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公开(公告)号：CN113419200A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110777057.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 福州大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明涉及一种探测Bi2Te3表面态六角翘曲的电流诱导自旋极化的方法。包括：制备Bi2Te3薄膜样品并在其上沉积矩形的电极；通过引线将电极与电流前置放大器的输入端相连；将斩波器的斩波频率、光弹性调制器的一倍频分别作为锁相放大器1、锁相放大器2的参考信号，电流前置放大器的输出端与锁相放大器1、锁相放大器2的输入端相连；激光器发出的光依次通过斩波器、起偏器、光弹性调制器以及透镜，以入射角θ照射在样品上两电极连线的中点；测得不同入射角下的普通光电导电流和圆偏振相关的光电流；计算得到不同入射角下的圆偏振光电导差分电流，通过公式拟合得到Bi2Te3表面态六角翘曲的圆偏振光电导差分电流随入射角的变化曲线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113534021B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110777060.4
申请日：2021-07-09
Applicant: 福州大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明涉及一种测量三维拓扑绝缘体中电流诱导自旋极化的方法。包括：制备Bi2Te3薄膜样品并在其上沉积矩形的钛金电极；将样品安装在真空杜瓦瓶中；激光器发出的光依次通过、衰减片、斩波器、起偏器、光弹性调制器以及透镜，以一定入射角照射在真空杜瓦瓶中样品两电极连线的中点；使用电流前置放大器给样品施加向电压和反向电压，通过锁相放大器分别提取出普通光电导电流和圆偏振光相关的光电流；通过公式计算得到某一个电压或电场下的圆偏振光电导差分电流，该圆偏振光电导差分电流的大小反映了电流诱导自旋极化的大小。本发明方法较为简单、快捷，便于日后推广。
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公开(公告)号：CN110718608B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910992018.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及一种调控锑化碲薄膜圆偏振相关光电流的方法。将锑化碲薄膜贴在铜块上，通过改变铜块的温度来改变锑化碲薄膜的温度，由于激光会对激光照射的区域进行加热，且由于上表面的光强大于到达衬底部分的光强，这样上表面和衬底之间就存在温度梯度；由于热电效应，这个温度梯度就会产生垂直样品表面的热电势能；在这个热电势能的作用下，产生垂直于样品表面的自旋流；由于逆自旋霍尔效应，进而产生横向的与圆偏振相关的电荷流；当温度发生变化后，上表面与衬底之间的热电势能将发生变化，从而使得由逆自旋霍尔效应引起的电荷流也将发生变化，从而实现对圆偏振相关的光电流的调控。本发明调控效果显著，简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN113419200B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110777057.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 福州大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明涉及一种探测Bi2Te3表面态六角翘曲的电流诱导自旋极化的方法。包括：制备Bi2Te3薄膜样品并在其上沉积矩形的电极；通过引线将电极与电流前置放大器的输入端相连；将斩波器的斩波频率、光弹性调制器的一倍频分别作为锁相放大器1、锁相放大器2的参考信号，电流前置放大器的输出端与锁相放大器1、锁相放大器2的输入端相连；激光器发出的光依次通过斩波器、起偏器、光弹性调制器以及透镜，以入射角θ照射在样品上两电极连线的中点；测得不同入射角下的普通光电导电流和圆偏振相关的光电流；计算得到不同入射角下的圆偏振光电导差分电流，通过公式拟合得到Bi2Te3表面态六角翘曲的圆偏振光电导差分电流随入射角的变化曲线。
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公开(公告)号：CN113534021A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110777060.4
申请日：2021-07-09
Applicant: 福州大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明涉及一种测量三维拓扑绝缘体中电流诱导自旋极化的方法。包括：制备Bi2Te3薄膜样品并在其上沉积矩形的钛金电极；将样品安装在真空杜瓦瓶中；激光器发出的光依次通过、衰减片、斩波器、起偏器、光弹性调制器以及透镜，以一定入射角照射在真空杜瓦瓶中样品两电极连线的中点；使用电流前置放大器给样品施加向电压和反向电压，通过锁相放大器分别提取出普通光电导电流和圆偏振光相关的光电流；通过公式计算得到某一个电压或电场下的圆偏振光电导差分电流，该圆偏振光电导差分电流的大小反映了电流诱导自旋极化的大小。本发明方法较为简单、快捷，便于日后推广。
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公开(公告)号：CN110718608A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910992018.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及一种调控锑化碲薄膜圆偏振相关光电流的方法。将锑化碲薄膜贴在铜块上，通过改变铜块的温度来改变锑化碲薄膜的温度，由于激光会对激光照射的区域进行加热，且由于上表面的光强大于到达衬底部分的光强，这样上表面和衬底之间就存在温度梯度；由于热电效应，这个温度梯度就会产生垂直样品表面的热电势能；在这个热电势能的作用下，产生垂直于样品表面的自旋流；由于逆自旋霍尔效应，进而产生横向的与圆偏振相关的电荷流；当温度发生变化后，上表面与衬底之间的热电势能将发生变化，从而使得由逆自旋霍尔效应引起的电荷流也将发生变化，从而实现对圆偏振相关的光电流的调控。本发明调控效果显著，简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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