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公开(公告)号：CN85107802A
公开(公告)日：1986-07-23
申请号：CN85107802
申请日：1985-10-21
Applicant: 得克萨斯仪器公司
Inventor： 普拉迪普·夏赫
Abstract: 一种改善栅氧化层完整性并能埋置接点的集成电路制造工艺。为保证在薄的栅氧化层里蚀刻出孔，以保证埋置接点时栅氧化层的完整性，蚀刻前，最好在栅氧化层形成后尽快在其上另外淀积一层没有图案的多晶硅层，埋置接点的掩模便用于形成二级蚀刻。为进而保证栅氧化层最大的完整性，阈值电压的加入是通过一层在其加入后，栅氧化层生长之前就被除去的氧化层来完成。此法可用于N沟道金属氧化物半导体及互补型金属氧化物半导体的制造。
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