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公开(公告)号：CN119208498A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411127485.0
申请日：2024-08-16
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了发光二极管及其制备方法，发光二极管包括底板、侧板、反射件、透光件和紧固件，其中反射件内置于LED封装体中，取代传统的反射杯，可以低成本地形成高紫外反射侧壁，提高倒装芯片封装的光取出效率。并且，可以通过调整反射件的反射部的角度，配合透光件的结构，形成不同的发光角度，适应不同的应用场景。再者，采用热铆接技术固定所述透光件、反射件、侧板与底板，一方面增加结构强度，另一方面，避免发光装置发射的光高强度、长期照射的光劣化。
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公开(公告)号：CN117219490A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210628253.8
申请日：2022-06-02
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种准分子灯及其制备方法。所述准分子灯包括：两个放电单元，每一放电单元包括一灯壳，每一灯壳内部均具有放电空间，所述放电空间内封入有能够产生准分子放电的气体，且每一灯壳的至少局部区域可透射准分子发射的紫外光；第一电极和第二电极，均位于所述放电单元外部，其中第一电极设置于两个放电单元之间，且第一电极在厚度方向上的两侧表面分别与一灯壳的第一外表面无缝接触，每一灯壳的第二外表面上设有一第二电极，每一第二电极隔着一放电空间与第一电极相对设置；所述第一电极用于与高频高压电源电连接。本发明的准分子灯具有电极寿命更长、产生臭氧更少、空间更紧凑等优点。
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公开(公告)号：CN119029120A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411041168.7
申请日：2024-07-31
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种半导体封装结构和发光器件，涉及半导体封装技术领域；其中，半导体封装结构包括含氟透光层、发光芯片和基座；所述发光芯片的外周壁相对于所述发光芯片的中心线倾斜，以使所述发光芯片的外周壁到所述中心线的距离，沿所述发光芯片的下表面至所述发光芯片的上表面逐渐减小；所述含氟透光层铺设于所述发光芯片，并与所述发光芯片的上表面、外周壁相互抵接；所述发光芯片、所述含氟透光层均位于所述基座内。本发明提供的技术方案可以提升半导体封装结构的光提取效率。
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公开(公告)号：CN114779383A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210352884.1
申请日：2022-04-01
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种对人体安全的紫外线照射装置，其包括：壳体，其具有至少一个光取出窗口；紫外光源，其被收容在所述壳体内部，并且由所述紫外光源发射的光包含具有指定波长的第一紫外光；光过滤器，其与光取出窗口配合设置，并允许第一紫外光透过；微反射结构，其设置在所述壳体内部，用于将传输方向偏离光取出窗口的第一紫外光中的至少一部分反射入光取出窗口。本发明的紫外线照射装置的出光效率高，且宏观形状、尺寸、结构不受限制，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN119401212A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510001160.6
申请日：2025-01-02
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及光电子器件技术领域，尤其涉及一种多波长激光封装器件和检测设备，该多波长激光封装器件包括：自下而上依次设置的基板、围坝以及透光材料；多波长激光封装器件还包括：反射构件和多颗激光芯片；反射构件的中心设置在围坝形成的腔体底部中心，各激光芯片对称设置在反射构件的两侧；多颗激光芯片用于发出至少一种波长的激光照射到反射构件的入射点；反射构件用于对各激光芯片发出的激光进行反射，通过透光材料发射向外界，并在距离芯片预设固定距离处汇聚。通过集成多颗激光芯片发出的不同波长激光经由反射构件在固定距离汇聚，实现多波长激光的同时检测，有利于便携化设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119486420A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411446852.3
申请日：2024-10-16
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10H20/856 , H01L25/075 , H10H29/24 , H10H29/856
Abstract: 本发明公开了一种高光功率密度紫外光源，包括：基板，所述基板上设有电路层；若干芯片，若干所述芯片设于所述基板上，且所述芯片的电极与所述电路层电连接；反射件，所述反射件围绕在所述芯片的周围，且所述反射件的高度大于所述芯片的高度；透光件，所述透光件设于所述芯片和所述反射件的上方。本发明能够提高高光功率密度紫外光源的光照密度和强度。
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公开(公告)号：CN218414480U
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202221385847.2
申请日：2022-06-02
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种准分子灯，其包括：两个放电单元，每一放电单元包括一灯壳，每一灯壳内部均具有放电空间，所述放电空间内封入有能够产生准分子放电的气体，且每一灯壳的至少局部区域可透射准分子发射的紫外光；第一电极和第二电极，均位于所述放电单元外部，其中第一电极设置于两个放电单元之间，且第一电极在厚度方向上的两侧表面分别与一灯壳的第一外表面无缝接触，每一灯壳的第二外表面上设有一第二电极，每一第二电极隔着一放电空间与第一电极相对设置；所述第一电极用于与高频高压电源电连接。本实用新型的准分子灯具有电极寿命更长、产生臭氧更少、空间更紧凑等优点。
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公开(公告)号：CN216927133U
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202220767955.X
申请日：2022-04-01
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种对人体安全的紫外线照射装置，其包括：壳体，其具有至少一个光取出窗口；紫外光源，其被收容在所述壳体内部，并且由所述紫外光源发射的光包含具有指定波长的第一紫外光；光过滤器，其与光取出窗口配合设置，并允许第一紫外光透过；微反射结构，其设置在所述壳体内部，用于将传输方向偏离光取出窗口的第一紫外光中的至少一部分反射入光取出窗口。本实用新型的紫外线照射装置的出光效率高，且宏观形状、尺寸、结构不受限制，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN105336790B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201410400438.9
申请日：2014-08-14
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。该晶体管采用顶栅底接触式结构，包括有源层、源电极、漏电极、绝缘层和栅电极，其中绝缘层与有源层之间还设有界面修饰层；该晶体管的制备方法包括：在基底上设置有源层；在所述有源层表面设置源电极和漏电极；在所述有源层表面及源电极和漏电极上修饰界面修饰材料，形成界面修饰层；在所述界面修饰层上设置绝缘层；以及，在所述绝缘层上设置栅电极。本发明通过对薄膜晶体管中的有源层进行界面修饰，能够极大的降低晶体管的关态电流，并提高开关比，同时通过采用顶栅底接触式的结构，还使得晶体管的稳定性得到很大的提高。
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公开(公告)号：CN108695136A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710218074.6
申请日：2017-04-05
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/02 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜的制作方法，包括：对基底进行疏水处理，获得改性基底；配制电子墨水：向氧化物半导体的前驱体溶液中加入功能试剂，获得电子墨水；该功能试剂兼具亲水性和提高粘度作用；将电子墨水印刷在改性基底的表面，形成墨滴；待墨滴干燥后，对墨滴进行退火处理，在改性基底上获得氧化物半导体薄膜。该制作方法可形成小尺寸、少厚度的氧化物半导体薄膜；同时，避免使用真空设备及光刻工艺，有效减少了制作成本。基于该氧化物半导体薄膜的制作方法，本发明还提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法，将上述氧化物半导体薄膜用作有源层，可以在单位面积上最大化地集成更多的氧化物薄膜晶体管，满足了显示背板的高像素需求。
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