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公开(公告)号：CN115527984A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210853444.4
申请日：2022-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64
Abstract: IC器件包括第一电阻器和第二电阻器。第一电阻器包括：第一金属段和第二金属段，在第一金属层中在第一方向上延伸；以及第三金属段，在第二金属层中在第二方向上延伸并且电连接第一金属段和第二金属段。第二电阻器包括：第四金属段和第五金属段，在第一金属层中在第一方向上延伸；以及第六金属段，在第三金属层中在第二方向上延伸并且电连接第四金属段和第五金属段。第四金属段和第五金属段具有大于第一金属段和第二金属段的宽度的宽度，第四金属段位于第一金属段和第二金属段之间并且与第一金属段分隔开一定距离，并且第四金属段和第五金属段分隔大于距离。
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公开(公告)号：CN110967128B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201910931842.1
申请日：2019-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，热传感器包括两个温度敏感支路，每个支路包括热感测器件，诸如一个或多个双极结晶体管，以及用于在热感测器件中生成电流密度以生成温度依赖性信号的电流源。热传感器还包括信号处理器，该信号处理器配置为将来自支路的温度依赖性信号乘以相应和不同的增益因子，并且将得到的信号组合以生成输出信号，该输出信号基本上与热传感器所设置的绝对温度成比例。本发明的实施例还涉及温度测量的方法。
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公开(公告)号：CN113658947A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110845945.3
申请日：2021-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06
Abstract: 本发明的实施例公开了一种解耦电容系统及方法。一种解耦电容系统，包括：解耦电容电耦接在第一或第二参考电压轨与第一节点之间；偏压电路耦接于第一节点与对应的第二参考电压轨或第一参考电压轨之间。由于解耦电容电路和偏置电路之间的串联连接，偏置电路两端的电压降有效地降低了解耦电容电路两端的电压降，从而使解耦电容电路两端的电压降小于解耦电容系统两端的电压降。
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公开(公告)号：CN110967128A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910931842.1
申请日：2019-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，热传感器包括两个温度敏感支路，每个支路包括热感测器件，诸如一个或多个双极结晶体管，以及用于在热感测器件中生成电流密度以生成温度依赖性信号的电流源。热传感器还包括信号处理器，该信号处理器配置为将来自支路的温度依赖性信号乘以相应和不同的增益因子，并且将得到的信号组合以生成输出信号，该输出信号基本上与热传感器所设置的绝对温度成比例。本发明的实施例还涉及温度测量的方法。
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公开(公告)号：CN104236735A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310367573.3
申请日：2013-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01K3/04 , G01K7/01 , Y10T307/858
Abstract: 一种热传感器包括比较器单元和开关网络。比较器单元被配置成接收电压节点的第一电压值、第二电压值和第三电压值，并且提供控制信号。开关网络包括电压节点，并且被配置成基于控制信号在第一条件或第二条件下操作。基于第一条件，电压节点被配置成使电压值增大至第一电压值。基于第二条件，电压节点被配置成使电压降低至第二电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118444739A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410422133.1
申请日：2024-04-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种集成电路，包括被配置为产生第一电压的第一温度敏感器件、被配置为生成第二电压的第二温度敏感器件以及被配置为形成参考电压的输出端子，该参考电压是第一电压和第二电压之和。第一电压随着绝对温度单调地增加。第二电压随着绝对温度单调地减小。在集成电路中，低压差调节器具有连接到输出端子的第一输入和连接到功率调节晶体管的栅极的输出。功率调节晶体管的沟道连接在被配置为接收第一电源电压的第一端子和被配置为产生第二电源电压的第二端子之间。本申请的实施例还提供了一种基于场效应晶体管的电流生成方法。
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公开(公告)号：CN115863417A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210963996.0
申请日：2022-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例公开了半导体器件、半导体结构和制造半导体结构的方法。半导体器件包括双极结型晶体管(BJT)结构，该BJT结构包括：位于具有第一导电类型的第一阱中的发射极、位于各自的第二阱中的集电极，第二阱具有与第一导电类型不同的第二导电类型并且彼此间隔开且第一阱位于其间，并且基极位于第一阱中并且位于发射极和集电极之间。BJT结构包括有源区，有源区具有形成发射极、集电极和基极的不同宽度。
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公开(公告)号：CN106257427B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201610384182.6
申请日：2016-06-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F11/30 , H03K17/687
Abstract: 一种热检测电路。本发明的实施例公开了一种电路，电路包括第一差分输入对和第二差分输入对。第一差分输入对根据第二差分输入对的输出而激活，并且接收第一与温度相关的电压和输出信号。第二差分输入对根据第一差分输入对的输出而激活，并且接收第二与温度相关的电压和输出信号。开关电路根据第一差分输入对的输出来将电容元件连接至第一电源电压，并且根据第二差分输入对的输出来将电容元件连接至第二电源电压，以生成输出信号。本发明还提供了一种操作电路的方法。
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公开(公告)号：CN107564970A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201611246207.2
申请日：2016-12-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/94 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例公开了一种金属氧化物半导体(MOS)电容器。MOS电容器包括前段制程(FEOL)场效应晶体管(FET)和多个中间段制程(MEOL)导电结构。FEOL FET包括设置在半导体衬底中的源极区和漏极区和位于半导体结构上方的栅极。在栅极的顶面上设置多个MEOL导电结构。MEOL导电结构的至少一个与后端制程(BEOL)金属层电断开。本发明也公开了半导体制造方法和MOS电容器电路。本发明实施例涉及MOS电容器、半导体制造方法以及MOS电容器电路。
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公开(公告)号：CN104236735B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310367573.3
申请日：2013-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01K3/04 , G01K7/01 , Y10T307/858
Abstract: 一种热传感器包括比较器单元和开关网络。比较器单元被配置成接收电压节点的第一电压值、第二电压值和第三电压值，并且提供控制信号。开关网络包括电压节点，并且被配置成基于控制信号在第一条件或第二条件下操作。基于第一条件，电压节点被配置成使电压值增大至第一电压值。基于第二条件，电压节点被配置成使电压降低至第二电压。
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