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公开(公告)号：CN114188461B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202111487880.6
申请日：2021-12-06
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10H20/85 , H10H20/856 , H10H20/857 , H10H20/852
Abstract: 本发明涉及紫外LED封装技术领域，涉及一种紫外封装器件。紫外封装器件包括基板、内壳、外壳、镜片。内壳围设于基板，内壳的内表面贴合于基板的上表面，内壳于基板的上表面形成安装凹槽，外壳围设于基板与内壳外部，并贴合于内壳的上表面，外壳于内壳的上方设有镜片，镜片将安装槽密封，其中，紫外LED设于安装凹槽内，内壳与外壳的由紫外反射材料形成。通过内壳与外壳层层包覆于基板，于基板上形成狭小的安装凹槽，以将紫外LED设置于该安装凹槽内，降低深紫外光的吸收概率，减小光损失，从而提高光的提取效率。
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公开(公告)号：CN119029120A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411041168.7
申请日：2024-07-31
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种半导体封装结构和发光器件，涉及半导体封装技术领域；其中，半导体封装结构包括含氟透光层、发光芯片和基座；所述发光芯片的外周壁相对于所述发光芯片的中心线倾斜，以使所述发光芯片的外周壁到所述中心线的距离，沿所述发光芯片的下表面至所述发光芯片的上表面逐渐减小；所述含氟透光层铺设于所述发光芯片，并与所述发光芯片的上表面、外周壁相互抵接；所述发光芯片、所述含氟透光层均位于所述基座内。本发明提供的技术方案可以提升半导体封装结构的光提取效率。
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公开(公告)号：CN115632100B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211660516.X
申请日：2022-12-23
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院
Abstract: 本发明公开一种矩阵式半导体的电路结构及其封装结构、发光装置，其中矩阵式半导体的电路结构包括：第一电路板设有若干封装电极组件，封装电极组件包括第一电极和第二电极；第二电路板设有相互电性连接的若干第一连接端和若干第二连接端，第一连接端与第一电极电性连接；第三电路板的一侧设有若干第三连接端和若干第四连接端，若干第三连接端与若干第四连接端一一电性连接，第三电路板的另一侧设有用于连接外部电路的若干第三电极和若干第四电极；第三连接端与第三电极电性连接；第四连接端与第二电极电性连接；第四电极与第二连接端电性连接。本发明的技术方案涉及半导体技术领域，通过形成共阴或共阳电路连接，单独控制每个封装电极组件。
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公开(公告)号：CN114823942B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210764171.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装结构和封装方法，涉及半导体封装技术领域，该半导体封装结构包括基板、支架、半导体元件、透光部件和连接部，基板包括底板以及围设在底板周围的侧壁，侧壁和底板围成容纳空间，底板的顶面和底面均设置有导电层；支架位于容纳空间内并安装于底板的顶面的导电层上，支架为导电材料制件；半导体元件安装于支架上；透光部件盖设于基板上，透光部件包括透光件以及围设在透光件周围的金属连接件，金属连接件的底面与侧壁的顶面抵接；连接部分别与侧壁和金属连接件连接，连接部位于透光件的径向延长线上，用以封闭容纳空间。采用高能量束焊接，可以不用将基板置于高温环境中，避免了换气通道的产生，确保容纳空间的密封性。
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公开(公告)号：CN114824040A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210764365.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装器件，涉及器件封装领域，所述半导体封装器件包括：基板，所述基板一侧上设置有结构槽，所述基板上设置有两个通孔；发光器件，包括器件本体和设置在器件本体上的两个电极，两个所述电极与两个所述通孔一一配合，且所述器件本体通过所述电极设置于所述基板上；封装层，所述封装层设置在所述基板具有所述结构槽的一侧，且所述封装层覆盖于所述发光器件和结构槽，所述封装层的材质为氟树脂材料或旋涂玻璃材料。结构槽能够很好的增强封装层与基板的结合力，由于氟树脂材料或旋涂玻璃材料具备高透光性以及内部键能高的特性，所以本方案的半导体封装器件可以适用的发光器件的种类非常广且透光性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119401212A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510001160.6
