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公开(公告)号：CN115719708A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110985191.1
申请日：2021-08-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院
IPC: H01L21/34 , H01L31/18 , H01L21/683 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3薄膜材料及其柔性器件的制备方法。所述Ga2O3薄膜的制备方法包括：在第一衬底上生长形成AlN层，所述AlN层能够被AlN腐蚀液蚀刻去除；直接在所述AlN层上生长形成Ga2O3薄膜。本发明实施例提供的一种大面积Ga2O3器件的制备方法得到的器件尺寸可控、位置可控，且可以阵列化制备；以及，本发明实施例提供的Ga2O3薄膜材料可以用于制作柔性的电子器件或光电器件，本发明实施例提供的一种大面积Ga2O3柔性器件的制备方法，降低了Ga2O3柔性器件制备的复杂度，提高了Ga2O3柔性器件的可控性和良品率。
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公开(公告)号：CN113740387B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202010481770.8
申请日：2020-05-29
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓气敏传感器及其制备方法和应用。所述氧化镓气敏传感器包括：包括氧化镓纳米柱阵列和二维导电材料，所述氧化镓纳米柱阵列包括间隔分布的多根氧化镓纳米柱，所述氧化镓纳米柱站立设置，所述二维导电材料连续覆盖氧化镓纳米柱阵列，并且所述二维导电材料与氧化镓纳米柱阵列配合形成异质结，所述氧化镓纳米柱阵列、二维导电材料还分别与第一电极、第二电极电连接。本发明提供的氧化镓气敏传感器，包括多个垂直于导电衬底表面的氧化镓纳米柱，具有更高效的材料利用率，进而可以和更多的气体分子充分接触反应，有利于器件气敏性能的提升及其微型化进程。
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公开(公告)号：CN113823707A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010492327.0
申请日：2020-06-03
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/12
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化镓与氮化镓的集成式器件及其制备方法。所述集成式器件包括依次叠设在沟道层上的势垒层、第一缓冲层和日盲紫外功能层；所述势垒层表面的局部区域从第一缓冲层和日盲紫外功能层中暴露出；所述势垒层表面的局部区域上设置有第一电极、第二电极和第三电极，以配合形成功率电子器件单元；所述日盲紫外功能层上设置有第四电极和第五电极，以配合形成日盲紫外光电子器件单元。本发明提供的集成式器件，可实现氧化镓日盲紫外光电子器件与氮化镓功率电子器件芯片集成，不仅能够实现两种器件的单一功能，还能综合两者优势，适用于某些特定领域。
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公开(公告)号：CN113823707B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202010492327.0
申请日：2020-06-03
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/12
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化镓与氮化镓的集成式器件及其制备方法。所述集成式器件包括依次叠设在沟道层上的势垒层、第一缓冲层和日盲紫外功能层；所述势垒层表面的局部区域从第一缓冲层和日盲紫外功能层中暴露出；所述势垒层表面的局部区域上设置有第一电极、第二电极和第三电极，以配合形成功率电子器件单元；所述日盲紫外功能层上设置有第四电极和第五电极，以配合形成日盲紫外光电子器件单元。本发明提供的集成式器件，可实现氧化镓日盲紫外光电子器件与氮化镓功率电子器件芯片集成，不仅能够实现两种器件的单一功能，还能综合两者优(56)对比文件焦腾;李赜明;王谦;董鑫;张源涛;柏松;张宝林;杜国同.Ga_2O_3/GaN/蓝宝石模板上β-Ga_2O_3薄膜的生长《.发光学报》.2020,(03),全文.
