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公开(公告)号：CN118060752A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410197015.5
申请日：2024-02-21
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶圆的隐形切割方法及其应用。所述隐形切割方法包括：覆设保护胶层；进行激光预切割，形成预切割槽体，预切割槽体贯穿保护胶层以及金属层和/或介质层；采用腐蚀液去除预切割槽体中的残留；采用抛光液对预切割槽体底部暴露的硅衬底进行化学抛光处理，形成光滑硅面；以光滑硅面作为入射面，沿切割道对晶圆进行激光隐形切割。本发明结合了隐形切割与激光切割优点，能够满足硅基器件切割道区域有介质层和/或金属层情况下的隐形切割，且对于实际器件应用下多种复合介质和金属下也具有普适性；既避免热效应的影响，颗粒的污染，也保证晶圆内部不会产生过大的应力导致的切割后晶圆的微裂纹的产生，且与现有工艺兼容，安全可靠。
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公开(公告)号：CN114937593A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210460707.5
申请日：2022-04-28
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种p‑GaN欧姆接触电极的制备方法，包括以下步骤：提供GaN基外延片，所述GaN基外延片的最上层为p型GaN层，对所述p型GaN层进行激活处理，得到第一GaN基外延片；在所述第一GaN基外延片的p型GaN层上刻蚀，制备出欧姆接触区域，得到第二GaN基外延片；利用热磷酸溶液对所述第二GaN基外延片进行湿法腐蚀处理，清洗后得到第三GaN基外延片；在所述第三GaN基外延片的欧姆接触区域积淀金属，并通过退火工艺对金属进行合金处理，完成p‑GaN欧姆接触电极的制备。本发明能够明显提高p‑GaN材料的欧姆接触性能。
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公开(公告)号：CN118263124A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410573076.7
申请日：2024-05-09
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/36 , H01L29/207 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种HEMT器件及降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法。降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法，其特征在于，包括提供外延结构，所述外延结构包括由沟道层和势垒层形成的异质结，所述势垒层与所述沟道层之间的界面形成有载流子沟道；至少除去位于所述外延结构欧姆区域的势垒层，在暴露在欧姆区域的所述沟道层上溅射形成重掺杂的N型半导体接触层，所述重掺杂的N型半导体接触层与所述载流子沟道电连接；在所述重掺杂的N型半导体接触层上制作源极、漏极，所述源极、所述漏极与所述重掺杂的N型半导体接触层形成欧姆接触。本发明利用重掺杂的N+‑GaN与二维电子气直接接触，避免金属电极与2DEG沟道形成接触势垒，因而可以获得较低的接触电阻。
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公开(公告)号：CN117293049A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202210694521.6
申请日：2022-06-17
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及半导体封装技术领域，具体公开一种穿引装置、引线键合仪及其使用方法，穿引装置包括筒架，筒架包括用于与劈刀内部相连通的通道，通道连接有用于在劈刀内部中形成牵引气流的气流发生器，牵引气流的流动方向为自劈刀向通道的方向。通过筒架与气流发生器相结合，以使在劈刀内部中形成自劈刀向通道方向流动的牵引气流，由此，位于劈刀内部入口处的引线或者断裂在劈刀内部中的引线得以在牵引气流的作用下向劈刀的嘴部方向移动，进而完成穿引或使引线碎段移出劈刀外。装置结构简单，有效降低穿引操作的难度，提高穿引效率，同时通堵效果好，能够将断裂在劈刀内部的引线碎段完整地导出，确保不会残留引线碎段。
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公开(公告)号：CN117276351A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311319684.7
申请日：2023-10-11
