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公开(公告)号：CN102082746B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201010518061.9
申请日：2010-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H04L25/03885 , H04L25/03006 , H04L25/03057 , H04L2025/03535 , H04L2025/03681 , H04L2025/03707 , H04L2025/03745
Abstract: 本发明提供一种用以更新决策回授等化器的阀系数的方法，包括取样从一决策回授等化器的取样器所接收的一第一输入信号；以及决定第一输入信号的振幅是否落在一定义在一第一预定电压电平和一第二预定电压电平间的范围内，其中若第一输入信号的振幅落在此范围外，一阀系数被更新用以产生一已更新的阀系数，已更新的阀系数被回授来调整从该决策回授等化器输入端所接收的一第二输入信号的振幅，以及若第一输入信号的振幅落在此范围内，则阀系数可免于被更新。本发明中，决策回授等化器逻辑电路可免于更新阀系数。
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公开(公告)号：CN102194815B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201010293536.9
申请日：2010-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068 , G06F17/50 , G06F17/5009 , H01L27/088 , H01L27/0922
Abstract: 本发明揭露一种金属氧化物半导体组件及其制作方法，该金属氧化物半导体(MOS)组件包含具有第一与第二接触的有源区。第一与第二栅极位于第一与第二接触之间。第一栅极邻设于第一接触，且具有第三接触。第二栅极邻设于第二接触，且具有与第三接触耦合的第四接触。为有源区与第一栅极所定义出的晶体管具有第一临界电压，而为有源区与第二栅极所定义出的晶体管具有第二临界电压。
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公开(公告)号：CN103425812A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210559158.3
申请日：2012-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F1/00 , G06F17/5009 , G06F17/5045 , G06F17/5068 , G06F19/00 , G06F2217/12 , G21K5/00
Abstract: 一种电路设计系统包括被配置成生成用于电路的原理图信息和预着色信息的原理图设计工具。电路设计系统还包括被配置成在非暂时性计算机可读介质上存储原理图信息和预着色信息的网表文件以及被配置成从网表文件中提取预着色信息的提取工具。包括在电路设计系统中的布局设计工具被配置成基于原理图信息和预着色信息设计至少一个掩模。电路设计系统进一步包括被配置成将至少一个掩模与原理图信息和预着色信息进行比较的布局与原理图比较工具。本发明还提供了半导体器件设计系统及其使用方法。
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公开(公告)号：CN103226044A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201210546656.4
申请日：2012-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01K7/01
Abstract: 一种热感测系统包括具有布局的电路，该布局包括成行和成列地布置的标准单元。第一和第二电流源分别提供了第一和第二电流。热感测系统包括热感测单元，第一和第二开关模块，以及模拟数字转换器(ADC)。每个热感测单元均被配置成提供取决于该热感测电流源处的温度的电压降。第一开关模块被配置成选择热感测单元之一。第二开关模块包括至少一个可由控制信号控制的开关。至少一个开关被配置成基于控制信号通过第一开关模块将热感测单元选择性地与第一和第二电流源之一相连接。ADC被配置成将由所选择的热感测单元提供的模拟电压转换成数字值。本发明还提供了一种小区域高性能的以单元为基础的热二极管。
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公开(公告)号：CN102020233B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201010282276.5
申请日：2010-09-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01P15/125 , H01L27/06 , B81B7/02
CPC classification number: H03M1/002 , B81B7/008 , H03M1/0626 , H03M1/12 , H03M3/30
Abstract: 一种微机电系统及其操作方法，该微机电系统包括：一微机械结构，用于产生一第一电信号；以及一模拟数字转换器(ADC)，耦接该微机械结构，其中该微机电系统不包括任何放大器位于该微机械结构与该模拟数字转换器之间。本发明的微机电系统以及其操作方法具有合意的功率消耗及/或具有合意的面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102237026A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010280592.9
申请日：2010-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G09G3/00 , G09G3/36 , G01R31/3187
CPC classification number: G09G3/3685 , G09G3/006 , G09G2310/027 , G09G2310/0291 , G09G2330/12
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示器(LCD)来源驱动器的内建自测试(built-inself-test，BIST)电路及方法，所述电路包括：至少一数字模拟转换器(DAC)；和至少一缓冲器，其耦接到个别DAC，其中该缓冲器可重新配置为一比较器。一第一输入信号和一第二输入信号耦接到该比较器。该第一输入信号是一预定参考电压水平。第二输入信号是在一测试偏移范围内的一测试电压。
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公开(公告)号：CN219832653U
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202321193553.4
申请日：2023-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528
Abstract: 一种集成电路包括：金属导线阵列，其在金属层中，该金属层覆盖由基板支撑的绝缘层；第一金属段行列，其在该金属层中在金属导线阵列中的第一金属导线与第二金属导线之间有多个金属段；以及电路，其具有第一输入端及第二输入端。第一输入端连接至第一金属导线，第二输入端连接至第二金属导线，第一金属导线的第一长度等于第二金属导线的第二长度。
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公开(公告)号：CN218182217U
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202221641759.4
申请日：2022-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括第一半导体阱。该半导体器件包括设置在第一半导体阱上方并沿第一横向方向延伸的通道结构。该半导体器件包括沿第二横向方向延伸并跨越通道结构的栅极结构。该半导体器件包括设置在通道结构的第一侧上的第一外延结构。半导体器件包括设置在通道结构的第二侧上的第二外延结构，第一侧和第二侧在第一横向方向上彼此相对。第一外延结构通过第一半导体阱中的第二半导体阱与第一半导体阱电耦合，且第二外延结构通过介电层与第一半导体阱电隔离。
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公开(公告)号：CN221147880U
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202320847441.X
申请日：2023-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例涉及一种半导体装置。根据本实用新型的一些实施例，一种装置包含串联电连接的第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管。所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者包含：第一栅极结构；第一漏极/源极区，其在所述第一栅极结构的一侧上；及第二漏极/源极区，其在所述第一栅极结构的另一侧上。所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者的所述第一栅极结构经配置以接收偏压电压以对所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管加偏压且提供通过所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管的温度相依电阻以测量温度。
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公开(公告)号：CN221509560U
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202323328921.4
申请日：2023-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型的各种实施例是关于一种装置，所述装置包括在反馈回路中串联连接的延迟胞元以提供环形振荡器。环形振荡器中的延迟胞元中的至少一者为堆叠栅延迟胞元，堆叠栅延迟胞元包括两个或更多个PMOS晶体管以及两个或更多个NMOS晶体管，PMOS晶体管具有彼此串联连接的第一漏极/源极路径且具有彼此连接的第一栅极，NMOS晶体管具有彼此串联连接且串联连接至第一漏极/源极路径的第二漏极/源极路径，且具有彼此连接且连接至第一栅极的第二栅极。
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