公开(公告)号：CN1004734B

公开(公告)日：1989-07-05

申请号：CN85103376

申请日：1985-05-13

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 查特基 ,  马利 ,  理查森

IPC: H01L27/08 ,  H01L29/76 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L27/10864 ,  H01L27/10841

Abstract: 这里揭示的是动态随机存取贮器(dRAM)单元和单元阵列，连同它们的生产方法，单元包括一个场效应管，一个在衬底的沟内形成的贮能电容器和在衬底上用外延生长法形成的场效应管子沟道。场效应管的源极和漏极同衬底绝缘。管子应该靠近沟或在沟侧壁的上半部分。信号电荷贮存在与衬底绝缘的电容器的板极上。

公开(公告)号：CN85103376A

公开(公告)日：1986-11-19

申请号：CN85103376

申请日：1985-05-13

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 查特基 ,  马利 ,  理查森

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  G11C11/40 ,  G11C11/24

CPC classification number: H01L27/10864 ,  H01L27/10841

Abstract: 这里揭示的是动态随机存取贮器(dRAM)单元和单元阵列，连同它们的生产方法，单元包括一个场效应管，一个在衬底的沟内形成的贮能电容器和在衬底上用外延生长法形成的场效应管子沟道。场效应管的源极和漏极同衬底绝缘。管子应该靠近沟或在沟侧壁的上半部分。信号电荷贮存在与衬底绝缘的电容器的板极上。