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公开(公告)号：CN114188461B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202111487880.6
申请日：2021-12-06
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10H20/85 , H10H20/856 , H10H20/857 , H10H20/852
Abstract: 本发明涉及紫外LED封装技术领域，涉及一种紫外封装器件。紫外封装器件包括基板、内壳、外壳、镜片。内壳围设于基板，内壳的内表面贴合于基板的上表面，内壳于基板的上表面形成安装凹槽，外壳围设于基板与内壳外部，并贴合于内壳的上表面，外壳于内壳的上方设有镜片，镜片将安装槽密封，其中，紫外LED设于安装凹槽内，内壳与外壳的由紫外反射材料形成。通过内壳与外壳层层包覆于基板，于基板上形成狭小的安装凹槽，以将紫外LED设置于该安装凹槽内，降低深紫外光的吸收概率，减小光损失，从而提高光的提取效率。
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公开(公告)号：CN115632100B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211660516.X
申请日：2022-12-23
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院
Abstract: 本发明公开一种矩阵式半导体的电路结构及其封装结构、发光装置，其中矩阵式半导体的电路结构包括：第一电路板设有若干封装电极组件，封装电极组件包括第一电极和第二电极；第二电路板设有相互电性连接的若干第一连接端和若干第二连接端，第一连接端与第一电极电性连接；第三电路板的一侧设有若干第三连接端和若干第四连接端，若干第三连接端与若干第四连接端一一电性连接，第三电路板的另一侧设有用于连接外部电路的若干第三电极和若干第四电极；第三连接端与第三电极电性连接；第四连接端与第二电极电性连接；第四电极与第二连接端电性连接。本发明的技术方案涉及半导体技术领域，通过形成共阴或共阳电路连接，单独控制每个封装电极组件。
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公开(公告)号：CN114823942B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210764171.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装结构和封装方法，涉及半导体封装技术领域，该半导体封装结构包括基板、支架、半导体元件、透光部件和连接部，基板包括底板以及围设在底板周围的侧壁，侧壁和底板围成容纳空间，底板的顶面和底面均设置有导电层；支架位于容纳空间内并安装于底板的顶面的导电层上，支架为导电材料制件；半导体元件安装于支架上；透光部件盖设于基板上，透光部件包括透光件以及围设在透光件周围的金属连接件，金属连接件的底面与侧壁的顶面抵接；连接部分别与侧壁和金属连接件连接，连接部位于透光件的径向延长线上，用以封闭容纳空间。采用高能量束焊接，可以不用将基板置于高温环境中，避免了换气通道的产生，确保容纳空间的密封性。
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公开(公告)号：CN116364832A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211665676.3
申请日：2022-12-23
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院
Abstract: 本发明公开一种半导体封装结构及发光装置，其中，半导体封装结构包括基座、紫外发光芯片和含氟透光层；基座设有凹槽；紫外发光芯片设于凹槽的底部；含氟透光层位于凹槽内；含氟透光层覆盖于紫外发光芯片上。本发明的技术方案通过在凹槽内设置覆盖于紫外发光芯片上的含氟透光层；由于含氟透光层远离紫外发光芯片的一侧形成有空气层，而含氟透光层的透射率高于空气层的折射率，含氟透光层可增加光线射入至含氟透光层后进入空气层的光量；因此，含氟透光层具有提高紫外发光芯片光提取率的作用，进而实现提升半导体封装结构的整体发光亮度的目的。
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公开(公告)号：CN115632100A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211660516.X
申请日：2022-12-23
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院
Abstract: 本发明公开一种矩阵式半导体的电路结构及其封装结构、发光装置，其中矩阵式半导体的电路结构包括：第一电路板设有若干封装电极组件，封装电极组件包括第一电极和第二电极；第二电路板设有相互电性连接的若干第一连接端和若干第二连接端，第一连接端与第一电极电性连接；第三电路板的一侧设有若干第三连接端和若干第四连接端，若干第三连接端与若干第四连接端一一电性连接，第三电路板的另一侧设有用于连接外部电路的若干第三电极和若干第四电极；第三连接端与第三电极电性连接；第四连接端与第二电极电性连接；第四电极与第二连接端电性连接。本发明的技术方案涉及半导体技术领域，通过形成共阴或共阳电路连接，单独控制每个封装电极组件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115172345A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210605362.8
