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公开(公告)号：CN103367639A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310316077.5
申请日：2013-07-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器，包括：一氧化硅片衬底；一下电极，设置于所述氧化硅片衬底上方；一阻变纳米线，设置于所述下电极上方；一上电极，设置于所述阻变纳米线上方；其中，所述阻变纳米线为铜掺杂的氧化锌纳米线。本发明具有工艺兼容性好、结构简单的特性，由于采用铜作为掺杂物质，增加了氧化锌内部的氧空位，从而降低了写操作电流和电压，功耗也随着减小。
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公开(公告)号：CN112381292A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011268264.7
申请日：2020-11-13
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种顾及时空相关性和气象因素的河流水质预测模型。首先，在编码器中嵌入空间注意力模块提取上下游水质间的显著空间相关性以及各水质指标间的相互作用；然后，将气象因素与空间特征输入解码器，在解码器中嵌入时间注意力模块提取重要的时序特征；最后，利用长短时记忆神经网络实现水质指标的多步预测。该模型能挖掘上下游水质间隐含的时空依赖关系、水质指标间的相互作用，能克服传统水质预测模型难以解释的不足等优点。
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公开(公告)号：CN103531660A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310486713.9
申请日：2013-10-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1828 , H01L21/02474 , H01L21/02499 , H01L21/02628
Abstract: 本发明公开了一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用，采用化学浴沉积法制备薄膜，属于非真空化学气相沉积，该方法薄膜成份容易控制、制备成本低、适合进行大规模生产。本发明利用掺入杂质的办法来降低硫化锌薄膜的电阻率，测试表明：当在ZnS中掺杂2at.%的In时，薄膜的杂质相少、光学透过率高（可见光区的光学透过率约为85%）、电阻率低（2.6×105Ωcm）。所制得的ZnS薄膜适用于作为太阳电池的缓冲层材料。
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公开(公告)号：CN112381292B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011268264.7
申请日：2020-11-13
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种顾及时空相关性和气象因素的河流水质预测模型。首先，在编码器中嵌入空间注意力模块提取上下游水质间的显著空间相关性以及各水质指标间的相互作用；然后，将气象因素与空间特征输入解码器，在解码器中嵌入时间注意力模块提取重要的时序特征；最后，利用长短时记忆神经网络实现水质指标的多步预测。该模型能挖掘上下游水质间隐含的时空依赖关系、水质指标间的相互作用，能克服传统水质预测模型难以解释的不足等优点。
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公开(公告)号：CN105140317A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510450613.X
申请日：2015-07-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0296 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开了一种Zn(O,S)薄膜及其制备方法和应用，属于半导体薄膜材料技术领域。在真空条件下，通过电子束蒸发的方法蒸发ZnS陶瓷颗粒，使之沉积在玻璃衬底上形成ZnS薄膜，然后通过在氧气氛围下氧化ZnS薄膜的方法掺入O元素，形成Zn(O,S)薄膜。这种方法制作出的Zn(O,S)薄膜可以通过控制氧化温度来实现不同含量的O元素掺杂，它可以代替CdS用于薄膜太阳能电池的缓冲层中，不仅可以使电池器件的生产更加环保经济，而且它操作简单，制备出来的薄膜光学透过率高，禁带宽度大小可以调节，能增加光电子的收集效率从而增大电池的短路电流，提高太阳能电池的转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103606591A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310571098.1
申请日：2013-11-13
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0324
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括采用溶胶凝胶法制备金属预制层薄膜和金属预制层薄膜的硫化。本发明中所采用的三乙醇胺可以有效的起到稳定剂的作用，使得所制备的薄膜的性能有所提高，具有良好的物质结构和光电特性。本发明的薄膜成份可以精确控制，制备成本低廉，操作过程简单。本发明利用改变硫化温度的方法选取较好的硫化条件，通过测试表明：在500℃的硫化温度下，硫化制备出的铜锌锡硫薄膜光电性能较好，其中，光学带隙1.47eV，电阻率、迁移率和载流子浓度分别为581.5Ω·cm、1.411cm2/(V·s)和2.165×1016cm-3，适宜作为太阳电池的吸收层材料。
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公开(公告)号：CN114944472A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210529015.1
申请日：2022-05-16
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/139 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585
Abstract: 本发明公开了一种全固态薄膜锂电池的低温制备方法，该发明以旋涂纳米材料低温制备薄膜电极，并以低温溅射LiPON为固态电解质，实现全固态锂电池的低温制备。该步骤包括：利用旋涂先将纳米结晶电极粉末制备厚度可控、表面光滑和均一性好的薄膜电极，并通过溅射或进一步旋涂低温制备全固态薄膜锂电池。本发明具有可避免高温退火结晶、操作简便、容易实现、低温制备、可利用现有电极材料体系开发全固态薄膜锂离子电池等优点。
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公开(公告)号：CN104103756B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201410357066.6
申请日：2014-07-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及采用其实现多值存储的方法，所述阻变存储器包括：一基片；一第一端电极，设置于基片上；一经等离子处理过的阻变存储介质，设置于第一端电极的右侧或上方；一第二端电极，设置于阻变存储介质的右侧。采用所述阻变存储器实现多值存储的方法为：采用限制流经阻变存储介质电流的方式，对阻变存储介质的阻态进行调整。通过不同限制电流获得阻变存储介质的不同阻态，从而重复、稳定地实现多值存储。
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公开(公告)号：CN105914244B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610491387.4
申请日：2016-06-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高CZTS/CdS异质结整流比的方法和应用，属于半导体材料与器件技术领域。在真空条件下，使Ar气等离子化，并且在CZTS薄膜表面进行等离子体处理。等离子体对CZTS薄膜表面即CZTS/CdS异质结界面进行处理，不仅可以修饰其界面、减少缺陷，而且操作简单，处理后的CZTS/CdS异质结整流比有明显提高，有利于提高太阳能电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN105914244A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610491387.4
申请日：2016-06-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0296 , H01L21/02425 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L31/0326 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种提高CZTS/CdS异质结整流比的方法和应用，属于半导体材料与器件技术领域。在真空条件下，使Ar气等离子化，并且在CZTS薄膜表面进行等离子体处理。等离子体对CZTS薄膜表面即CZTS/CdS异质结界面进行处理，不仅可以修饰其界面、减少缺陷，而且操作简单，处理后的CZTS/CdS异质结整流比有明显提高，有利于提高太阳能电池的转化效率。
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