一种应用于电压隔离的斩波运算放大电路

    公开(公告)号:CN115425937A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202211006536.5

    申请日:2022-08-22

    Abstract: 本发明请求保护一种应用于电压隔离的斩波运算放大电路,该电路主要包括跨导放大器amp1、amp2、amp3、amp4,amp5,斩波调制电路CHIN、CHOUT、CHfb、CHRRL,电容Cin1、Cin2、Cfb1、Cfb2、Cs1、Cs2、Cm1、Cm21a、Cm21b、Cm22a、Cm22b,电阻res1、res2,斩波调制信号fchop。斩波调制电路CHIN将高压端输入而来的模拟电压信号调制到频率为fchop的电压信号并通过隔离电容Cin1、Cin2耦合到低压端,低压端的偏置电阻res1、res2为低压端输入跨导放大器amp1重新提供直流偏置信号,CHOUT会将跨导放大器amp1的失调电压VOFFSET和1/f噪声调制到高频,同时将amp1的输出电流信号重新调制为从高压端输入的频率,最后输出电压的大小为输入信号Vout=Vin×(Cfb/Cin),纹波消除环消除跨导放大器amp1、amp2、amp3失调电压产生的纹波。

    基于GCNN-LSTM模型的ECG心律失常分类方法及系统

    公开(公告)号:CN116350234A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310378857.6

    申请日:2023-04-10

    Abstract: 本发明请求保护一种基于GCNN‑LSTM模型的ECG心律失常分类方法及系统。心电信号预处理阶段对ECG信号进行噪声滤除、波段检测以及心拍分割;基于遗传算法的分类模型搭建阶段利用遗传算法在较小范围内搜寻优化CNN‑LSTM心律失常分类模型参数配置,其中遗传算法采用特定的选择和交叉策略来保证算法收敛于全局最优解;模型训练与评估阶段对分类模型进行训练与性能检验。本发明利用ECG信号进行心律失常类型判断,分类模型主要由CNN和LSTM构成,同时引入特定遗传策略的遗传算法优化模型参数配置。本发明解决了传统基于深度学习的心律失常分类算法模型难以快速设定最优参数配置的问题,而且在实现轻量级网络的同时具备高分类准确度、收敛速度快的优点。

    一种应用于DC-DC转换器模式切换中的逻辑控制电路

    公开(公告)号:CN115313864A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202211111390.0

    申请日:2022-09-13

    Abstract: 本发明请求保护一种应用于DC‑DC转换器模式切换中的逻辑控制电路。该电路主要包括一个逻辑控制电路、调制信号选择电路、降压核心电路、脉宽调制环路。由于DC‑DC模式切换时,误差放大器的输出会有明显的变化,因此模式切换通过VEA与V1进行比较,来产生模式选择信号CHOOSE实现。但是误差放大器的输出容易受到电路的噪声影响因此可能出现模式选择信号CHOOSE不稳定,为了解决这些问题,可以通过一些逻辑控制来改善这种情况。本发明的逻控制辑电路如下,VEA与V1进行比较来产生Q0、Q1、Q2信号,当Q0、Q1、Q2=111时模式选择信号CHOOSE=1,或者Q0、Q1、Q2=000时模式选择信号CHOOSE=0,才会进行模式切换,Q0、Q1、Q2为其余状态(001~110)时,模式选择信号CHOOSE信号均保持前一刻的状态。

    一种双模声耦合表面波滤波器

    公开(公告)号:CN114531129A

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202210162297.6

    申请日:2022-02-22

    Abstract: 本发明请求保护一种双模声耦合表面波滤波器,它是一种基于128°YX‑LiNbO3压电衬底的带通滤波器,其包括一个128°YX‑LiNbO3压电衬底,三个叉指换能器(Interdigital Transducer,IDT),两个反射栅(Mirror Grid),以及一层覆盖在叉指换能器和反射栅上面的SiO2膜。相比于传统的DMS滤波器,本发明引入了SiO2薄膜结构,该结构不仅解决了128°YX‑LiNbO3压电衬底设计DMS滤波器出现的肩峰问题,而且还大大降低了插入损耗。并且128°YX‑LiNbO3压电衬底在一般被用作梯形声表面波滤波器的设计,本发明将其应用到DMS滤波器上,且性能相对于传统的基于36°YX‑LiNbO3的DMS滤波器有所提升。

    基于有限元和COM模型的DMS滤波器设计方法

    公开(公告)号:CN114826202B

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202210563669.6

    申请日:2022-05-23

    Abstract: 本发明请求保护一种基于有限元和COM模型的DMS滤波器设计方法,属于电子元件设计领域。包括利用COMSOL中提取COM参数,随后利用SimplyFortran建立DMS滤波器的COM模型并计算结构参数的方法。其提取COM耦合模型参数的计算方法包括模态分析和频域分析,其中模态分析求得反射系数,中心频率,声表面波波速以及机电耦合系数;频域分析求得换能系数,以及静电容。随后利用提取的COM参数在Simply Fortran中计算滤波器的电极厚度,输入输出叉指对数(Interdigital Transducer,IDT),反射栅数量等参数。本发明目在于能够利用COMSOL仿真的方式提取COM模型参数,不采用实验的方式进行参数提取,缩短了设计时间,提高了设计效率。最后利用COM参数在SimplyFortran中便捷的设计出DMS滤波器,并得到其散射参数(S21)。

