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公开(公告)号：CN105390611B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201510665569.4
申请日：2015-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器及其制备方法，所述存储器包括一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与所述衬底形成良好电接触；一双层阻变介质，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的左侧；若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方。本发明的存储器由两个端电极和夹于两电极间的双层存储介质组成，通过参数优选和合理设计，使得该存储器的工作电流为微安级别，这为阻变存储器低功耗运行提供了保证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105226183B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201510678680.7
申请日：2015-10-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法，所示阻变存储器包括：一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触；一阻变介质层，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的左侧；若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的上方。其中，所述的阻变介质层可为双层阻变介质，所述的双层阻变介质是由第一阻变层与第二阻变层组成的叠层结构。本发明采用等离子修饰，在介质中或介质表面处引入缺陷，从而有效抑制负向电流值并极大提高正负向电流差值。
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公开(公告)号：CN105355781A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510665228.7
申请日：2015-10-16
Applicant: 福州大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1641 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器，包括衬底、第一端电极、第二端电极以及双层阻变介质；所述第一端电极设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触，所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方；所述双层阻变介质包括氧化层1和氧化层2组成的叠层结构，其中氧化层1设置于第二端电极侧，所述氧化层2设置于第一端电极侧，所述氧化层2经等离子处理。本发明制备过程中，采用等离子处理的手段调节电子输运中需要克服的能量，从而获得功耗可调的效果。
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公开(公告)号：CN105355781B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201510665228.7
申请日：2015-10-16
Applicant: 福州大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器，包括衬底、第一端电极、第二端电极以及双层阻变介质；所述第一端电极设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触，所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方；所述双层阻变介质包括氧化层1和氧化层2组成的叠层结构，其中氧化层1设置于第二端电极侧，所述氧化层2设置于第一端电极侧，所述氧化层2经等离子处理。本发明制备过程中，采用等离子处理的手段调节电子输运中需要克服的能量，从而获得功耗可调的效果。
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公开(公告)号：CN105390611A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510665569.4
申请日：2015-10-16
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2409 , H01L45/145 , H01L45/16
Abstract: 本发明涉及一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器及其制备方法，所述存储器包括一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与所述衬底形成良好电接触；一双层阻变介质，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的左侧；若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方。本发明的存储器由两个端电极和夹于两电极间的双层存储介质组成，通过参数优选和合理设计，使得该存储器的工作电流为微安级别，这为阻变存储器低功耗运行提供了保证。
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公开(公告)号：CN105226183A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510678680.7
申请日：2015-10-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法，所示阻变存储器包括：一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触；一阻变介质层，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的左侧；若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的上方。其中，所述的阻变介质层可为双层阻变介质，所述的双层阻变介质是由第一阻变层与第二阻变层组成的叠层结构。本发明采用等离子修饰，在介质中或介质表面处引入缺陷，从而有效抑制负向电流值并极大提高正负向电流差值。
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