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公开(公告)号：CN102339949A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010239033.3
申请日：2010-07-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种高可靠性一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及两个或两个以上并联置于上电极和下电极之间的存储介质层。该存储介质层包括：第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，第一和第二金属氧化物层之间形成用于编程的相邻接区域。该OTP包括按行和列排列的多个所述一次可编程存储单元。本发明OTP可靠性高、编程电压低、单元面积小、可集成于集成电路的后端结构中、工艺灵活性强，其制备方法相对简单、成本低。
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公开(公告)号：CN102244193A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010175641.2
申请日：2010-05-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为包含钌掺杂的氧化钽基电阻型存储器。该电阻型存储器包括上电极、下电极、以及设置在上电极和下电极之间的包含钌掺杂的氧化钽基存储介质层。包含Ru掺杂的氧化钽基存储介质层中，通过分布的Ru元素，可以有效控制氧化钽基存储介质层中导电灯丝中形成的位置以及数量，避免了随机形成的可能。因此，该存储器性能更加稳定，器件性能参数的波动小。同时，易于与32纳米或者32纳米以下铜互连工艺集成。
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公开(公告)号：CN102237491A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010167501.0
申请日：2010-05-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体公开一种包含硅掺杂的氧化锰基电阻型存储器及其制备方法。所述氧化锰基电阻型存储器包括上电极、下电极以及设置在上电极和下电极之间的MnSixOy存储介质层，其中，0.001＜x≤2，2＜y≤5。MnSixOy存储介质层相对比MnOz存储介质层更加致密，其低阻态的电阻相对较高，使该电阻型存储器具有相对低功耗的特点；MnSixOy存储介质层更容易与45纳米工艺节点以下的铜互连工艺集成。
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公开(公告)号：CN102169956A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113771.3
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电阻型存储器技术领域，具体为一种氧化钨基电阻型存储器及其制备方法。本发明的制备方法中以在钨金属层上直接形成厚度小于或等于10纳米的硅层、然后对所述钨金属层和硅层同时一起氧化处理形成氧化钨基存储介质层，从使其氧化钨基电阻型存储器的制备具有工艺简单、制备成本低的特点，同时其制备的氧化钨基电阻型存储器成品率高、功耗低，抗读干扰性能和高疲劳特性均得以提高。
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公开(公告)号：CN101908370A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910052482.4
申请日：2009-06-04
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401 , G11C11/409 , G11C11/4063
Abstract: 本发明属于动态随机存储器(DRAM)技术领域，具体为一种位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器。本发明提供的增益单元eDRAM单元包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、等效寄生电容以及一条位线，使用该条位线代替现有技术增益单元eDRAM单元的写位线和读位线，由于只包括一条位线，具有单元面积小的特点，并且在写位线和读位线合并后不影响增益单元eDRAM单元的存储特性。使用增益单元eDRAM单元的增益单元eDRAM具有存储密度相对高的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101894907A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910051873.4
申请日：2009-05-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00 , G11C11/56 , H01L21/8238
Abstract: 一种CuxO基电阻型存储器制备方法，属于集成电路制造技术领域。通过在CuSi化合物缓冲层上氧化形成CuxO基存储介质后，再对CuxO基存储介质进行硅化处理，能够在CuxO基存储介质中的掺入的更多Si元素，实现Si元素在CuxO基存储介质中整体分布相对更均匀，特别是在CuxO基存储介质上表层也形成了Si元素掺杂，从而提高该电阻型存储器的Ron和数据保持特性。采用该方法制备的CuxO电阻型存储器具有低功耗、长数据保持特性的优点。
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公开(公告)号：CN101872647A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910050101.9
申请日：2009-04-27
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C17/14
Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的状态组合差异来代表存储状态“1”和“0”。该发明的一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器不容易受工艺偏差的影响，并具有读取速度快、读写容限高、不挥发的特点。
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公开(公告)号：CN101740717A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910145691.3
申请日：2009-05-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于金属氧化物不挥发存储器技术领域，涉及一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法，该CuxO基电阻型存储器包括上电极、铜下电极、以及设置在上电极和铜下电极之间的CuxO基存储介质，所述CuxO基存储介质是通过对覆盖在铜下电极上的CuSi化合物缓冲层氧化处理形成，其中，1＜x≤2。该发明提供的电阻型存储器能避免存储介质之下产生空洞，从而保证器件的良率以及可靠性，同时具有相对低功耗的特点。
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公开(公告)号：CN101452740A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810207839.7
申请日：2008-12-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C8/10
Abstract: 一种能同时选中多条位线的列译码器，具体针对传统译码器每次只能在一个存储阵列中选中一个存储单元的弱点，提出一种新型的可以同时选中多条位线的列译码器。它包括可以恒定输出使欲选中地址线选中的有效选中电平的电平转换器。在此列译码器的基础上，可以成功实现同时选中多条位线，对多条位线上的多个存储单元进行写或者激活(Forming)等操作，可以大大提高工作的效率，尤其适应于对电阻存储器的激活操作过程。
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