申请日：2022-05-31
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种应用于UV固化的光源模块和制作方法，该应用于UV固化的光源模块包括基板和晶圆，基板包括主体以及间隔设置在主体上的第一电极和第二电极；晶圆包括第三电极和间隔设置于第三电极上的多个晶粒，各晶粒均包括相互电连接的第四电极和发光结构，第三电极与发光结构电连接，第三电极背离发光结构的一侧与第一电极电连接，各第四电极均与第二电极电连接，晶粒为垂直结构，第三电极和第四电极分别设置于发光结构相对的两侧，各第四电极均包括子电极以及间隔设置在子电极一侧的至少两个金属件，子电极与发光结构连接，以使晶粒通过金属件与第二电极连接。将晶粒制备成晶圆级的阵列模式，单位面积晶粒密度增多，提升输出的光功率密度。
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公开(公告)号：CN114823942A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210764171.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装结构和封装方法，涉及半导体封装技术领域，该半导体封装结构包括基板、支架、半导体元件、透光部件和连接部，基板包括底板以及围设在底板周围的侧壁，侧壁和底板围成容纳空间，底板的顶面和底面均设置有导电层；支架位于容纳空间内并安装于底板的顶面的导电层上，支架为导电材料制件；半导体元件安装于支架上；透光部件盖设于基板上，透光部件包括透光件以及围设在透光件周围的金属连接件，金属连接件的底面与侧壁的顶面抵接；连接部分别与侧壁和金属连接件连接，连接部位于透光件的径向延长线上，用以封闭容纳空间。采用高能量束焊接，可以不用将基板置于高温环境中，避免了换气通道的产生，确保容纳空间的密封性。
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公开(公告)号：CN114203888A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111291300.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 佛山中科产业技术研究院 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及紫外LED封装技术领域，涉及一种紫外LED封装器件。紫外LED封装器件包括基板、外壳、镜片。基板上设有金属镀层。外壳围设于基板，并连接于金属镀层，基板与外壳围设形成安装槽。外壳背离基板的一侧设有镜片，镜片将安装槽密封。其中，紫外LED设于安装槽内，安装槽内设有反射层。通过基板与外壳的无机连接，以及在安装槽内设置反射层，使得基板、外壳、以及镜片采用无机的连接方式组装形成紫外LED封装器件，加强紫外LED封装器件的抗老化能力，并且在安装槽内设置反射层，提高紫外LED封装器件的光提取效率。
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公开(公告)号：CN114203888B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111291300.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 佛山中科产业技术研究院 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及紫外LED封装技术领域，涉及一种紫外LED封装器件。紫外LED封装器件包括基板、外壳、镜片。基板上设有金属镀层。外壳围设于基板，并连接于金属镀层，基板与外壳围设形成安装槽。外壳背离基板的一侧设有镜片，镜片将安装槽密封。其中，紫外LED设于安装槽内，安装槽内设有反射层。通过基板与外壳的无机连接，以及在安装槽内设置反射层，使得基板、外壳、以及镜片采用无机的连接方式组装形成紫外LED封装器件，加强紫外LED封装器件的抗老化能力，并且在安装槽内设置反射层，提高紫外LED封装器件的光提取效率。
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公开(公告)号：CN114824040A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210764365.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装器件，涉及器件封装领域，所述半导体封装器件包括：基板，所述基板一侧上设置有结构槽，所述基板上设置有两个通孔；发光器件，包括器件本体和设置在器件本体上的两个电极，两个所述电极与两个所述通孔一一配合，且所述器件本体通过所述电极设置于所述基板上；封装层，所述封装层设置在所述基板具有所述结构槽的一侧，且所述封装层覆盖于所述发光器件和结构槽，所述封装层的材质为氟树脂材料或旋涂玻璃材料。结构槽能够很好的增强封装层与基板的结合力，由于氟树脂材料或旋涂玻璃材料具备高透光性以及内部键能高的特性，所以本方案的半导体封装器件可以适用的发光器件的种类非常广且透光性好。
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