公开(公告)号：CN118354661A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410045493.4

申请日：2024-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周浩 ,  赵龙僖 ,  金真弘 ,  李昌洙 ,  许成

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64

Abstract: 提供电容器、制备其的方法和包括其的电子器件，所述电容器包括下部电极、与所述下部电极间隔开的上部电极、在所述下部电极和所述上部电极之间的电介质、在所述下部电极和所述电介质之间的第一层、以及在所述电介质和所述上部电极之间的第二层，其中所述电介质包括具有金红石相的TiO2并且掺杂有镁，所述第一层包括具有比包括在所述下部电极中的材料的功函数高的功函数的材料，并且所述第二层包括电介质保护材料。

公开(公告)号：CN117219623A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310685942.7

申请日：2023-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真弘 ,  李昌洙 ,  金载兴 ,  李周浩 ,  赵龙僖

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 本发明涉及电容器、包括其的电子器件及制备所述电容器的方法。可提供电容器，其包括：第一薄膜电极层、第二薄膜电极层、在第一和第二薄膜电极层之间的电介质层、以及在第一薄膜电极层和电介质层之间和/或在第二薄膜电极层和电介质层之间的第一中间层。第一中间层包括第一金属氧化物，第一和第二薄膜电极层的至少一个包括具有导电性金红石晶体结构的第二金属氧化物，第二金属氧化物包括非贵金属，电介质层包括具有介电性金红石晶体结构的第三金属氧化物，且第一金属氧化物、第二金属氧化物和金属氧化物具有彼此不同的组成，第一金属氧化物包括GeO2，第三金属氧化物包括TiO2，且第一中间层的厚度小于电介质层的厚度。

公开(公告)号：CN114566592A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111375817.3

申请日：2021-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  赵龙僖 ,  张胜愚 ,  朴影根 ,  李周浩

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供了电容器以及包括该电容器的半导体装置。一种电容器包括：第一电极；与第一电极间隔开的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。电介质层可以包括：基底材料，其包括基底金属的氧化物，该基底材料具有约2至约70的介电常数；和共掺杂剂，包括3族元素和5族元素。3族元素可以包括Sc、Y、B、Al、Ga、In和/或Tl，5族元素可以包括V、Nb、Ta、N、P、As、Sb和/或Bi。

公开(公告)号：CN117794353A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311086774.6

申请日：2023-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌洙 ,  金真弘 ,  赵龙僖 ,  金载兴 ,  李周浩

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 本公开涉及电容器和包括该电容器的电子器件。该电容器包括下电极、设置为面对下电极的上电极、以及在下电极和上电极之间的电介质层。下电极包括与电介质层分开的第一下电极层、以及在第一下电极层和电介质层之间的第二下电极层。第二下电极层包括钒氧化物。

公开(公告)号：CN115811934A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210890086.4

申请日：2022-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真弘 ,  李昌洙 ,  金容诚 ,  都垠彻 ,  李周浩 ,  赵龙僖

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 一种电容器包括：下电极；与下电极分开的上电极；以及在下电极和上电极之间的电介质，电介质包括包含TiO2的电介质层以及在电介质层中包含GeO2的漏电流减小层。由于漏电流减小层，有效地减小了漏电流，同时电介质薄膜的介电常数的降低很小。

公开(公告)号：CN114447222A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202110775788.3

申请日：2021-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  朴报恩 ,  李银河 ,  李周浩 ,  李香淑 ,  赵龙僖 ,  曹恩爱

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明涉及电子器件和包括其的半导体装置。半导体器件包括：下部电极；设置成与所述下部电极间隔开的上部电极；以及设置在所述下部电极和所述上部电极之间的介电层，所述介电层包括：第一金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Hf、Zr、Nb、Ta、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、Pb、Zn、Si、Ti、Sr或Lu；第二金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Y、Sc或Ce；和第三金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Al、Mg或Be。

公开(公告)号：CN105304158B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201510259510.5

申请日：2015-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  金相壹 ,  黄成宇 ,  孙仑喆 ,  赵龙僖 ,  崔在荣

IPC: H01B1/06 ,  C01B19/04

Abstract: 本发明涉及导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu；Ch为硫、硒、或碲；且a为范围为1‑3的整数。化学式1MeCha。

公开(公告)号：CN105304158A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510259510.5

申请日：2015-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  金相壹 ,  黄成宇 ,  孙仑喆 ,  赵龙僖 ,  崔在荣

IPC: H01B1/06 ,  C01B19/04

CPC classification number: C01B19/007 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/28 ,  C30B29/46 ,  H01B1/00 ,  H01B1/06

Abstract: 本发明涉及导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu；Ch为硫、硒、或碲；且a为范围为1-3的整数。化学式1MeCha。