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公开(公告)号：CN104779304A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510152889.X
申请日：2015-04-02
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/00
Abstract: 本发明涉及一种调控半导体量子阱材料Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值的方法，选用无掺杂高质量的半导体量子阱材料，用能量高于此半导体量子阱带隙的光照射样品，同时改变半导体量子阱的温度来调控量子阱中Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合的比值。本发明利用半导体量子阱中光生激子数量随温度的变化效应以及离化激子对内建电场的调控效应，来实现对Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值进行调控的目的，方法简单易行，调控效果明显。
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公开(公告)号：CN115753646B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202211479550.7
申请日：2022-11-24
Applicant: 福州大学
IPC: G01N21/27
Abstract: 本发明涉及一种区分p型砷化镓晶向的光电方法，包括：制备p‑GaAs样品及两对条形电极；将样品放置在真空杜瓦瓶里，用引线连接一对电极，并与电压前置放大器相连；激光器发出的激光经过衰减片、斩波器、起偏器、光弹性调制器和透镜，使激光垂直入射到样品上；样品在激光照射下产生光电流，输入电压前置放大器，通过第一、二锁相放大器分别提取普通光电流、圆偏振光相关光电流，让样品连续偏转设定次数，每变化设定角度采集一次电流数据；给前置放大器施加电压再重复测试一次；将样品旋转90°，用引线连接另一对电极，重复上述测试过程；对比得到的数据，根据信号大、小区分[110]晶向、#imgabs0#晶向。该方法有利于简单、快捷、有效地定位p型砷化镓的晶向。
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公开(公告)号：CN106783966A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710017041.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L29/66984 , H01L43/12
Abstract: 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法。该方法通过改变样品温度有效调控了GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合，具体：首先，用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品，并沉积铟电极；其次，调整光路，使1064nm波长的激光入射到GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品上，使激光光斑位于所述样品两个电极中间，并使激光入射角为30°；最后，将所述样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的Dresselhaus自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流。本发明方法可行性高，调控效果显著，且实施简便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106708146A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710017005.9
申请日：2017-01-11
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/46
CPC classification number: G05F1/463
Abstract: 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流的方法。该方法通过改变样品温度有效调控GaAs/AlGaA二维电子气中线偏振光致电流：首先，用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs二维电子气样品，并在样品对角上沉积铟电极；其次，调整光路，使入射激光波长为1064nm；最后，将样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的线偏振光致电流。本发明方法调控效果显著，且实施简便。
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公开(公告)号：CN103257036B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310189745.2
申请日：2013-05-21
Applicant: 福州大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明涉及一种室温下测量垂直腔面发射激光器腔模劈裂的方法，通过光弹性调制器对垂直腔面发射激光器发出的激光进行调制，在光电探测器探测的光强信号中，包含被光弹调制器调制的沿两个互相垂直光学主轴方向偏振的激光出射模式的光强差，通过改变PEM的位相调制幅度φ0（实际上只需改变两次φ0的值），就可以将VCSEL器件沿两个互相垂直光学主轴方向偏振的激光出射模式的光谱分离出来，从而得到腔模劈裂值。本发明可以在室温下用具有普通分辨率的光谱系统准确获得垂直腔面发射激光器的腔模劈裂，且测量设备十分简单，操作步骤简便快捷，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN106611707B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710016991.6
申请日：2017-01-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L21/66 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种改变GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流随温度变化趋势的方法，过改变入射激光波长有效调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流随温度变化趋势。本发明的方法调控效果显著，实施简便。
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公开(公告)号：CN106783966B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201710017041.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法。该方法通过改变样品温度有效调控了GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合，具体：首先，用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品，并沉积铟电极；其次，调整光路，使1064nm波长的激光入射到GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品上，使激光光斑位于所述样品两个电极中间，并使激光入射角为30°；最后，将所述样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的Dresselhaus自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流。本发明方法可行性高，调控效果显著，且实施简便。
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