申请日：2025-01-02
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及光电子器件技术领域，尤其涉及一种多波长激光封装器件和检测设备，该多波长激光封装器件包括：自下而上依次设置的基板、围坝以及透光材料；多波长激光封装器件还包括：反射构件和多颗激光芯片；反射构件的中心设置在围坝形成的腔体底部中心，各激光芯片对称设置在反射构件的两侧；多颗激光芯片用于发出至少一种波长的激光照射到反射构件的入射点；反射构件用于对各激光芯片发出的激光进行反射，通过透光材料发射向外界，并在距离芯片预设固定距离处汇聚。通过集成多颗激光芯片发出的不同波长激光经由反射构件在固定距离汇聚，实现多波长激光的同时检测，有利于便携化设计。
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公开(公告)号：CN114824040B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210764365.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装器件，涉及器件封装领域，所述半导体封装器件包括：基板，所述基板一侧上设置有结构槽，所述基板上设置有两个通孔；发光器件，包括器件本体和设置在器件本体上的两个电极，两个所述电极与两个所述通孔一一配合，且所述器件本体通过所述电极设置于所述基板上；封装层，所述封装层设置在所述基板具有所述结构槽的一侧，且所述封装层覆盖于所述发光器件和结构槽，所述封装层的材质为氟树脂材料或旋涂玻璃材料。结构槽能够很好的增强封装层与基板的结合力，由于氟树脂材料或旋涂玻璃材料具备高透光性以及内部键能高的特性，所以本方案的半导体封装器件可以适用的发光器件的种类非常广且透光性好。
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公开(公告)号：CN114188461A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111487880.6
申请日：2021-12-06
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及紫外LED封装技术领域，涉及一种紫外封装器件。紫外封装器件包括基板、内壳、外壳、镜片。内壳围设于基板，内壳的内表面贴合于基板的上表面，内壳于基板的上表面形成安装凹槽，外壳围设于基板与内壳外部，并贴合于内壳的上表面，外壳于内壳的上方设有镜片，镜片将安装槽密封，其中，紫外LED设于安装凹槽内，内壳与外壳的由紫外反射材料形成。通过内壳与外壳层层包覆于基板，于基板上形成狭小的安装凹槽，以将紫外LED设置于该安装凹槽内，降低深紫外光的吸收概率，减小光损失，从而提高光的提取效率。
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公开(公告)号：CN119208498A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411127485.0
申请日：2024-08-16
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了发光二极管及其制备方法，发光二极管包括底板、侧板、反射件、透光件和紧固件，其中反射件内置于LED封装体中，取代传统的反射杯，可以低成本地形成高紫外反射侧壁，提高倒装芯片封装的光取出效率。并且，可以通过调整反射件的反射部的角度，配合透光件的结构，形成不同的发光角度，适应不同的应用场景。再者，采用热铆接技术固定所述透光件、反射件、侧板与底板，一方面增加结构强度，另一方面，避免发光装置发射的光高强度、长期照射的光劣化。
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公开(公告)号：CN116364832A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211665676.3
申请日：2022-12-23
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院
Abstract: 本发明公开一种半导体封装结构及发光装置，其中，半导体封装结构包括基座、紫外发光芯片和含氟透光层；基座设有凹槽；紫外发光芯片设于凹槽的底部；含氟透光层位于凹槽内；含氟透光层覆盖于紫外发光芯片上。本发明的技术方案通过在凹槽内设置覆盖于紫外发光芯片上的含氟透光层；由于含氟透光层远离紫外发光芯片的一侧形成有空气层，而含氟透光层的透射率高于空气层的折射率，含氟透光层可增加光线射入至含氟透光层后进入空气层的光量；因此，含氟透光层具有提高紫外发光芯片光提取率的作用，进而实现提升半导体封装结构的整体发光亮度的目的。
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