-
公开(公告)号：CN119208498A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411127485.0
申请日：2024-08-16
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了发光二极管及其制备方法，发光二极管包括底板、侧板、反射件、透光件和紧固件，其中反射件内置于LED封装体中，取代传统的反射杯，可以低成本地形成高紫外反射侧壁，提高倒装芯片封装的光取出效率。并且，可以通过调整反射件的反射部的角度，配合透光件的结构，形成不同的发光角度，适应不同的应用场景。再者，采用热铆接技术固定所述透光件、反射件、侧板与底板，一方面增加结构强度，另一方面，避免发光装置发射的光高强度、长期照射的光劣化。
-
公开(公告)号：CN118137286A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410295637.1
申请日：2024-03-14
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器芯片及降低半导体激光器腔面表面态的方法。该方法包括：将半导体激光器外延片靠近第一表面的一部分氧化形成氧化层，其中，第一表面为靠近p型接触层的一侧表面；在空气环境中，沿氧化层将半导体激光器外延片进行解理形成Bar条，解理形成的解理面将每一氧化层分离形成两部分，靠近解理面的氧化层作为Bar条腔面膜，在Bar条的前腔面形成增透膜、在Bar条的后腔面形成高反膜。本发明形成的腔面膜可以有效避免氧和其它杂质对腔面的污染，可以减少腔面的表面态。
-
公开(公告)号：CN118073963A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211469752.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种GaN基激光器及提高GaN基激光器光束质量的方法。该激光器包括第一光学限制层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二光学限制层、接触层、绝缘介质层，该接触层、第二光学限制层和部分的第二波导层配合形成脊型结构；该绝缘介质层至少覆设在脊型结构的顶端面上，并具有图形化结构，图形化结构包括间隔分布的多个周期性图案，并且接触层从脊型结构顶端面上未被周期性图案覆盖的区域暴露出；脊型结构的顶端面上还覆设有第一电极，其与接触层形成欧姆接触。本申请通过采用以上设计，能在激光器中形成侧向非均匀性波导结构，并能吸收高阶模，从而能抑制侧向高阶模式的产生，进而有效改善激光器的光束质量。
-
公开(公告)号：CN117638626A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210978868.3
申请日：2022-08-15
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/02315 , H01S5/0237 , H01S5/024 , H01S5/30
Abstract: 本申请公开了一种氮化镓基激光器封装结构，包括底座、盖体和引脚，所述底座的底端与盖体连接，所述盖体与引脚连接；所述底座的一侧面用于与氮化镓基激光器芯片固定连接，同时所述底座的一侧面的顶部形成有台阶结构，所述台阶结构具有第一台阶面和第二台阶面，所述第一台阶面高于第二台阶面，所述第一台阶面为所述底座的顶端面，并且所述第一台阶面与所述氮化镓基激光器芯片的出光面平齐。与现有技术相比，本申请通过在氮化镓基激光器封装用的底座中增设台阶结构，可以使氮化镓基激光器芯片出光面位置的散热途径得到有效扩展，显著增强散热效果，从而大幅降低了氮化镓基激光器的热阻，进而保证了氮化镓基激光器的高输出功率和高可靠性。
-
公开(公告)号：CN117317805A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202210716186.5
申请日：2022-06-22
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种半导体激光器结构及其制备方法。该半导体激光器结构包括依次设置的n型光学限制层、n型下光学波导层、多量子阱有源区、p型上光学波导层、p型电子阻挡层和p型光学限制层；该p型光学限制层具有超晶格结构，其中的一个超晶格周期包括层叠设置的第一p型掺杂层和第二p型掺杂层，每一p型掺杂层内的高掺杂区域和低掺杂区域沿逐渐远离该两个p型掺杂层的界面的方向依次设置，且高掺杂区域邻近所述界面。本申请可以有效改善半导体激光器的工作性能，例如大幅降低其工作电压和显著提升其光效。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117219676A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311025609.X
申请日：2023-08-14
