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公开(公告)号：CN114199782A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111553539.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 福州大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明涉及一种Sb2Te3拓扑表面态的圆偏振光电流调控方法，包括以下步骤：步骤S1：用分子束外延设备在磷化铟衬底上生长Sb2Te3样品，并在样品表面制作一对点状电极;步骤S2：构建应力装置，将环氧树脂将样品固定在应力装置上；步骤S3：通过激光器发射光照射在样品的几何中心，即两电极连线的中心，测得并提取圆偏振光电流；步骤S4：通过应力装置改变应力施加大小，并分析圆偏振光电流随应力的变化趋势；步骤S5：测量Sb2Te3样品XPS光谱并分析,计算衬底与Sb2Te3界面的能带分布，若带阶小于零，则存在自旋注入的可能；比较没有衬底自旋注入的Sb2Te3样品的CPGE电流受应力调控情况，验证应力和衬底注入协同作用调控Sb2Te3中圆偏振光电流方法的调控效果。本发明调控Sb2Te3拓扑表面态的圆偏振光电流效果明显，可以实现连续调控。
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公开(公告)号：CN116223927B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202211735781.X
申请日：2022-12-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种圆偏振光电流区分二维Bi2O2Se表面极性的方法，该方法通过测试Bi2O2Se纳米片的圆偏振光电流随离子液体栅压的变化趋势，可简单区分二维Bi2O2Se表面极性；若圆偏振光电流随栅压增大而线性增大，说明Bi2O2Se的初始表面极性为Bi原子截止，其初始表面带正电；若圆偏振光电流幅值随栅压先减小至0，反号后继续反向增大，则说明Bi2O2Se的初始表面极性为Se原子截止，其初始表面带负电。该方法测量准确，简单易行，对样品表面没有破坏，广泛适用于表面具有极性且存在自旋轨道耦合的材料。
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公开(公告)号：CN114199782B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111553539.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 福州大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明涉及一种Sb2Te3拓扑表面态的圆偏振光电流调控方法，包括以下步骤：步骤S1：用分子束外延设备在磷化铟衬底上生长Sb2Te3样品，并在样品表面制作一对点状电极;步骤S2：构建应力装置，将环氧树脂将样品固定在应力装置上；步骤S3：通过激光器发射光照射在样品的几何中心，即两电极连线的中心，测得并提取圆偏振光电流；步骤S4：通过应力装置改变应力施加大小，并分析圆偏振光电流随应力的变化趋势；步骤S5：测量Sb2Te3样品XPS光谱并分析,计算衬底与Sb2Te3界面的能带分布，若带阶小于零，则存在自旋注入的可能；比较没有衬底自旋注入的Sb2Te3样品的CPGE电流受应力调控情况，验证应力和衬底注入协同作用调控Sb2Te3中圆偏振光电流方法的调控效果。本发明调控Sb2Te3拓扑表面态的圆偏振光电流效果明显，可以实现连续调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116223927A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211735781.X
申请日：2022-12-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种圆偏振光电流区分二维Bi2O2Se表面极性的方法，该方法通过测试Bi2O2Se纳米片的圆偏振光电流随离子液体栅压的变化趋势，可简单区分二维Bi2O2Se表面极性；若圆偏振光电流随栅压增大而线性增大，说明Bi2O2Se的初始表面极性为Bi原子截止，其初始表面带正电；若圆偏振光电流幅值随栅压先减小至0，反号后继续反向增大，则说明Bi2O2Se的初始表面极性为Se原子截止，其初始表面带负电。该方法测量准确，简单易行，对样品表面没有破坏，广泛适用于表面具有极性且存在自旋轨道耦合的材料。
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公开(公告)号：CN111244269B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010169315.4
申请日：2020-03-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流的增强方法，其特征在于,包括以下步骤：步骤S1选择符合条件的衬底材料；步骤S2:用分子束外延设备，在预设衬底上，生长三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜；步骤S3：在三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜上用电子束蒸发制备两对钛/金电极，其中一对为圆形电极，另一对为条形电极；步骤S4：根据增强系统，选取特定波长的激光器，增强步骤S2中不同厚度三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜的光致反常霍尔电流。本发明能够简便快捷且有效的增强三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流。
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公开(公告)号：CN111239175B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010169319.2
申请日：2020-03-12
Applicant: 福州大学
IPC: G01N23/2273 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及一种三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流区分方法，该方法包括：制备Bi2Te3样品并在其上沉积点状钛金电极和条形钛金电极；获取样品氧化前的XPS光谱；将激光依次通过起偏器、光弹性调制器以及杜瓦瓶窗口，垂直照射在真空杜瓦瓶中样品的几何中心；使用直流电压源施加可调的电压提供纵向电场，在垂直于电场方向上测得氧化前的光致反常霍尔电流；同理获取样品氧化后的XPS光谱和光致反常霍尔电流；对比氧化前后样品的XPS光谱和光致反常霍尔电流，区分三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流。该方法有利于简单、快捷、有效地区分三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流。
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公开(公告)号：CN111244269A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010169315.4
申请日：2020-03-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流的增强方法，其特征在于,包括以下步骤：步骤S1选择符合条件的衬底材料；步骤S2:用分子束外延设备，在预设衬底上，生长三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜；步骤S3：在三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜上用电子束蒸发制备两对钛/金电极，其中一对为圆形电极，另一对为条形电极；步骤S4：根据增强系统，选取特定波长的激光器，增强步骤S2中不同厚度三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜的光致反常霍尔电流。本发明能够简便快捷且有效的增强三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流。
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公开(公告)号：CN111239175A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010169319.2
申请日：2020-03-12
Applicant: 福州大学
IPC: G01N23/2273 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及一种三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流区分方法，该方法包括：制备Bi2Te3样品并在其上沉积点状钛金电极和条形钛金电极；获取样品氧化前的XPS光谱；将激光依次通过起偏器、光弹性调制器以及杜瓦瓶窗口，垂直照射在真空杜瓦瓶中样品的几何中心；使用直流电压源施加可调的电压提供纵向电场，在垂直于电场方向上测得氧化前的光致反常霍尔电流；同理获取样品氧化后的XPS光谱和光致反常霍尔电流；对比氧化前后样品的XPS光谱和光致反常霍尔电流，区分三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流。该方法有利于简单、快捷、有效地区分三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流。
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