公开(公告)号：CN114531129A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202210162297.6

申请日：2022-02-22

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  谭纪伟 ,  王方 ,  周杨春 ,  王华东 ,  滕洪菠 ,  张迎

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/64

Abstract: 本发明请求保护一种双模声耦合表面波滤波器，它是一种基于128°YX‑LiNbO3压电衬底的带通滤波器，其包括一个128°YX‑LiNbO3压电衬底，三个叉指换能器(Interdigital Transducer,IDT)，两个反射栅(Mirror Grid)，以及一层覆盖在叉指换能器和反射栅上面的SiO2膜。相比于传统的DMS滤波器，本发明引入了SiO2薄膜结构，该结构不仅解决了128°YX‑LiNbO3压电衬底设计DMS滤波器出现的肩峰问题，而且还大大降低了插入损耗。并且128°YX‑LiNbO3压电衬底在一般被用作梯形声表面波滤波器的设计，本发明将其应用到DMS滤波器上，且性能相对于传统的基于36°YX‑LiNbO3的DMS滤波器有所提升。

公开(公告)号：CN114826202B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202210563669.6

申请日：2022-05-23

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  谭纪伟 ,  王方 ,  滕洪菠 ,  张迎

IPC: H03H9/64 ,  G06F30/367

Abstract: 本发明请求保护一种基于有限元和COM模型的DMS滤波器设计方法，属于电子元件设计领域。包括利用COMSOL中提取COM参数，随后利用SimplyFortran建立DMS滤波器的COM模型并计算结构参数的方法。其提取COM耦合模型参数的计算方法包括模态分析和频域分析，其中模态分析求得反射系数，中心频率，声表面波波速以及机电耦合系数；频域分析求得换能系数，以及静电容。随后利用提取的COM参数在Simply Fortran中计算滤波器的电极厚度，输入输出叉指对数(Interdigital Transducer,IDT)，反射栅数量等参数。本发明目在于能够利用COMSOL仿真的方式提取COM模型参数，不采用实验的方式进行参数提取，缩短了设计时间，提高了设计效率。最后利用COM参数在SimplyFortran中便捷的设计出DMS滤波器，并得到其散射参数(S21)。

公开(公告)号：CN115659880A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211067666.X

申请日：2022-09-01

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  刘斌政 ,  丁辉 ,  滕洪菠 ,  李明波 ,  马力 ,  张涛洪 ,  袁军 ,  赵汝法

IPC: G06F30/327 ,  G06F30/337 ,  G06F17/16 ,  G06F18/211

Abstract: 本发明请求保护一种基于奇异值分解的主成分分析算法的硬件电路及方法，属于无监督学习的降维算法的硬件实现技术。该电路包括下面的电路模块：控制模块、Hestense模块、CORDIC模块和雅可比旋转模块，其中，控制模块用于控制各个模块的时序和工作状态；Hestense模块用于计算CORDIC模块所需的参数，由乘法器、加法器、寄存器和RAM搭建构成；CORDIC模块用于计算反三角函数，由多路选择器、寄存器和移位器搭建构成；雅可比旋转模块用于计算输入数据的正交化结果，由四个乘法器、一个加法器和一个减法器搭建构成。

公开(公告)号：CN116232270A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310210942.1

申请日：2023-03-07

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  张迎 ,  王方 ,  滕洪菠 ,  袁军

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/05

Abstract: 本发明请求保护一种高频多层膜声表面波谐振器，其包括了压电薄膜、金属电极、SiO2低声阻抗层、Pt高声阻抗层和Si基底；其中金属电极位于压电薄膜上，SiO2低声阻抗层和Pt高声阻抗层依次交替，共5层位于压电薄膜下，基底上。本发明在压电薄膜，低声抗层和高声阻抗层组成的多层膜结构下，通过改进铌酸锂薄膜的厚度，SiO2低声阻抗层的厚度和Pt高声阻抗层的厚度，提高器件的性能。当λ＝1.77μm，铌酸锂薄膜的厚度为0.35λ(λ为叉指周期)，SiO2低声阻抗层的厚度为0.2λ，Pt高声阻抗层的厚度为0.09λ时，机电耦合系数等于8.418％，Q＝2483，FOM＝209，器件性能得到提高。

公开(公告)号：CN114978101A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210571685.X

申请日：2022-05-24

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  滕洪菠 ,  王方 ,  张迎 ,  袁军 ,  夏旭 ,  丁辉 ,  稅绍林 ,  张涛洪

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/02 ,  H03H9/145

Abstract: 本发明请求保护一种温度补偿型声表面波滤波器，其包括滤波器压电基底、金属电极、SiO2温度补偿层和ZnO温度补偿层；其中金属电极位于压电基底上，SiO2温度补偿层位于压电基底上且不与金属电极重合的部分，ZnO温度补偿层位于SiO2温度补偿层上。本发明在0.2λ(λ为叉指周期)厚度的SiO2薄膜上覆盖ZnO薄膜，通过增加ZnO薄膜厚度，改善器件温度稳定性；当ZnO薄膜厚度为0.2λ时，即总膜厚为0.4λ时，频率温度系数(TCF)为‑9.94ppm/℃。在频率温度系数≤‑10ppm/℃的情况下，本发明相比于传统的温度补偿型声表面波滤波器，总膜厚减少了27％，器件性能也得到改善。

公开(公告)号：CN114826202A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210563669.6

申请日：2022-05-23

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  谭纪伟 ,  王方 ,  滕洪菠 ,  张迎

IPC: H03H9/64 ,  G06F30/367

Abstract: 本发明请求保护一种基于有限元和COM模型的DMS滤波器设计方法，属于电子元件设计领域。包括利用COMSOL中提取COM参数，随后利用SimplyFortran建立DMS滤波器的COM模型并计算结构参数的方法。其提取COM耦合模型参数的计算方法包括模态分析和频域分析，其中模态分析求得反射系数，中心频率，声表面波波速以及机电耦合系数；频域分析求得换能系数，以及静电容。随后利用提取的COM参数在Simply Fortran中计算滤波器的电极厚度，输入输出叉指对数(Interdigital Transducer,IDT)，反射栅数量等参数。本发明目在于能够利用COMSOL仿真的方式提取COM模型参数，不采用实验的方式进行参数提取，缩短了设计时间，提高了设计效率。最后利用COM参数在SimplyFortran中便捷的设计出DMS滤波器，并得到其散射参数(S21)。

公开(公告)号：CN114759896A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210362608.3

申请日：2022-04-07

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  周杨春 ,  王方 ,  谭纪伟 ,  滕洪菠

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/64 ,  G06F30/23

Abstract: 本发明请求保护一种用于抑制声表面波器件横向模干扰的反射栅设计，属于声表面波滤波器技术领域，其包括IDT型反射栅的结构设计和采用该反射栅结构的谐振器的有限元仿真方法。本发明的目的在于降低声表面波滤波器的传播损耗和带内横向模式的干扰以优化带内波动，降低插损。创新点在于，本方案提出的反射栅结构在插入损耗和带内波动都小于1dB的高性能声表面器件基础上，进一步有效地降低了带内波动和插入损耗。相对于常用的短路反射栅结构，对于谐振器和一阶梯形滤波器，该反射栅结构将带内最大尖峰损耗分别降低了8.84％和35.36％。