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公开(公告)号：CN113740387A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010481770.8
申请日：2020-05-29
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓气敏传感器及其制备方法和应用。所述氧化镓气敏传感器包括：包括氧化镓纳米柱阵列和二维导电材料，所述氧化镓纳米柱阵列包括间隔分布的多根氧化镓纳米柱，所述氧化镓纳米柱站立设置，所述二维导电材料连续覆盖氧化镓纳米柱阵列，并且所述二维导电材料与氧化镓纳米柱阵列配合形成异质结，所述氧化镓纳米柱阵列、二维导电材料还分别与第一电极、第二电极电连接。本发明提供的氧化镓气敏传感器，包括多个垂直于导电衬底表面的氧化镓纳米柱，具有更高效的材料利用率，进而可以和更多的气体分子充分接触反应，有利于器件气敏性能的提升及其微型化进程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115706013A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110918513.0
申请日：2021-08-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种黑磷柔性场效应晶体管及其制备方法。所述制备方法包括：对氮化硼层表面进行等离子体处理，以在氮化硼层表面形成黑磷的成核位点；在所述氮化硼层上原位生长黑磷层，形成黑磷二维材料外延结构；以及制作与所述黑磷二维材料外延结构配合的源极、漏极和栅极，形成黑磷柔性场效应晶体管，其中所述黑磷层作为沟道层。本发明实施例提供的一种黑磷柔性场效应晶体管的制作方法，采用氮化硼作为剥离层可以得到晶圆级别大小的大面积黑磷二维材料，并可以整个转移至柔性衬底上，无须人工依次挑选合适的黑磷材料。
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公开(公告)号：CN109920875B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201711314615.1
申请日：2017-12-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种日盲紫外探测器、其制作方法与应用。所述探测器包括：阵列结构，其包括复数个间隔设置的微结构体，所述微结构体由宽带系半导体材料形成；高迁移率薄膜，其与所述阵列结构的一端面电性接触，并与所述阵列结构配合形成肖特基异质结；以及电极，其与所述高迁移率薄膜电连接。本发明的日盲紫外探测器通过采用氧化镓纳米柱阵列等与石墨烯等高迁移率薄膜配合，有效提高了器件实际受光面积，促进电子空穴光生载流子对的产生，增大光电流，从而有效提高器件响应度、降低驰豫时间，对于减小器件尺寸，实现器件的小型化、集成化有着巨大的潜力。
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公开(公告)号：CN113702447A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010445659.3
申请日：2020-05-22
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓纳米结构器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在氧化镓薄膜上沉积金属镓，使所述氧化镓薄膜表面的多个区域被所述金属镓腐蚀，从而在所述氧化镓薄膜上形成多个纳米孔；以及制作与所述氧化镓薄膜相配合的电极。本发明提供的制备方法，利用金属镓腐蚀氧化镓薄膜形成纳米孔，获得的纳米孔薄膜具有更大的比表面积，从而可吸附更多环境中待检测的气体分子，并且有利于减小器件尺寸，实现高集成度、微型化、低功耗的探测器件；该纳米结构的制备工艺无需额外的半导体加工设备进行刻蚀或腐蚀，有利于降低成本，且此工艺为原位腐蚀工艺，不引入新的表面态、界面态，无外界污染，具有低损伤、无界面污染等特点。
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公开(公告)号：CN110649098B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201810682762.2
申请日：2018-06-27
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米阵列的弹道输运垂直型晶体管及其制作方法。所述基于纳米阵列的弹道输运垂直型晶体管包括一个以上半导体纳米凸起部、源极、漏极和栅极，所述半导体纳米凸起部包含导电沟道，所述源极、栅极、漏极沿所述半导体纳米凸起部的长度方向依次间隔设置，所述源极与漏极通过所述导电沟道电连接，所述栅极环绕所述半导体纳米凸起部设置，并且所述栅极与所述半导体纳米凸起部配合形成肖特基异质结，所述导电沟道的有效长度小于载流子平均自由程。由于弹道输运特性的存在，使得载流子在传输过程中不受各种散射机制影响，基于此得到具有更低导通电阻、更少工作能耗、更快工作频率和更小器件尺寸的晶体管。
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公开(公告)号：CN109920850A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201711319077.5
申请日：2017-12-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于Ⅲ族氧化物钝化的增强型晶体管及其制作方法。所述制作方法包括：在衬底上生长形成异质结，其包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且异质结中形成有二维电子气；在第二半导体上形成盖帽层，其包括掺杂区和钝化区，所述掺杂区由第三半导体组成并被栅极完全掩盖，钝化区分布于栅极与漏极之间以及栅极与源极之间，所述第三半导体用于将异质结内分布于栅下区域的二维电子气耗尽；制作源极、漏极以及栅极。本发明的增强型晶体管可避免刻蚀P型掺杂区引起的均匀性、重复性和引入损伤问题，还可避免氢等离子体钝化形成的高阻层在高温下可能重新被激活引起的器件可靠性问题。
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