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公开(公告)号：CN117638626A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210978868.3
申请日：2022-08-15
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/02315 , H01S5/0237 , H01S5/024 , H01S5/30
Abstract: 本申请公开了一种氮化镓基激光器封装结构，包括底座、盖体和引脚，所述底座的底端与盖体连接，所述盖体与引脚连接；所述底座的一侧面用于与氮化镓基激光器芯片固定连接，同时所述底座的一侧面的顶部形成有台阶结构，所述台阶结构具有第一台阶面和第二台阶面，所述第一台阶面高于第二台阶面，所述第一台阶面为所述底座的顶端面，并且所述第一台阶面与所述氮化镓基激光器芯片的出光面平齐。与现有技术相比，本申请通过在氮化镓基激光器封装用的底座中增设台阶结构，可以使氮化镓基激光器芯片出光面位置的散热途径得到有效扩展，显著增强散热效果，从而大幅降低了氮化镓基激光器的热阻，进而保证了氮化镓基激光器的高输出功率和高可靠性。
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