公开(公告)号：CN1018779B

公开(公告)日：1992-10-21

申请号：CN90108153.1

申请日：1988-01-30

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 拉杰夫·让·沙夏 ,  托安·特兰

IPC: H01L29/50 ,  H01L29/73 ,  H01L21/82

Abstract: 双极型和CMOS晶体管。掩膜、图形制作和注入被集成以减少复杂性，形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的并合多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。

公开(公告)号：CN1050469A

公开(公告)日：1991-04-03

申请号：CN90108153.1

申请日：1988-01-30

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 拉杰夫·让·沙夏 ,  托安·特兰

IPC: H01L29/50 ,  H01L29/73 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82

Abstract: 双极型和CMOS晶体管。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。

公开(公告)号：CN1015037B

公开(公告)日：1991-12-04

申请号：CN88100546

申请日：1988-01-30

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 拉杰夫·让·沙夏 ,  托安·特兰

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L21/8249

Abstract: 同时制作双极型和CMOS晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合步骤形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅步骤。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。

公开(公告)号：CN88100546A

公开(公告)日：1988-08-10

申请号：CN88100546

申请日：1988-01-30

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 拉杰夫·让·沙夏 ,  托安·特兰

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L21/8249

Abstract: 同时制作双极型和CMOS晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合步骤形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅步骤。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。