初始介电层之间的界面能。

    电容器和具有其的半导体装置

    公开(公告)号:CN111063672A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201910480502.1

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 提供了一种电容器和一种具有该电容器的半导体装置。所述电容器包括:下电极,包括第一金属材料并且具有几纳米的范围内的第一晶粒尺寸;介电层,覆盖下电极并且具有值为晶粒膨胀比乘以第一晶粒尺寸的值的第二晶粒尺寸;以及上电极,包括第二金属材料并且覆盖介电层。上电极具有比第二晶粒尺寸小的第三晶粒尺寸。

    用于使用触摸输入来输入字符的方法和设备

    公开(公告)号:CN102609182A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201110431869.8

    申请日:2011-12-16

    CPC classification number: G06F1/169 G06F1/1626 G06F3/04886

    Abstract: 提供一种用于使用触摸输入来输入字符的方法和设备。用于输入字符的设备包括被配置用于感测触摸的产生和接触点的触摸输入单元。所述设备还包括被配置用于存储关于根据产生的触摸的移动的位移和字符的映射信息的存储器。所述设备还可包括控制器,所述控制器被配置用于在感测到触摸时,提取并输出与在触摸保持时感测的触摸的位移相应的字符。所述设备还可包括被配置用于显示输出的字符的显示单元。用于输入字符的方法和设备可提高字符输入速度,并提供与PC的键盘类似的环境,例如,具有QWERTY键盘排列的键盘,以提高用户的便利。

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