公开(公告)号：CN1012310B

公开(公告)日：1991-04-03

申请号：CN86103067

申请日：1986-04-30

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 罗杰·A·纳肯 ,  汤姆士·C·哈罗伟 ,  汤姆士·E·塔 ,  魏切常 ,  蒙蒂·A·道格拉斯 ,  里拉·雷·海特 ,  里查德·A·查普曼 ,  戴维·A·比方 ,  罗伯特·格罗夫III

IPC: H01L21/90 ,  H01L23/485 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/11543 ,  Y10S257/915

Abstract: 在氮气氛中对暴露的壕和棚极区作自对准硅化时全面形成导电的氮化钛层。对该层制作图形以提供有数量级为每方10欧姆的薄膜电阻的局部互连并允许接触与壕边界有偏差。因局部互连层能从壕向上叠加到场氧化物以对接触孔提供底部接触和扩散阻挡层，该孔在以后被穿蚀过层间氧化物。局部互连可实现隐埋接触所能实现的全部及其它功能。在提供快速紧凑的SRAM单元和含有亚微米的、不带有隐埋构造的P-沟道器件的CMOS方面有优越性。

公开(公告)号：CN1043587A

公开(公告)日：1990-07-04

申请号：CN89103683.0

申请日：1989-05-22

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 罗杰·A·纳肯 ,  汤姆士·C·哈罗伟 ,  汤姆士·E·塔 ,  魏切常 ,  蒙蒂·A·道格拉斯 ,  里拉·雷海特 ,  里查德·A·查普曼 ,  戴维·A·比尔 ,  罗伯特·格罗夫III

IPC: H01L27/11 ,  G11C11/40

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/11543 ,  Y10S257/915

Abstract: 在氮气氛中对暴露的壕和栅极区作自对准硅化时全面形成导电的氮化钛层。对该层制作图形以提供有数量级为每方10欧姆的薄膜电阻的局部互连并允许接触与壕边界有偏差。因局部互连层能从壕向上叠加到场氧化物以对接触孔提供底部接触和护散阻挡层，该孔在以后被穿蚀过层间氧化物。局部互连可实现隐埋接触所能实现的全部及其它功能。在提供快速紧凑的SRAM单元和含有亚微米的、不带有隐埋构造的P-沟道器件的CMOS方面有优越性。

公开(公告)号：CN1034533C

公开(公告)日：1997-04-09

申请号：CN89103683.0

申请日：1986-04-30

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 罗杰·A·纳肯 ,  汤姆士·C·哈罗伟 ,  汤姆士·E·塔 ,  魏切常 ,  蒙蒂·A·道格拉斯 ,  里拉·雷海特 ,  里查德·A·查普曼 ,  戴维·A·比尔 ,  罗伯特·格罗夫III

IPC: H01L27/11 ,  G11C11/40

Abstract: 在氮气氛中对暴露的壕和栅极区作自对准硅化时全面形成导电的氮化钛层。对该层制作图形以提供有数量级为每方10欧姆的薄膜电阻的局部互连并允许接触与壕边界有偏差。因局部互连层能从壕向上叠加到场氧化物以对接触孔提供底部接触和扩散阻挡层，该孔在以后被穿蚀过层间氧化物。局部互连可实现隐埋接触所能实现的全部及其它功能。在提供快速紧凑的SRAM单元和含有亚微米的、不带有隐埋构造的P-沟道器件的CMOS方面有优越性。

公开(公告)号：CN86103067A

公开(公告)日：1987-07-15

申请号：CN86103067

申请日：1986-04-30

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 罗杰·A·纳肯 ,  汤姆士·C·哈罗伟 ,  汤姆士·E·塔 ,  魏切常 ,  蒙蒂·A·道格拉斯 ,  里拉·雷·海特 ,  里查德·A·查普曼 ,  戴维·A·比尔 ,  罗伯特·格罗夫III

IPC: H01L21/70 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/11543 ,  Y10S257/915

Abstract: 在氮气氛中对暴露的壕和栅极区作自对准硅化时全面形成导电的氮化钛层。对该层制作图形以提供有数量级为每方10欧姆的薄膜电阻的局部互连并允许接触与壕边界有偏差。因局部互连层能从壕向向上叠加到场氧化物以对接触孔提供底部接触和扩散阻挡层，该孔在以后被穿蚀过层间氧化物。局部互连可实现隐埋接触所能实现的全部及其它功能。在提供快速紧凑的SRAM单元和含有亚微米的、不带有隐埋构造的P-沟道器件的CMOS方面有优越性。