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公开(公告)号：CN1020970C
公开(公告)日：1993-05-26
申请号：CN86101043
申请日：1986-02-08
Applicant: 得克萨斯仪器公司
Inventor： 萨里德·S·马格尔 , 里查德·D·辛普森 , 丹尼尔·L·依辛 , 爱德华特·R·柯得尔 , 斯蒂芬·P·马斯霍尔 , 凯文·麦克唐纳
IPC: G06F9/30
Abstract: 实时数字信号处理中的系统，使用具有芯片上的分开的程序和数据存储器的单片微机，芯片有程序和数据分开的地址和数据通路。外部程序地址总线允许芯片外的程序以扩展方式取指并由数据总线返回操作码。总线互换组件允许在分开的内部程序和数据总线间在特定环境中传送。内部总线为16位，ALU和累加器为32位，乘法器电路产生单态为16×16的乘法功能且与ALU分开，32位输出接到ALU。ALU的一输入通过0-15位的有符号扩展的移位器。
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公开(公告)号：CN1019615B
公开(公告)日：1992-12-23
申请号：CN90108147.7
申请日：1988-03-01
Applicant: 得克萨斯仪器公司
IPC: G11C11/404 , H01L27/10
Abstract: 在半导体基片20内形成一条沟槽，该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板34，基片20用作该电容器的另一极板，沟槽的其余部分随后填有二氧化硅38，随后在二氧化硅上蚀刻图形，露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板，随后在多晶硅电容器极板和该基片之间形成接触50，通过氧化形成栅极绝缘体，漏极在与沟槽开口相邻的沟槽表面形成，随后在沟槽开孔部分内形成导电材料54，把存储电容器之一连接至漏极区24，由此形成一个晶体管。
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公开(公告)号：CN1017670B
公开(公告)日：1992-07-29
申请号：CN90106499.8
申请日：1987-07-03
Applicant: 得克萨斯仪器公司
IPC: H01L21/76
Abstract: 一种通过提供几乎平滑的表面而避免由应力引起的缺陷的多凹槽隔离工艺。在硅基片10上形成图案并蚀刻之，产生有源围壕区18和凹槽(20a-b和21a-b)。使用LOCOS方法在宽凹槽区21内生长场氧化物40，从而用氧化物将凹槽填上，并在窄凹槽区20内沉积上平整的场氧化物44。当将结构进行蚀刻得到一平整的表面后，使用标准步骤制备有源器件，该方法只使用一个光刻掩蔽步骤，使得有源区的宽度损失量极小。
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公开(公告)号：CN1012310B
公开(公告)日：1991-04-03
申请号：CN86103067
申请日：1986-04-30
Applicant: 得克萨斯仪器公司
Inventor： 罗杰·A·纳肯 , 汤姆士·C·哈罗伟 , 汤姆士·E·塔 , 魏切常 , 蒙蒂·A·道格拉斯 , 里拉·雷·海特 , 里查德·A·查普曼 , 戴维·A·比方 , 罗伯特·格罗夫III
IPC: H01L21/90 , H01L23/485 , H01L27/02
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L21/76895 , H01L27/105 , H01L27/10844 , H01L27/1108 , H01L27/11543 , Y10S257/915
Abstract: 在氮气氛中对暴露的壕和棚极区作自对准硅化时全面形成导电的氮化钛层。对该层制作图形以提供有数量级为每方10欧姆的薄膜电阻的局部互连并允许接触与壕边界有偏差。因局部互连层能从壕向上叠加到场氧化物以对接触孔提供底部接触和扩散阻挡层，该孔在以后被穿蚀过层间氧化物。局部互连可实现隐埋接触所能实现的全部及其它功能。在提供快速紧凑的SRAM单元和含有亚微米的、不带有隐埋构造的P-沟道器件的CMOS方面有优越性。
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公开(公告)号：CN1004734B
公开(公告)日：1989-07-05
申请号：CN85103376
申请日：1985-05-13
Applicant: 得克萨斯仪器公司
IPC: H01L27/08 , H01L29/76 , H01L21/283
CPC classification number: H01L27/10864 , H01L27/10841
