动态随机存取存储单元
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1019615B

    公开(公告)日:1992-12-23

    申请号:CN90108147.7

    申请日:1988-03-01

    Abstract: 在半导体基片20内形成一条沟槽,该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板34,基片20用作该电容器的另一极板,沟槽的其余部分随后填有二氧化硅38,随后在二氧化硅上蚀刻图形,露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板,随后在多晶硅电容器极板和该基片之间形成接触50,通过氧化形成栅极绝缘体,漏极在与沟槽开口相邻的沟槽表面形成,随后在沟槽开孔部分内形成导电材料54,把存储电容器之一连接至漏极区24,由此形成一个晶体管。

    集成电路隔离方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1017670B

    公开(公告)日:1992-07-29

    申请号:CN90106499.8

    申请日:1987-07-03

    Abstract: 一种通过提供几乎平滑的表面而避免由应力引起的缺陷的多凹槽隔离工艺。在硅基片10上形成图案并蚀刻之,产生有源围壕区18和凹槽(20a-b和21a-b)。使用LOCOS方法在宽凹槽区21内生长场氧化物40,从而用氧化物将凹槽填上,并在窄凹槽区20内沉积上平整的场氧化物44。当将结构进行蚀刻得到一平整的表面后,使用标准步骤制备有源器件,该方法只使用一个光刻掩蔽步骤,使得有源区的宽度损失量极小。

    具有拟折叠位线的动态存储阵列

    公开(公告)号:CN85103516B

    公开(公告)日:1987-04-15

    申请号:CN85103516

    申请日:1985-05-02

    Inventor: 麦克尔罗伊

    Abstract: 一半导体动态读/写存储装置,含有一单晶体存储单元的行列阵列,其每列单元有一差动读出放大器,该读出放大器所具有的一对平衡位线,它是以拟折叠位线结构构成,并自其输入端延伸。存储单元并非直接连于位线上,而是藕合至位线段上。行地址选择一单元连至线段上,并选择两线段的一条来与两位线的一条相联。单元的字线是成组地连于两位线上的,而不是一对一的交错。每段线有一组字线,而各组是互相交错的。若与一对一交错方案比较,组合的段线及位线电容对存储电容具有更佳的比率。

    具有埋置接点的集成电路制造工艺

    公开(公告)号:CN85107802A

    公开(公告)日:1986-07-23

    申请号:CN85107802

    申请日:1985-10-21

    Abstract: 一种改善栅氧化层完整性并能埋置接点的集成电路制造工艺。为保证在薄的栅氧化层里蚀刻出孔,以保证埋置接点时栅氧化层的完整性,蚀刻前,最好在栅氧化层形成后尽快在其上另外淀积一层没有图案的多晶硅层,埋置接点的掩模便用于形成二级蚀刻。为进而保证栅氧化层最大的完整性,阈值电压的加入是通过一层在其加入后,栅氧化层生长之前就被除去的氧化层来完成。此法可用于N沟道金属氧化物半导体及互补型金属氧化物半导体的制造。

    对位置敏感的教育用品
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1050210C

    公开(公告)日:2000-03-08

    申请号:CN90100680.7

    申请日:1990-02-10

    CPC classification number: A63H5/00 G09B5/06

    Abstract: 一种十二面形的教育玩具(10),在每一平面(17-28)上形成一不同的可见图形,位置敏感机构(50)在该玩具(10)内取向以通知微处理器(62)哪一个平面(17-28)处于“向上”位置。一旦玩具(10)被转动或移动,则产生一个“接通”的信号,并放出乐调,当平面(17-28)之一停在“向上”位置时,位置敏感机构(50)通知微处理器(62),并经扬声器(44)放送对应于可见图形的声音,如果玩具(10)被扔在一边并持续一预定时间,则玩具播出一段告警声,若玩具(10)仍不被移动,则玩具自动“关断”。

    垂直双极型晶体管
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1018779B

    公开(公告)日:1992-10-21

    申请号:CN90108153.1

    申请日:1988-01-30

    Abstract: 双极型和CMOS晶体管。掩膜、图形制作和注入被集成以减少复杂性,形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的并合多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域,该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。

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