公开(公告)号：CN1017670B

公开(公告)日：1992-07-29

申请号：CN90106499.8

申请日：1987-07-03

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 理查德·A·恰普曼 ,  克莱伦斯·邓万生

IPC: H01L21/76

Abstract: 一种通过提供几乎平滑的表面而避免由应力引起的缺陷的多凹槽隔离工艺。在硅基片10上形成图案并蚀刻之，产生有源围壕区18和凹槽(20a-b和21a-b)。使用LOCOS方法在宽凹槽区21内生长场氧化物40，从而用氧化物将凹槽填上，并在窄凹槽区20内沉积上平整的场氧化物44。当将结构进行蚀刻得到一平整的表面后，使用标准步骤制备有源器件，该方法只使用一个光刻掩蔽步骤，使得有源区的宽度损失量极小。

公开(公告)号：CN1013160B

公开(公告)日：1991-07-10

申请号：CN87104640

申请日：1987-07-03

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 理查德·A·恰普曼 ,  克莱伦斯·邓万生

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/74 ,  H01L21/314 ,  H01L21/471

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/76235 ,  Y10S148/05

Abstract: 一种通过提供几乎平滑的表面而避免由应力引起的缺陷的多凹槽隔离工艺。在硅基片10上形成图案并蚀刻之，产生有源壕状区18和凹槽(20a-b和21a-b)。使用LOCOS方法在宽凹槽区21内生长场氧化物40，从而用氧化物将凹槽填上，并在窄凹槽区20内沉积上平整的场氧化物44。当将结构进行蚀刻得到一平整的表面后，使用标准步骤制备有源器件，该方法只使用一个光刻掩蔽步骤，使电有源区的宽度损失量极小。

公开(公告)号：CN1052572A

公开(公告)日：1991-06-26

申请号：CN90106499.8

申请日：1987-07-03

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 理查德·A·恰普曼 ,  克莱伦斯·邓万生

IPC: H01L21/76

Abstract: 一种通过提供几乎平滑的表面而避免由应力引起的缺陷的多凹槽隔离工艺。在硅基片10上形成图案并蚀刻之，产生有源围壕区18和凹槽(20a-b和21a-b)。使用LOCOS方法在宽凹槽区21内生长场氧化物40，从而用氧化物将凹槽填上，并在窄凹槽区20内沉积上平整的场氧化物44。当将结构进行蚀刻得到一平整的表面后，使用标准步骤制备有源器件，该方法只使用一个光刻掩蔽步骤，使得有源区的宽度损失量极小。

公开(公告)号：CN87104640A

公开(公告)日：1988-01-27

申请号：CN87104640

申请日：1987-07-03

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 理查德·A·恰普曼 ,  克莱伦斯·邓万生

IPC: H01L21/94 ,  H01L21/314 ,  H01L21/471

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/76235 ,  Y10S148/05

Abstract: 一种通过提供几乎平滑的表面而避免由应力引起的缺陷的多凹槽绝缘工艺。在硅基片10上形成图案并蚀刻之，产生有源壕状区18和凹槽(20a-b和21a-b)。使用LOCOS方法在宽凹槽区21内生长场氧化物40，从而用氧化物将凹槽填上，并在窄凹槽区20内沉积上平整的场氧化物44。当将结构进行蚀刻得到一平整的表面后，使用标准步骤制备有源器件，该方法只使用一个光刻掩蔽步骤，使电有源区的宽度损失量极小。