Patent search ap:("广东中科半导体微纳制造技术研究院" OR "中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所") AND inv:"周伟" Page 1

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发明公开
半导体激光器结构及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN117317805A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202210716186.5

申请日：2022-06-22

Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 刘建平 , 刘治 , 田爱琴 , 周伟

IPC: H01S5/20 , H01S5/343

Abstract: 本申请公开了一种半导体激光器结构及其制备方法。该半导体激光器结构包括依次设置的n型光学限制层、n型下光学波导层、多量子阱有源区、p型上光学波导层、p型电子阻挡层和p型光学限制层；该p型光学限制层具有超晶格结构，其中的一个超晶格周期包括层叠设置的第一p型掺杂层和第二p型掺杂层，每一p型掺杂层内的高掺杂区域和低掺杂区域沿逐渐远离该两个p型掺杂层的界面的方向依次设置，且高掺杂区域邻近所述界面。本申请可以有效改善半导体激光器的工作性能，例如大幅降低其工作电压和显著提升其光效。

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