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公开(公告)号:CN104103756A
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:CN201410357066.6
申请日:2014-07-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及采用其实现多值存储的方法,所述阻变存储器包括:一基片;一第一端电极,设置于基片上;一经等离子处理过的阻变存储介质,设置于第一端电极的右侧或上方;一第二端电极,设置于阻变存储介质的右侧。采用所述阻变存储器实现多值存储的方法为:采用限制流经阻变存储介质电流的方式,对阻变存储介质的阻态进行调整。通过不同限制电流获得阻变存储介质的不同阻态,从而重复、稳定地实现多值存储。
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公开(公告)号:CN104103756B
公开(公告)日:2018-05-04
申请号:CN201410357066.6
申请日:2014-07-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及采用其实现多值存储的方法,所述阻变存储器包括:一基片;一第一端电极,设置于基片上;一经等离子处理过的阻变存储介质,设置于第一端电极的右侧或上方;一第二端电极,设置于阻变存储介质的右侧。采用所述阻变存储器实现多值存储的方法为:采用限制流经阻变存储介质电流的方式,对阻变存储介质的阻态进行调整。通过不同限制电流获得阻变存储介质的不同阻态,从而重复、稳定地实现多值存储。
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