公开(公告)号：CN116583170A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310107180.2

申请日：2023-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩善 ,  朴报恩 ,  安哲现 ,  金亨俊 ,  朴影根 ,  庞桢一

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：在基底上形成第一电极，基底包括单晶结构。在第一电极上形成包括第一介电层和第二介电层的介电层。在介电层上形成第二电极。形成介电层的步骤包括：在第一电极上形成具有单晶钙钛矿结构的第一介电层；以及在第一介电层上形成第二介电层。第一介电层的与第二介电层相邻的上表面具有比第二介电层的上表面大的表面粗糙度。第一介电层的上表面与第二介电层相邻设置，并且第二介电层的上表面与第二电极相邻设置。

公开(公告)号：CN117219622A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310682672.4

申请日：2023-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨俊 ,  朴报恩 ,  庞桢一 ,  金载兴 ,  李周浩

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 本发明涉及电容器和包括其的器件以及其制备方法。电容器可包括第一薄膜电极层；第二薄膜电极层；以及在所述第一薄膜电极层和所述第二薄膜电极层之间的电介质层。所述第一薄膜电极层和所述第二薄膜电极层可包括导电性钙钛矿型晶体结构。所述电介质层可包括具有介电性钙钛矿型晶体结构的金属氧化物。所述电介质层可为外延层。所述金属氧化物可包括在立方八面体位点中的第一元素、在八面体位点中的第二元素、和在八面体位点中的第三元素。所述第三元素的化合价可低于所述第二元素的化合价，并且所述第三元素可为掺杂剂。