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/808 , H01L29/778 , H01L21/337 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/201 , H01L29/43
Abstract: 本发明公开了一种异质pn结栅极的增强型HEMT器件，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层，所述势垒层上设置有漏极、栅极和源极，所述漏极和源极与势垒层形成欧姆接触；所述栅极包括依次层叠在所述势垒层上的p型半导体层和n型半导体层，所述p型半导体层和n型半导体层形成异质pn结。本发明通过形成异质pn结栅极，提高栅极的耐压性能，减小栅极漏电流。
-
公开(公告)号：CN117219490A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210628253.8
申请日：2022-06-02
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种准分子灯及其制备方法。所述准分子灯包括：两个放电单元，每一放电单元包括一灯壳，每一灯壳内部均具有放电空间，所述放电空间内封入有能够产生准分子放电的气体，且每一灯壳的至少局部区域可透射准分子发射的紫外光；第一电极和第二电极，均位于所述放电单元外部，其中第一电极设置于两个放电单元之间，且第一电极在厚度方向上的两侧表面分别与一灯壳的第一外表面无缝接触，每一灯壳的第二外表面上设有一第二电极，每一第二电极隔着一放电空间与第一电极相对设置；所述第一电极用于与高频高压电源电连接。本发明的准分子灯具有电极寿命更长、产生臭氧更少、空间更紧凑等优点。
-
公开(公告)号：CN117003701A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310983718.6
申请日：2023-08-04
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Inventor： 李端秀
IPC: C07D239/47 , C07D239/557 , A61K31/513 , A61K47/54 , A61P31/10
Abstract: 本发明提供一种氟胞嘧啶‑异乳清酸盐及其制备方法和应用。所述氟胞嘧啶‑异乳清酸盐是由氟胞嘧啶中性分子、氟胞嘧啶阳离子和异乳清酸阴离子以1∶1∶1的摩尔比通过分子间氢键结合而成。所述氟胞嘧啶‑异乳清酸盐具有较优的湿度稳定性和较低的平衡溶解度，因而具有良好的药用前景。本发明另外提供通过溶剂挥发法、混悬法或研磨法得到上述氟胞嘧啶‑异乳清酸盐的制备方法。
-
公开(公告)号：CN116364832A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211665676.3
申请日：2022-12-23
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院
Abstract: 本发明公开一种半导体封装结构及发光装置，其中，半导体封装结构包括基座、紫外发光芯片和含氟透光层；基座设有凹槽；紫外发光芯片设于凹槽的底部；含氟透光层位于凹槽内；含氟透光层覆盖于紫外发光芯片上。本发明的技术方案通过在凹槽内设置覆盖于紫外发光芯片上的含氟透光层；由于含氟透光层远离紫外发光芯片的一侧形成有空气层，而含氟透光层的透射率高于空气层的折射率，含氟透光层可增加光线射入至含氟透光层后进入空气层的光量；因此，含氟透光层具有提高紫外发光芯片光提取率的作用，进而实现提升半导体封装结构的整体发光亮度的目的。
-
公开(公告)号：CN115719708A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110985191.1
申请日：2021-08-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院
IPC: H01L21/34 , H01L31/18 , H01L21/683 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3薄膜材料及其柔性器件的制备方法。所述Ga2O3薄膜的制备方法包括：在第一衬底上生长形成AlN层，所述AlN层能够被AlN腐蚀液蚀刻去除；直接在所述AlN层上生长形成Ga2O3薄膜。本发明实施例提供的一种大面积Ga2O3器件的制备方法得到的器件尺寸可控、位置可控，且可以阵列化制备；以及，本发明实施例提供的Ga2O3薄膜材料可以用于制作柔性的电子器件或光电器件，本发明实施例提供的一种大面积Ga2O3柔性器件的制备方法，降低了Ga2O3柔性器件制备的复杂度，提高了Ga2O3柔性器件的可控性和良品率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
78
records
(took 0.142 seconds)
