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公开(公告)号：CN108151931A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711411078.2
申请日：2017-12-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种估算硒化铋中线偏振光产生的自旋横向力的方法，将激光依次通过斩波器、起偏器、二分之一波片，沿着硒化铋样品两电极连线的垂直平分线，将激光光斑从两电极连线的左边按一定距逐渐移动到右边，在每一个光斑位置处，转动二分之一波片从0度到180度，每一个二分之一波片角度下的光电流通过前置放大器和锁相放大器，然后进入数据采集卡并由电脑采集，对采集数据进行拟合计算，得到硒化铋在线偏振光垂直入射下不同光斑位置处的逆自旋霍尔电流L2，并通过模型拟合，得到硒化铋中由线偏振光产生的自旋横向力。本发明通过线偏振光注入自旋流来实现逆自旋霍尔效应，估算硒化铋中线偏振光产生的自旋横向力，方法简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN108051633A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711411080.X
申请日：2017-12-23
Applicant: 福州大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种获得拓扑绝缘体硒化铋反常线偏振光电流的方法，将激光依次通过斩波器、起偏器、二分之一波片，沿着硒化铋样品两电极连线的垂直平分线，将激光光斑从两电极连线的左边按一定距逐渐移动到右边，在每一个光斑位置处，转动二分之一波片从0度到180度，每一个二分之一波片角度下的光电流通过前置放大器和锁相放大器，然后进入数据采集卡并由电脑采集，对采集数据进行拟合计算，得到拓扑绝缘体硒化铋在线偏振光垂直入射下不同光斑位置处的光电流与二分之一波片角度的关系，并通过公式拟合，将不同光斑位置处的反常线偏振光电流提取出来。本发明方法简单，易于实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105355781A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510665228.7
申请日：2015-10-16
Applicant: 福州大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1641 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器，包括衬底、第一端电极、第二端电极以及双层阻变介质；所述第一端电极设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触，所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方；所述双层阻变介质包括氧化层1和氧化层2组成的叠层结构，其中氧化层1设置于第二端电极侧，所述氧化层2设置于第一端电极侧，所述氧化层2经等离子处理。本发明制备过程中，采用等离子处理的手段调节电子输运中需要克服的能量，从而获得功耗可调的效果。
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公开(公告)号：CN104103756A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410357066.6
申请日：2014-07-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及采用其实现多值存储的方法，所述阻变存储器包括：一基片；一第一端电极，设置于基片上；一经等离子处理过的阻变存储介质，设置于第一端电极的右侧或上方；一第二端电极，设置于阻变存储介质的右侧。采用所述阻变存储器实现多值存储的方法为：采用限制流经阻变存储介质电流的方式，对阻变存储介质的阻态进行调整。通过不同限制电流获得阻变存储介质的不同阻态，从而重复、稳定地实现多值存储。
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公开(公告)号：CN114199782B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111553539.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 福州大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明涉及一种Sb2Te3拓扑表面态的圆偏振光电流调控方法，包括以下步骤：步骤S1：用分子束外延设备在磷化铟衬底上生长Sb2Te3样品，并在样品表面制作一对点状电极;步骤S2：构建应力装置，将环氧树脂将样品固定在应力装置上；步骤S3：通过激光器发射光照射在样品的几何中心，即两电极连线的中心，测得并提取圆偏振光电流；步骤S4：通过应力装置改变应力施加大小，并分析圆偏振光电流随应力的变化趋势；步骤S5：测量Sb2Te3样品XPS光谱并分析,计算衬底与Sb2Te3界面的能带分布，若带阶小于零，则存在自旋注入的可能；比较没有衬底自旋注入的Sb2Te3样品的CPGE电流受应力调控情况，验证应力和衬底注入协同作用调控Sb2Te3中圆偏振光电流方法的调控效果。本发明调控Sb2Te3拓扑表面态的圆偏振光电流效果明显，可以实现连续调控。
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公开(公告)号：CN116223927A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211735781.X
申请日：2022-12-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种圆偏振光电流区分二维Bi2O2Se表面极性的方法，该方法通过测试Bi2O2Se纳米片的圆偏振光电流随离子液体栅压的变化趋势，可简单区分二维Bi2O2Se表面极性；若圆偏振光电流随栅压增大而线性增大，说明Bi2O2Se的初始表面极性为Bi原子截止，其初始表面带正电；若圆偏振光电流幅值随栅压先减小至0，反号后继续反向增大，则说明Bi2O2Se的初始表面极性为Se原子截止，其初始表面带负电。该方法测量准确，简单易行，对样品表面没有破坏，广泛适用于表面具有极性且存在自旋轨道耦合的材料。
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公开(公告)号：CN113534021B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110777060.4
申请日：2021-07-09
Applicant: 福州大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明涉及一种测量三维拓扑绝缘体中电流诱导自旋极化的方法。包括：制备Bi2Te3薄膜样品并在其上沉积矩形的钛金电极；将样品安装在真空杜瓦瓶中；激光器发出的光依次通过、衰减片、斩波器、起偏器、光弹性调制器以及透镜，以一定入射角照射在真空杜瓦瓶中样品两电极连线的中点；使用电流前置放大器给样品施加向电压和反向电压，通过锁相放大器分别提取出普通光电导电流和圆偏振光相关的光电流；通过公式计算得到某一个电压或电场下的圆偏振光电导差分电流，该圆偏振光电导差分电流的大小反映了电流诱导自旋极化的大小。本发明方法较为简单、快捷，便于日后推广。
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