存储装置和操作存储装置的方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114078556A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202110504878.9

    申请日:2021-05-10

    Inventor: 朴志云 崔宰赫

    Abstract: 提供了存储装置和操作存储装置的方法。所述存储装置包括半导体存储器装置和存储控制器。半导体存储器装置基于数据选通信号和数据信号接收写入数据,并且基于数据选通信号和数据信号输出读取数据。存储控制器通过信号线将数据选通信号和数据信号并行地发送到半导体存储器装置。存储控制器包括第一延迟电路,第一延迟电路对数据信号进行延迟,使得信号线上的数据信号的窗口的一些边沿通过彼此不同的第一偏斜偏移被去同步。

    固态驱动器装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112542448A

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN202010993222.3

    申请日:2020-09-21

    Inventor: 朴志云 尹材相

    Abstract: 本发明提供一种固态驱动器(SSD)装置,其包括:基板;第一缓冲器芯片,设置在基板上;第二缓冲器芯片,设置在第一缓冲器芯片上;多个第一非易失性存储器芯片,通过引线键合连接到第二缓冲器芯片;控制器,配置为通过第一通道向所述多个第一非易失性存储器芯片发送控制信号;以及第一再分布层,设置在基板中并配置为将第一通道电连接到第一缓冲器芯片,其中第一缓冲器芯片通过倒装芯片键合连接到第一再分布层,第二缓冲器芯片通过第一引线连接到第一再分布层。

    包括具有开放桩的传输线的数据存贮装置及其操作方法

    公开(公告)号:CN107633859A

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201710585206.9

    申请日:2017-07-18

    Abstract: 提供了包括具有开放桩的传输线的数据存贮装置及其操作方法。数据存贮装置包括:第一印刷电路板(PCB),包括形成在第一PCB的至少一个表面上和/或形成在第一PCB内的主传输线;存储器控制器;多个非易失性存储器器件。存储器控制器设置在第一PCB上。多个非易失性存储器器件设置在第一PCB上。多个非易失性存储器器件通过沟道连接到存储器控制器,并且与存储器控制器交换数据。沟道包括与存储器控制器和非易失性存储器器件的数据焊盘连接的数据传输线。数据传输线包括主传输图案和与主传输图案接触的开放桩。开放桩不与除主传输图案之外的任何其它导体接触。

    具有封装基体基底的电子设备

    公开(公告)号:CN110517713B

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN201910011428.9

    申请日:2019-01-07

    Inventor: 朴志云 李真安

    Abstract: 提供一种能够改善时间裕量的具有封装基体基底的电子设备。所述电子设备包括:基体基底,包括基底基体,所述基底基体包括多个层和位于所述多个层之间的多个布线层;控制器芯片和至少一个存储器半导体芯片,安装在基体基底上;信号线,设置在所述多个布线层中的一个布线层中并使控制器芯片连接到所述至少一个存储器半导体芯片;以及一对开路短截线,设置在另一布线层中,连接到信号线的两端并延伸为以一定间隙彼此面对。

    半导体器件及其制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116171037A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202211111055.0

    申请日:2022-09-13

    Abstract: 公开一种半导体器件,该半导体器件包括:衬底;接触结构,穿透衬底;底电极,在衬底上并连接到接触结构;介电层,覆盖底电极;以及顶电极,在底电极上。介电层将顶电极与底电极分开。接触结构包括下导电图案和在下导电图案上的上导电图案。上导电图案包括第一金属的注入掺杂剂的氮化物。

    具有封装基体基底的电子设备

    公开(公告)号:CN110517713A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201910011428.9

    申请日:2019-01-07

    Inventor: 朴志云 李真安

    Abstract: 提供一种能够改善时间裕量的具有封装基体基底的电子设备。所述电子设备包括:基体基底,包括基底基体,所述基底基体包括多个层和位于所述多个层之间的多个布线层;控制器芯片和至少一个存储器半导体芯片,安装在基体基底上;信号线,设置在所述多个布线层中的一个布线层中并使控制器芯片连接到所述至少一个存储器半导体芯片;以及一对开路短截线,设置在另一布线层中,连接到信号线的两端并延伸为以一定间隙彼此面对。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN114068812B

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202110837411.6

    申请日:2021-07-23

    Abstract: 一种半导体装置及其制造方法,所述装置包括:半导体衬底上的多个下电极;支承图案,其在下电极的侧部连接下电极;以及电介质层,其覆盖下电极和支承图案,其中:每一个下电极包括:支柱部分,其在垂直于半导体衬底的顶表面的竖直方向上延伸;以及突起,其从支柱部分的侧壁突出,以接触支承图案,支柱部分包括导电材料,突起与支柱部分包括相同的导电材料,并且进一步掺有杂质。

    具有多点结构的存储设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117877538A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311015966.8

    申请日:2023-08-11

    Abstract: 提供了一种具有多点结构的存储设备。存储设备包括:存储控制器,被配置为输出数据信号;第一非易失性存储器,被配置为接收数据信号;第一布线,电连接到存储控制器,并且被配置为传送数据信号;第一端接模块,包括将第一布线电连接到电源电压或接地电压中的至少一个的第一阻抗元件;第二布线,电连接到第一布线,并且被配置为将数据信号传送到第一非易失性存储器;以及第三布线,电连接到第一布线,并且被配置为将数据信号传送到第一端接模块。

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