公开(公告)号：CN1019615B

公开(公告)日：1992-12-23

申请号：CN90108147.7

申请日：1988-03-01

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 克拉伦斯·腾万生 ,  罗伯特·阿·都灵 ,  阿斯维应·海·沙夏

IPC: G11C11/404 ,  H01L27/10

Abstract: 在半导体基片20内形成一条沟槽，该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板34，基片20用作该电容器的另一极板，沟槽的其余部分随后填有二氧化硅38，随后在二氧化硅上蚀刻图形，露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板，随后在多晶硅电容器极板和该基片之间形成接触50，通过氧化形成栅极绝缘体，漏极在与沟槽开口相邻的沟槽表面形成，随后在沟槽开孔部分内形成导电材料54，把存储电容器之一连接至漏极区24，由此形成一个晶体管。

公开(公告)号：CN1050458A

公开(公告)日：1991-04-03

申请号：CN90108147.7

申请日：1988-03-01

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 克拉伦斯·腾万生 ,  罗伯特·阿·都灵 ,  阿斯维应·海·沙夏

IPC: G11C11/405

Abstract: 在半导体基片20内形成一条沟槽，该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板34，基片20用作该电容器的另一极板，沟槽的其余部分随后填有二氧化硅38，随后在二氧化硅上蚀刻图形，露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板，随后在多晶硅电容器极板和该基片之间形成接触50，通过氧化形成栅极绝缘体，漏极在与沟槽开口相邻的沟槽表面形成，随后在沟槽开孔部分内形成导电材料54，把存储电容器之一连接至漏极区24，由此形成一个晶体管。

公开(公告)号：CN1011369B

公开(公告)日：1991-01-23

申请号：CN88101174

申请日：1988-03-01

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 克拉伦斯·腾万生 ,  罗伯特·阿·都灵 ,  阿斯维应·海·沙夏

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L27/108 ,  G11C11/401

CPC classification number: H01L27/10864 ,  H01L21/2254 ,  H01L27/10841

Abstract: 在半导体基片20内形成一条沟槽，该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板34，基片20用作该电容器的另一极板，沟槽的其余部分随后填有二氧化硅38，随后在二氧化硅上蚀刻图形，露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板，随后在多晶硅电容器极板和该基片之间形成接触50，通过氧化形成栅极绝缘体，漏极在与沟槽开口相邻的沟槽表面形成，随后在沟槽开孔部分内形成导电材料54，把存储电容器之一连接至漏极区24，由此形成一个晶体管。

公开(公告)号：CN88101174A

公开(公告)日：1988-12-07

申请号：CN88101174

申请日：1988-03-01

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 克拉伦斯·腾万生 ,  罗伯特·阿·都灵 ,  阿斯维应·海·沙夏

IPC: H01L21/76 ,  H01L27/10 ,  G11C11/24

CPC classification number: H01L27/10864 ,  H01L21/2254 ,  H01L27/10841

Abstract: 在半导体基片20内形成一条沟槽，该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板34，基片20用作该电容器的另一极板，沟槽的其余部分随后填有二氧化硅38，随后在二氧化硅上蚀刻图形，露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板，随后在多晶硅电容器极板和该基片之间形成接触50，通过氧化形成栅极绝缘体，漏极在与沟槽开口相邻的沟槽表面形成，随后在沟槽开孔部分内形成导电材料54，由此形成把存储电容器之一连接至漏极区24的晶体管。