公开(公告)号：CN114978101A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210571685.X

申请日：2022-05-24

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  滕洪菠 ,  王方 ,  张迎 ,  袁军 ,  夏旭 ,  丁辉 ,  稅绍林 ,  张涛洪

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/02 ,  H03H9/145

Abstract: 本发明请求保护一种温度补偿型声表面波滤波器，其包括滤波器压电基底、金属电极、SiO2温度补偿层和ZnO温度补偿层；其中金属电极位于压电基底上，SiO2温度补偿层位于压电基底上且不与金属电极重合的部分，ZnO温度补偿层位于SiO2温度补偿层上。本发明在0.2λ(λ为叉指周期)厚度的SiO2薄膜上覆盖ZnO薄膜，通过增加ZnO薄膜厚度，改善器件温度稳定性；当ZnO薄膜厚度为0.2λ时，即总膜厚为0.4λ时，频率温度系数(TCF)为‑9.94ppm/℃。在频率温度系数≤‑10ppm/℃的情况下，本发明相比于传统的温度补偿型声表面波滤波器，总膜厚减少了27％，器件性能也得到改善。

公开(公告)号：CN114826202A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210563669.6

申请日：2022-05-23

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  谭纪伟 ,  王方 ,  滕洪菠 ,  张迎

IPC: H03H9/64 ,  G06F30/367

Abstract: 本发明请求保护一种基于有限元和COM模型的DMS滤波器设计方法，属于电子元件设计领域。包括利用COMSOL中提取COM参数，随后利用SimplyFortran建立DMS滤波器的COM模型并计算结构参数的方法。其提取COM耦合模型参数的计算方法包括模态分析和频域分析，其中模态分析求得反射系数，中心频率，声表面波波速以及机电耦合系数；频域分析求得换能系数，以及静电容。随后利用提取的COM参数在Simply Fortran中计算滤波器的电极厚度，输入输出叉指对数(Interdigital Transducer,IDT)，反射栅数量等参数。本发明目在于能够利用COMSOL仿真的方式提取COM模型参数，不采用实验的方式进行参数提取，缩短了设计时间，提高了设计效率。最后利用COM参数在SimplyFortran中便捷的设计出DMS滤波器，并得到其散射参数(S21)。

公开(公告)号：CN114759896A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210362608.3

申请日：2022-04-07

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  周杨春 ,  王方 ,  谭纪伟 ,  滕洪菠

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/64 ,  G06F30/23

Abstract: 本发明请求保护一种用于抑制声表面波器件横向模干扰的反射栅设计，属于声表面波滤波器技术领域，其包括IDT型反射栅的结构设计和采用该反射栅结构的谐振器的有限元仿真方法。本发明的目的在于降低声表面波滤波器的传播损耗和带内横向模式的干扰以优化带内波动，降低插损。创新点在于，本方案提出的反射栅结构在插入损耗和带内波动都小于1dB的高性能声表面器件基础上，进一步有效地降低了带内波动和插入损耗。相对于常用的短路反射栅结构，对于谐振器和一阶梯形滤波器，该反射栅结构将带内最大尖峰损耗分别降低了8.84％和35.36％。

公开(公告)号：CN112669805B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011466652.6

申请日：2020-12-14

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 袁军 ,  李军 ,  孟祥胜 ,  赵强 ,  王巍 ,  赵汝法

IPC: G10K11/178

Abstract: 本发明请求保护一种基于方程误差算法的燃气站内压缩机有源噪声控制系统。主要包括2个部分：(1)主动噪声控制系统的硬件平台(2)一种新的自适应算法设计。本发明目的在于针对燃气站内压缩机搭建可靠的硬件平台，并将一种新的自适应算法运用在该系统。创新点在于对降噪系统的硬件进行了规范和可靠的设计，并且系统设计的自适应算法相比较传统的自适应算法，在系统的收敛速度、降噪性能、计算复杂度等都具有明显优势。本发明不仅在压缩机这种高噪声环境下能得到较好效果，而且易于移植到其他场景中进行实现。

公开(公告)号：CN114337604A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111623826.X

申请日：2021-12-28

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 袁军 ,  孟祥胜 ,  赵强 ,  李军 ,  王巍 ,  王冠宇 ,  李勤

IPC: H03H21/00 ,  H03H17/02

Abstract: 本发明请求保护一种基于FPGA的细粒度两并行Systolic FxLMS滤波器设计方法。主要包括3个部分：(1)Systolic FxLMS滤波器设计(2)两并行Systolic FxLMS滤波器设计(3)细粒度两并行Systolic FxLMS滤波器设计。本发明创新点在于研究了细粒度两并行Systolic FxLMS算法在主动降噪耳机中实现的可行性，改善了FxLMS滤波器的收敛性、吞吐量和功耗，该结构在相同的频率下吞吐量是传统结构的2倍，且收敛性接近Systolic FxLMS算法；所提出的8抽头滤波器结构与现有最佳结构相比时钟速度提高52.17％，功耗降低9.28％。

