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公开(公告)号：CN107819067B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201710888588.2
申请日：2017-09-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种区分Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的方法。该方法在钛酸锶衬底的（111）晶面上生长拓扑绝缘体Bi2Se3；而后用高斯分布的圆偏振激光在垂直入射的情况下激发拓扑绝缘体Bi2Se3的体态和表面态的光致逆自旋霍尔效应电流，测得当光斑位置在两电极连线的垂直平分线上移动时的光致逆自旋霍尔效应电流；最后，通过建立区分拓扑绝缘体Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的定量拟合模型，并进行模型拟合，得到体态和表面态的光致逆自旋霍尔电流。本发明方法，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用；且所得结果准确。
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公开(公告)号：CN106708146B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710017005.9
申请日：2017-01-11
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/46
Abstract: 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流的方法。该方法通过改变样品温度有效调控GaAs/AlGaA二维电子气中线偏振光致电流：首先，用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs二维电子气样品，并在样品对角上沉积铟电极；其次，调整光路，使入射激光波长为1064nm；最后，将样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的线偏振光致电流。本发明方法调控效果显著，且实施简便。
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公开(公告)号：CN106611707A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201710016991.6
申请日：2017-01-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L21/66 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L29/66462 , B82Y30/00 , H01L22/14 , H01L29/0684
Abstract: 本发明涉及一种改变GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流随温度变化趋势的方法，过改变入射激光波长有效调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流随温度变化趋势。本发明的方法调控效果显著，实施简便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107819067A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710888588.2
申请日：2017-09-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种区分Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的方法。该方法在钛酸锶衬底的（111）晶面上生长拓扑绝缘体Bi2Se3；而后用高斯分布的圆偏振激光在垂直入射的情况下激发拓扑绝缘体Bi2Se3的体态和表面态的光致逆自旋霍尔效应电流，测得当光斑位置在两电极连线的垂直平分线上移动时的光致逆自旋霍尔效应电流；最后，通过建立区分拓扑绝缘体Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的定量拟合模型，并进行模型拟合，得到体态和表面态的光致逆自旋霍尔电流。本发明方法，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用；且所得结果准确。
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公开(公告)号：CN106783966A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710017041.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L29/66984 , H01L43/12
Abstract: 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法。该方法通过改变样品温度有效调控了GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合，具体：首先，用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品，并沉积铟电极；其次，调整光路，使1064nm波长的激光入射到GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品上，使激光光斑位于所述样品两个电极中间，并使激光入射角为30°；最后，将所述样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的Dresselhaus自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流。本发明方法可行性高，调控效果显著，且实施简便。
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公开(公告)号：CN106708146A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710017005.9
申请日：2017-01-11
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/46
CPC classification number: G05F1/463
Abstract: 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流的方法。该方法通过改变样品温度有效调控GaAs/AlGaA二维电子气中线偏振光致电流：首先，用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs二维电子气样品，并在样品对角上沉积铟电极；其次，调整光路，使入射激光波长为1064nm；最后，将样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的线偏振光致电流。本发明方法调控效果显著，且实施简便。
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公开(公告)号：CN108051633B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201711411080.X
申请日：2017-12-23
Applicant: 福州大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种获得拓扑绝缘体硒化铋反常线偏振光电流的方法，将激光依次通过斩波器、起偏器、二分之一波片，沿着硒化铋样品两电极连线的垂直平分线，将激光光斑从两电极连线的左边按一定距逐渐移动到右边，在每一个光斑位置处，转动二分之一波片从0度到180度，每一个二分之一波片角度下的光电流通过前置放大器和锁相放大器，然后进入数据采集卡并由电脑采集，对采集数据进行拟合计算，得到拓扑绝缘体硒化铋在线偏振光垂直入射下不同光斑位置处的光电流与二分之一波片角度的关系，并通过公式拟合，将不同光斑位置处的反常线偏振光电流提取出来。本发明方法简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN108151931B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201711411078.2
申请日：2017-12-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种估算硒化铋中线偏振光产生的自旋横向力的方法，将激光依次通过斩波器、起偏器、二分之一波片，沿着硒化铋样品两电极连线的垂直平分线，将激光光斑从两电极连线的左边按一定距逐渐移动到右边，在每一个光斑位置处，转动二分之一波片从0度到180度，每一个二分之一波片角度下的光电流通过前置放大器和锁相放大器，然后进入数据采集卡并由电脑采集，对采集数据进行拟合计算，得到硒化铋在线偏振光垂直入射下不同光斑位置处的逆自旋霍尔电流L2，并通过模型拟合，得到硒化铋中由线偏振光产生的自旋横向力。本发明通过线偏振光注入自旋流来实现逆自旋霍尔效应，估算硒化铋中线偏振光产生的自旋横向力，方法简单，易于实现。
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