公开(公告)号：CN102194815A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010293536.9

申请日：2010-09-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛福隆 ,  赵治平 ,  周淳朴 ,  彭永州 ,  庄学理 ,  宋国栋

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5068 ,  G06F17/50 ,  G06F17/5009 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922

Abstract: 本发明揭露一种金属氧化物半导体组件及其制作方法，该金属氧化物半导体(MOS)组件包含具有第一与第二接触的有源区。第一与第二栅极位于第一与第二接触之间。第一栅极邻设于第一接触，且具有第三接触。第二栅极邻设于第二接触，且具有与第三接触耦合的第四接触。为有源区与第一栅极所定义出的晶体管具有第一临界电压，而为有源区与第二栅极所定义出的晶体管具有第二临界电压。

公开(公告)号：CN102194815B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201010293536.9

申请日：2010-09-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛福隆 ,  赵治平 ,  周淳朴 ,  彭永州 ,  庄学理 ,  宋国栋

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5068 ,  G06F17/50 ,  G06F17/5009 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922

Abstract: 本发明揭露一种金属氧化物半导体组件及其制作方法，该金属氧化物半导体(MOS)组件包含具有第一与第二接触的有源区。第一与第二栅极位于第一与第二接触之间。第一栅极邻设于第一接触，且具有第三接触。第二栅极邻设于第二接触，且具有与第三接触耦合的第四接触。为有源区与第一栅极所定义出的晶体管具有第一临界电压，而为有源区与第二栅极所定义出的晶体管具有第二临界电压。