公开(公告)号：CN110690884B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN201910882377.7

申请日：2019-09-18

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 袁军 ,  唐晓斌 ,  周怡 ,  王巍 ,  赵汝法

IPC: H03K17/687 ,  H03M1/12

Abstract: 本发明请求保护一种采用CMOS传输门的栅压自举开关电路，包括开关管、控制逻辑电路、自举电容和负载电容。控制逻辑电路包括NMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12，自举电容包括电容C1和C2，本发明目的在于提高开关电路的线性度和信噪比。创新在于使用CMOS传输门(M6和M7)将输入电压反馈到开关管的栅极，使得开关管的栅源电压保持恒定，使NMOS开关管在采样阶段成为一个定值电阻，从而实现一种高性能的栅压自举开关电路。

公开(公告)号：CN112664430A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011466645.6

申请日：2020-12-14

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 袁军 ,  李军 ,  赵强 ,  孟祥胜 ,  王巍 ,  赵汝法

IPC: F04B39/00

Abstract: 本发明请求保护一种燃气站压缩机有源噪声控制装置，设计压缩机噪声控制技术领域，包括压缩机本体以及设置在该压缩机主要噪点部位的噪声信号采集模块、抗噪声信号计算模块、音频信号处理模块以及次级路径噪声的产生模块，其中所述的噪声信号采集模块与音频信号处理模块相连接，所述的次级路径噪声产生模块和抗噪声信号计算模块与音频信号处理模块相连。该燃气站内压缩机有源噪声控制装置对低频噪声有良好的控制特性，降噪效果极佳，同时体积小，成本低，重量轻。

公开(公告)号：CN111722665A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010524015.3

申请日：2020-06-10

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 赵汝法 ,  邹沛哲 ,  张定冬 ,  王巍 ,  袁军

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明请求保护一种应用于高速度高精度电流舵DAC的单位电流源电路。该电路主要包括一个同步低压低交叉点差分控制驱动信号产生电路，一个带隙基准与电压管理电路以及单位电流产生电路。所述同步低压低交叉点差分控制驱动信号产生电路与单位电流产生电路相连接，所述单位电流产生电路与带隙基准与电压管理电路相连接，其中，所述同步低压低交叉点差分控制驱动信号产生电路用于产生同步的低电压低交叉点的差分信号，防止差分开关同时关闭使电流源不稳定的情况发生，所述带隙基准与电压管理电路用于提供稳定的不随温度变化的基准电压，经过简单的电压变化后得到单位电流源的偏置电压，以及得到同步低压低交叉点差分控制驱动信号产生电路的低电压；所述单位电流产生电路产生稳定、精确、适用频宽广的单位电流。与传统的单位电流源相比得到的输出电流更加稳定，精度更高，适用的工作频率更宽。

公开(公告)号：CN108346711B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201810129982.2

申请日：2018-02-08

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 唐政维 ,  华伟 ,  王巍 ,  王冠宇 ,  杨庆荣

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，特别涉及一种改进的垂直结构光电探测器的制造方法，本发明通过将光电探测器芯片的下电极焊接在基板上，光电探测器芯片的上电极通过金丝连接到放大电路；本发明使光通过侧面进入本征I层不存在重掺杂死区和金属电极挡光问题，降低了光损失，减少了复合，提高了响应度，并且PN结在半导体体内，减小了探测器表面漏电流提高了光电探测器的反向击穿电压，同时，PN结面积主要为平行平面结面积，有效的减小了光电探测器总的PN结电容面积，减小了寄生RC时间常数，从而提高了器件的响应速度。

公开(公告)号：CN106847960B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201710058637.X

申请日：2017-01-23

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  鲍孝圆 ,  陈丽 ,  陈婷 ,  王冠宇 ,  袁军

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明请求保护一种采用p+n阱型二极管结构，同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管光电探测效率；采用合适的光窗口面积和过偏压，以获得较高的光电探测效率；通过调节其他的工艺和结构参数，可对器件的光电探测效率进行进一步的优化设计。扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性影响较大，保护环宽度在0.8‑1.5μm时，器件的击穿特性较好；确定好器件的探测效率和击穿电压后，通过对器件的参数进行进一步的优化设计，可以得到较好的频率响应特性。单光子雪崩二极管器件扩散n阱保护环宽度为1μm时，雪崩击穿电压为13.2V。窗口面积直径为20μm，过偏压为1V最大探测效率高达37％；窗口面积直径为10μm，过偏压为1V时最大探测效率高达52％，过偏压为2V时最大探测效率高达55％。