-
公开(公告)号：CN116583170A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310107180.2
申请日：2023-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：在基底上形成第一电极，基底包括单晶结构。在第一电极上形成包括第一介电层和第二介电层的介电层。在介电层上形成第二电极。形成介电层的步骤包括：在第一电极上形成具有单晶钙钛矿结构的第一介电层；以及在第一介电层上形成第二介电层。第一介电层的与第二介电层相邻的上表面具有比第二介电层的上表面大的表面粗糙度。第一介电层的上表面与第二介电层相邻设置，并且第二介电层的上表面与第二电极相邻设置。
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