Abstract: 这里揭示的是动态随机存取贮器(dRAM)单元和单元阵列，连同它们的生产方法，单元包括一个场效应管，一个在衬底的沟内形成的贮能电容器和在衬底上用外延生长法形成的场效应管子沟道。场效应管的源极和漏极同衬底绝缘。管子应该靠近沟或在沟侧壁的上半部分。信号电荷贮存在与衬底绝缘的电容器的板极上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN86107669A
公开(公告)日：1987-07-15
申请号：CN86107669
申请日：1986-12-04
Applicant: 得克萨斯仪器公司
Inventor： 埃尔顿·杰·佐伦斯基 , 大卫·彼·斯布莱特
IPC: H01L21/306 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02307 , H01L21/02312 , H01L21/306 , H01L21/31662 , H01L21/76245
Abstract: 一种半导体结构在半导体岛区(54)和隔离内层(50)之间具有渡越厚度小于1500埃的高清晰度界面。为了生成这种结构，在复合外延层(54)和N+内层(50)上开槽(62)。内层(50)被在高压和低温条件下阳极化和氧化处理，以减少N+杂质的上扩散进入外延层(54)。
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公开(公告)号：CN85103516B
公开(公告)日：1987-04-15
申请号：CN85103516
申请日：1985-05-02
Applicant: 得克萨斯仪器公司
Inventor： 麦克尔罗伊
IPC: G11C8/02
Abstract: 一半导体动态读/写存储装置，含有一单晶体存储单元的行列阵列，其每列单元有一差动读出放大器，该读出放大器所具有的一对平衡位线，它是以拟折叠位线结构构成，并自其输入端延伸。存储单元并非直接连于位线上，而是藕合至位线段上。行地址选择一单元连至线段上，并选择两线段的一条来与两位线的一条相联。单元的字线是成组地连于两位线上的，而不是一对一的交错。每段线有一组字线，而各组是互相交错的。若与一对一交错方案比较，组合的段线及位线电容对存储电容具有更佳的比率。
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公开(公告)号：CN85107802A
公开(公告)日：1986-07-23
申请号：CN85107802
申请日：1985-10-21
Applicant: 得克萨斯仪器公司
Inventor： 普拉迪普·夏赫
Abstract: 一种改善栅氧化层完整性并能埋置接点的集成电路制造工艺。为保证在薄的栅氧化层里蚀刻出孔，以保证埋置接点时栅氧化层的完整性，蚀刻前，最好在栅氧化层形成后尽快在其上另外淀积一层没有图案的多晶硅层，埋置接点的掩模便用于形成二级蚀刻。为进而保证栅氧化层最大的完整性，阈值电压的加入是通过一层在其加入后，栅氧化层生长之前就被除去的氧化层来完成。此法可用于N沟道金属氧化物半导体及互补型金属氧化物半导体的制造。
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公开(公告)号：CN1050210C
公开(公告)日：2000-03-08
申请号：CN90100680.7
申请日：1990-02-10
Applicant: 得克萨斯仪器公司
Abstract: 一种十二面形的教育玩具(10)，在每一平面(17-28)上形成一不同的可见图形，位置敏感机构(50)在该玩具(10)内取向以通知微处理器(62)哪一个平面(17-28)处于“向上”位置。一旦玩具(10)被转动或移动，则产生一个“接通”的信号，并放出乐调，当平面(17-28)之一停在“向上”位置时，位置敏感机构(50)通知微处理器(62)，并经扬声器(44)放送对应于可见图形的声音，如果玩具(10)被扔在一边并持续一预定时间，则玩具播出一段告警声，若玩具(10)仍不被移动，则玩具自动“关断”。
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公开(公告)号：CN1018779B
公开(公告)日：1992-10-21
申请号：CN90108153.1
申请日：1988-01-30
Applicant: 得克萨斯仪器公司
Abstract: 双极型和CMOS晶体管。掩膜、图形制作和注入被集成以减少复杂性，形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的并合多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。
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