公开(公告)号：CN1574331A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410048432.6

申请日：2004-06-03

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  瑞萨北日本半导体公司

Inventor： 伊藤富士夫 ,  铃木博通 ,  今野贵史 ,  梅原次男

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种半导体器件包括：具有多个电极的半导体芯片，所述电极沿着其主表面的一边在该边上布置；多个引线，布置在半导体芯片的所述边的外侧，布置的方向与该边的方向相同；多个接合线，用于将半导体芯片的所述电极分别电连接到所述引线；以及树脂密封件，用于密封所述半导体芯片、引线和接合线；其中，引线包括第一引线和第二引线，每个第一引线具有一个位于所述树脂密封件的侧面一侧并从该树脂密封件的后表面暴露出来的端子部分，每个第二引线具有一个位于所述第一引线的所述端子部分的内侧、并从所述树脂密封件的后表面暴露出来的端子部分，第一和第二引线交替布置；其中，所述接合线在第一引线的端子部分的内侧连接到各个引线上。

公开(公告)号：CN1595646A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410036818.5

申请日：1997-03-17

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  瑞萨北日本半导体公司

Inventor： 田中茂树 ,  藤泽敦 ,  长野宗一 ,  平野次彦 ,  太田亮一 ,  今野贵史 ,  建部坚一 ,  冈本敏昭

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49541 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49179 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399

Abstract: 提供了用于安装半导体芯片的半导体芯片安装区，通过以相同间隔在半导体芯片安装区的整个周边上配置内引线的末端，可使内引线末端更接近于半导体芯片安装区。沿半导体芯片安装区的整个周边配置内引线的末端，使对应于半导体芯片安装区的角部的内引线的末端处的引线间距比在其他内引线末端的引线间距宽。

公开(公告)号：CN1577798A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410059772.9

申请日：2004-06-17

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  瑞萨北日本半导体公司

Inventor： 山口嘉彦

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L21/02 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/481 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/681 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件制造装置包括预对准部分，其具有适合于识别在多阵列基片上形成的识别标记的预对准相机，切割部分，其根据由预对准部分对标记的图象识别获得的信息用切刀切割基片，和xy台，其携带基片。预对准部分根据图象识别预先识别基片上的所有标记，借此确定切割位置，而切割部分仅仅用对准相机识别基片上的几个点。结果，预对准和切割能够同时发生，从而能够提高切割处理的产量。

公开(公告)号：CN1527370A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200310114976.3

申请日：2003-11-14

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  瑞萨北日本半导体公司

Inventor： 岛贯好彦

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L23/49541 ,  H01L21/4832 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48253 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种生产半导体器件的方法。根据预定的图形，凹陷和沟槽被形成在导电衬底的主表面上，以便确定被凹陷和沟槽环绕的多个小区，且各由一个或多个凹陷和多个小区形成的多个产品制作部分。然后，将半导体元件的背面经由粘合剂固定到各个产品制作部分的凹下的底部上，形成在半导体元件上的电极以及各个小区则经由金属丝被彼此连接，在衬底主表面上形成绝缘树脂，以便覆盖半导体元件和金属丝，然后清除衬底背面的预定厚度，从而使各个小区能够各自独立地电绝缘，并使粘合剂能够被暴露，镀层膜被形成在暴露于树脂层表面的小区的表面上，并沿产品制作部分的边界部分切割树脂层，以便制造多个薄的无引线型半导体器件。

公开(公告)号：CN101894798A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010002521.2

申请日：2002-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  瑞萨北日本半导体公司

Inventor： 高桥理 ,  小笠原邦男

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  C02F9/00

CPC classification number: C02F9/00 ,  C02F1/001 ,  C02F1/32 ,  C02F1/42 ,  C02F1/441 ,  C02F1/444 ,  C02F2103/04 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/40114

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，包括在一超纯水制备系统中排列里面具有一UF模块的UF装置，它通过在它的内部排列许多由聚砜膜或聚酰亚胺膜组成的毛细空心纤维膜，通过热焊接使这多个空心纤维膜在它们的末端粘合起来，并通过这一热焊接，同时使空心纤维膜粘合到底盘上而制成。在将用于半导体集成电路器件的制造的超纯水的制备上，本发明使得可能防止电离胺流入到超纯水中。

公开(公告)号：CN101894798B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201010002521.2