    一种用于心电信号预处理的硬件电路及方法

    公开(公告)号:CN116350235A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310378872.0

    申请日:2023-04-10

    Abstract: 本发明请求保护一种用于心电信号预处理的硬件电路及方法。该电路主要在FPGA上实现心电信号的实时去噪与R波检测。首先将心电信号进行三层DWT分解,将首层高频分量进行分段计算噪声阈值,同时将第三层小波分解结果输入移位寄存器等待该阶段阈值计算结束;然后对阈值去噪后的信号进行重构;最后利用二阶差分阈值方法结合信号最大值进行R波检测,并设置一定数量的移位寄存器,达到R波和实时输出相匹配的目的。其中控制与时钟管理模块主要生成控制信号和分频时钟信号。参数缓存模块存放DB4小波基参数。本发明通过在各模块间插入小体量移位寄存器,解决了传统心电信号不能实时处理且所需缓存空间大的问题;同时通过改善小波阈值计算方式和R波检测方法有效降低整体资源消耗量。

    一种应用于DC-DC转换器模式切换中的逻辑控制电路

    公开(公告)号:CN115313864B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202211111390.0

    申请日:2022-09-13

    Abstract: 本发明请求保护一种应用于DC‑DC转换器模式切换中的逻辑控制电路。该电路主要包括一个逻辑控制电路、调制信号选择电路、降压核心电路、脉宽调制环路。由于DC‑DC模式切换时,误差放大器的输出会有明显的变化,因此模式切换通过VEA与V1进行比较,来产生模式选择信号CHOOSE实现。但是误差放大器的输出容易受到电路的噪声影响因此可能出现模式选择信号CHOOSE不稳定,为了解决这些问题,可以通过一些逻辑控制来改善这种情况。本发明的逻控制辑电路如下,VEA与V1进行比较来产生Q0、Q1、Q2信号,当Q0、Q1、Q2=111时模式选择信号CHOOSE=1,或者Q0、Q1、Q2=000时模式选择信号CHOOSE=0,才会进行模式切换,Q0、Q1、Q2为其余状态(001~110)时,模式选择信号CHOOSE信号均保持前一刻的状态。

    一种高频多层膜声表面波谐振器

    公开(公告)号:CN116232270A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310210942.1

    申请日:2023-03-07

    Abstract: 本发明请求保护一种高频多层膜声表面波谐振器,其包括了压电薄膜、金属电极、SiO2低声阻抗层、Pt高声阻抗层和Si基底;其中金属电极位于压电薄膜上,SiO2低声阻抗层和Pt高声阻抗层依次交替,共5层位于压电薄膜下,基底上。本发明在压电薄膜,低声抗层和高声阻抗层组成的多层膜结构下,通过改进铌酸锂薄膜的厚度,SiO2低声阻抗层的厚度和Pt高声阻抗层的厚度,提高器件的性能。当λ=1.77μm,铌酸锂薄膜的厚度为0.35λ(λ为叉指周期),SiO2低声阻抗层的厚度为0.2λ,Pt高声阻抗层的厚度为0.09λ时,机电耦合系数等于8.418%,Q=2483,FOM=209,器件性能得到提高。

    一种温度补偿型声表面波滤波器

    公开(公告)号:CN114978101A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210571685.X

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 本发明请求保护一种温度补偿型声表面波滤波器,其包括滤波器压电基底、金属电极、SiO2温度补偿层和ZnO温度补偿层;其中金属电极位于压电基底上,SiO2温度补偿层位于压电基底上且不与金属电极重合的部分,ZnO温度补偿层位于SiO2温度补偿层上。本发明在0.2λ(λ为叉指周期)厚度的SiO2薄膜上覆盖ZnO薄膜,通过增加ZnO薄膜厚度,改善器件温度稳定性;当ZnO薄膜厚度为0.2λ时,即总膜厚为0.4λ时,频率温度系数(TCF)为‑9.94ppm/℃。在频率温度系数≤‑10ppm/℃的情况下,本发明相比于传统的温度补偿型声表面波滤波器,总膜厚减少了27%,器件性能也得到改善。

    基于有限元和COM模型的DMS滤波器设计方法

    公开(公告)号:CN114826202A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210563669.6

    申请日:2022-05-23

    Abstract: 本发明请求保护一种基于有限元和COM模型的DMS滤波器设计方法,属于电子元件设计领域。包括利用COMSOL中提取COM参数,随后利用SimplyFortran建立DMS滤波器的COM模型并计算结构参数的方法。其提取COM耦合模型参数的计算方法包括模态分析和频域分析,其中模态分析求得反射系数,中心频率,声表面波波速以及机电耦合系数;频域分析求得换能系数,以及静电容。随后利用提取的COM参数在Simply Fortran中计算滤波器的电极厚度,输入输出叉指对数(Interdigital Transducer,IDT),反射栅数量等参数。本发明目在于能够利用COMSOL仿真的方式提取COM模型参数,不采用实验的方式进行参数提取,缩短了设计时间,提高了设计效率。最后利用COM参数在SimplyFortran中便捷的设计出DMS滤波器,并得到其散射参数(S21)。

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