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发明公开
高清晰阳极化的内层界面无效

公开(公告)号：CN86107669A

公开(公告)日：1987-07-15

申请号：CN86107669

申请日：1986-12-04

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 埃尔顿·杰·佐伦斯基 , 大卫·彼·斯布莱特

IPC: H01L21/306 , H01L21/76

CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02307 , H01L21/02312 , H01L21/306 , H01L21/31662 , H01L21/76245

Abstract: 一种半导体结构在半导体岛区(54)和隔离内层(50)之间具有渡越厚度小于1500埃的高清晰度界面。为了生成这种结构，在复合外延层(54)和N+内层(50)上开槽(62)。内层(50)被在高压和低温条件下阳极化和氧化处理，以减少N+杂质的上扩散进入外延层(54)。

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