申请日：2002-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  瑞萨北日本半导体公司

Inventor： 高桥理 ,  小笠原邦男

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  C02F9/00

CPC classification number: C02F9/00 ,  C02F1/001 ,  C02F1/32 ,  C02F1/42 ,  C02F1/441 ,  C02F1/444 ,  C02F2103/04 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/40114

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，包括在一超纯水制备系统中排列里面具有一UF模块的UF装置，它通过在它的内部排列许多由聚砜膜或聚酰亚胺膜组成的毛细空心纤维膜，通过热焊接使这多个空心纤维膜在它们的末端粘合起来，并通过这一热焊接，同时使空心纤维膜粘合到底盘上而制成。在将用于半导体集成电路器件的制造的超纯水的制备上，本发明使得可能防止电离胺流入到超纯水中。

公开(公告)号：CN101383282B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200810146383.8

申请日：2002-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  瑞萨北日本半导体公司

Inventor： 高桥理 ,  小笠原邦男

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  C02F9/02

CPC classification number: C02F9/00 ,  C02F1/001 ,  C02F1/32 ,  C02F1/42 ,  C02F1/441 ,  C02F1/444 ,  C02F2103/04 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/40114

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，包括在一超纯水制备系统中排列里面具有一UF模块的UF装置，它通过在它的内部排列许多由聚砜膜或聚酰亚胺膜组成的毛细空心纤维膜，通过热焊接使这多个空心纤维膜在它们的末端粘合起来，并通过这一热焊接，同时使空心纤维膜粘合到底盘上而制成。在将用于半导体集成电路器件的制造的超纯水的制备上，本发明使得可能防止电离胺流入到超纯水中。

公开(公告)号：CN100359678C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200410036818.5

申请日：1997-03-17

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  瑞萨北日本半导体公司

Inventor： 田中茂树 ,  藤泽敦 ,  长野宗一 ,  平野次彦 ,  太田亮一 ,  今野贵史 ,  建部坚一 ,  冈本敏昭

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49541 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49179 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399

Abstract: 提供了用于安装半导体芯片的半导体芯片安装区，通过以相同间隔在半导体芯片安装区的整个周边上配置内引线的末端，可使内引线末端更接近于半导体芯片安装区。沿半导体芯片安装区的整个周边配置内引线的末端，使对应于半导体芯片安装区的角部的内引线的末端处的引线间距比在其他内引线末端的引线间距宽。

公开(公告)号：CN1613142A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN03802018.1

申请日：2003-01-08

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  瑞萨北日本半导体公司 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 菊地洋明 ,  泽田敏昭 ,  山本裕彦

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/45557 ,  C23C16/4401 ,  H01L21/28017 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/909

Abstract: 本申请涉及半导体集成电路器件的制造方法。在用低压CVD设备形成掺杂硅膜时，用下述方式抑制来自另一个类似的硅膜的杂质的扩散(所述另一个类似的硅膜已经形成在淀积室的内壁上)：在上面形成有栅极氧化物膜(绝缘膜)的半导体衬底被插入CVD设备(第一成膜设备)的淀积室中之后，加热淀积室的内部，同时，相对于在大气压下加热淀积室内部所需的时间A，使随后在被调节到真空或者不大于大气压的压强下在淀积室中进行的加热所需的时间B最小化。然后开始形成掺杂的硅膜。此时，控制A和B之间的关系，使之满足下述关系：0.1×B≤A≤13×B。

公开(公告)号：CN100433277C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200310114976.3

申请日：2003-11-14

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  瑞萨北日本半导体公司

Inventor： 岛贯好彦

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L23/49541 ,  H01L21/4832 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48253 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种生产半导体器件的方法。根据预定的图形，凹陷和沟槽被形成在导电衬底的主表面上，以便确定被凹陷和沟槽环绕的多个小区，且各由一个或多个凹陷和多个小区形成的多个产品制作部分。然后，将半导体元件的背面经由粘合剂固定到各个产品制作部分的凹下的底部上，形成在半导体元件上的电极以及各个小区则经由金属丝被彼此连接，在衬底主表面上形成绝缘树脂，以便覆盖半导体元件和金属丝，然后清除衬底背面的预定厚度，从而使各个小区能够各自独立地电绝缘，并使粘合剂能够被暴露，镀层膜被形成在暴露于树脂层表面的小区的表面上，并沿产品制作部分的边界部分切割树脂层，以便制造多个薄的无引线型半导体器件。