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L29/66 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅功率器件及其制备方法。碳化硅功率器件包括：SiC衬底及沿选定方向依次层叠于所述SiC衬底上的SiC外延层、复合栅介质层，以及，第一电极、第二电极，所述第一电极与所述复合栅介质层电连接，所述第二电极与所述SiC衬底电连接。本发明提供的一种碳化硅功率器件及其制备方法，通过设置复合栅介质层，提高了栅极的耐压性能，减小了栅极漏电流，提高了器件可靠性；采用ALD和LPCVD设备结合沉积形成的栅介质层，可解决纯ALD沉积栅介质层时的沉积速度慢、量产困难的问题，从而提高了产量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114472920A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111677482.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于探针卡的探针的加工方法，涉及晶圆检测设备领域。其包括：(1)提供/制备合金粉末；(2)通过软件将预先设计的探针的三维图进行切片；(3)将所述合金粉末加载至3D打印机内，并采用所述合金粉末逐层打印所述切片，形成用于探针卡的探针。本发明采用3D打印成型探针，其成本低、工艺简单，可快速实现批量加工。且该加工方法可提升成品探针的尺寸精度。
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公开(公告)号：CN115799296A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111062410.5
申请日：2021-09-10
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/868 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物二极管器件及其制作方法和应用。所述III族氮化物二极管器件包括：III族氮化物异质结，所述III族氮化物异质结中形成有二维电子气；第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极通过所述二维电子气电性连接；所述III族氮化物二极管器件还包括：多个第三半导体，多个所述的第三半导体与所述异质结配合设置，其中任意两个相邻第三半导体彼此间隔设置，每一所述第三半导体能够将位于其下方的部分的所述二维电子气耗尽，以及，该多个第三半导体还分别与第一电极电性接触。本发明提供的制作方法，减小了器件的开启电压和界面态影响，提高了器件的动态特性和可靠性，工艺简单，易于集成。
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公开(公告)号：CN114724931A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210262046.5
申请日：2022-03-17
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , G03F7/20 , G03F7/16
Abstract: 本发明公开了一种调控被刻蚀材料侧壁刻蚀斜面角度的刻蚀工艺方法，包括：步骤1、对待刻蚀平片进行清洗后旋涂光刻胶；步骤2、采用lift‑off工艺制作对准标记mark，将步骤1所得样品进行曝光、显影后沉积Ti/Au薄膜，剥离光刻胶后得到后道光刻工艺对准标记mark；步骤3、将步骤2所得样品清洗后再次旋涂光刻胶，使用第一掩模版对准标记mark后进行倾斜曝光，显影后形成光刻胶侧壁倾斜面，再通过其他掩模版继续对准标记mark进行多次曝光，在显影后形成多方向光刻胶侧壁倾斜面；步骤4、对步骤3所得样品进行干法刻蚀，刻蚀至深度设定值；步骤5、将步骤4所得样品放入丙酮溶液中，去除剩余光刻胶，得到被刻蚀材料侧壁斜面角度。本发明主要用于半导体技术领域。
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公开(公告)号：CN118137286A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410295637.1
申请日：2024-03-14
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器芯片及降低半导体激光器腔面表面态的方法。该方法包括：将半导体激光器外延片靠近第一表面的一部分氧化形成氧化层，其中，第一表面为靠近p型接触层的一侧表面；在空气环境中，沿氧化层将半导体激光器外延片进行解理形成Bar条，解理形成的解理面将每一氧化层分离形成两部分，靠近解理面的氧化层作为Bar条腔面膜，在Bar条的前腔面形成增透膜、在Bar条的后腔面形成高反膜。本发明形成的腔面膜可以有效避免氧和其它杂质对腔面的污染，可以减少腔面的表面态。
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公开(公告)号：CN117219676A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311025609.X
申请日：2023-08-14
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/808 , H01L29/778 , H01L21/337 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/201 , H01L29/43
Abstract: 本发明公开了一种异质pn结栅极的增强型HEMT器件，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层，所述势垒层上设置有漏极、栅极和源极，所述漏极和源极与势垒层形成欧姆接触；所述栅极包括依次层叠在所述势垒层上的p型半导体层和n型半导体层，所述p型半导体层和n型半导体层形成异质pn结。本发明通过形成异质pn结栅极，提高栅极的耐压性能，减小栅极漏电流。
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