公开(公告)号：CN111106043A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911337436.9

申请日：2019-12-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 曾丹 ,  史波 ,  肖婷 ,  马颖江 ,  敖利波

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开提供一种功率半导体器件及其制备方法。该功率半导体器件包括第一导电类型衬底、设置于所述衬底内的呈网格状分布的第一沟槽栅，以及位于由所述第一沟槽栅围合的每个网格单元格内的岛状第二沟槽栅、位于所述衬底内并位于所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅之间的第二导电类型阱区、位于所述阱区内的第一导电类型第一源区、第一导电类型第二源区和第二导电类型第三源区，以及位于所述衬底上方并同时与所述第一源区、所述第二源区、所述第三源区和所述第二沟槽栅形成电连接的发射极金属层。在不改变器件内部的电场线分布的情况下，增大有效沟槽栅之间的间距来降低电流密度，提高器件的抗短路能力，同时又能改善器件内部电场，提高器件耐压能力。

公开(公告)号：CN111081661A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911339951.0

申请日：2019-12-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 何柱进 ,  史波 ,  曹俊 ,  廖勇波 ,  敖利波 ,  马浩华 ,  张宏强 ,  林志龙 ,  苏梨梨

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/40

Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。

公开(公告)号：CN110828388A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810910248.X

申请日：2018-08-10

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  敖利波 ,  梁赛嫦

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造封装方法，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括芯片座和引脚，还包括导流引线，导流引线分别与芯片和引脚连接、导流引线中段向芯片外凸出，封装体注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，浇注口设置于靠近导流引线的一侧。本发明将浇注口设置在靠近导流引线的一侧，使得封装体注塑时能够顺着导流引线的方向流动，有效消除了导流引线下方的气孔及熔接线；将导流引线的中段向芯片外凸出，使导流引线与芯片、导流引线与引线框架之间的间隙扩大，方便封装体顺利填充进去；有效防止芯片脱层、封装体胶体开裂、水汽入侵、离子污染等问题，提高了半导体器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN110534556A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910668260.9

申请日：2019-07-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曾丹 ,  刘勇强 ,  史波 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  陈道坤

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/266 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件、其终端结构、掩膜版和制备方法，所述功率半导体器件设有主结，所述终端结构包括终端区，所述终端区包括多个依次环绕于所述主结之外的场限环；所述场限环包括第一传导类型的半导体离子，在远离所述主结的方向上，多个所述场限环的第一传导类型的半导体离子的掺杂浓度依次递减。通过将多个场限环内的第一传导类型的半导体离子的浓度设计为沿远离所述主结的方向依次递减，可以使半导体器件的耐压更加稳定，而且整个终端结构所占的面积大大减小，提高了生产效率，避免了半导体材料的浪费；而且呈一定梯度的离子浓度变化，还有效缓解了电场集中现象，提高了功率器件的反向阻断能力。

公开(公告)号：CN110416180A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201810386914.4

申请日：2018-04-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/16 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请涉及一种功率模块、功率模块的制造方法及装置，用于降低功率模块的成本。所述功率模块包括：铜绝缘基板，所述铜绝缘基板包括导体层；至少两个功率器件，设置在所述导体层上，其中，所述至少两个功率器件用于控制所述功率模块的输出电流。

公开(公告)号：CN110364503A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910674596.6

申请日：2019-07-25

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 廖勇波 ,  史波 ,  曹俊 ,  敖利波

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L25/04 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提出了一种新型无引线贴片封装结构，采用表面开设通孔的引脚框架，通过向通孔中填充导电材料的方式，使芯片与引脚框架形成电气连接，从而摒弃了现有技术中需要案通过引线将芯片与引脚进行的方式，增加了新型无引线贴片封装结构的可靠性，使得其寄生参数较小，性能得到优化；并且与引线相比，引脚框架更容易导热，使得该封装结构工作时，芯片温度更低，有利于提高芯片的使用寿命。并且，该结构通过在芯片框架两侧分别装置芯片，可实现芯片的双层封装，使得新型无引线贴片封装结构集成度更高。本发明还提供了一种新型无引线贴片封装结构的制造方法。

公开(公告)号：CN110164826A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910504161.7

申请日：2019-06-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 马浩华 ,  敖利波 ,  史波

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明提供了一种功率模块及电子设备，该功率模块包括基板、设置在基板上的芯片。其中，基板具有相对的第一面及第二面，芯片设置在基板的第一面上。为减小将芯片设置在基板上时基板的变形程度，在基板的第二面设置有槽体，在槽体内填充有填充物，且基板的热膨胀芯片小于填充物的热膨胀系数。在上述的方案中，通过在基板第二面的槽体内填充热膨胀系数较大的填充物，在将芯片设置在基板上时，使基板的翘曲程度降低，从而使基板与散热器之间能够良好的导热连接，提高散热效果。

公开(公告)号：CN112447650B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201910806941.7

申请日：2019-08-29

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 张宏强 ,  敖利波 ,  史波 ,  曹俊

IPC: H01L23/495

Abstract: 本发明提供了一种芯片封装件，该芯片封装件包括引线框架、设置在引线框架上的芯片组件、封装芯片组件的封装层。引线框架具有相对的第一面及第二面，芯片组件设置在引线框架的第一面。封装层上设置有顶针孔。还包括设置在引线框架的第二面的散热组件。散热组件包括散热片、粘接散热片与引线框架的第二面的粘接层、设置在散热片与第二面之间且用于隔离散热片及第二面的绝缘块。绝缘块与顶针位置相对。芯片封装件的封装过程中，即使顶针通过顶针孔施加给引线框架框架较大的压力，引线框架也不会压穿粘接层，防止引线框架与散热片接触，防止导致芯片短路。且在顶针施加给引线框架较大的压力下,引线框架也能和粘接层充分接触，保证芯片的散热性能。

公开(公告)号：CN113140612B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202010055038.4

申请日：2020-01-17

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H10D62/10 ,  H10D8/01

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法，该终端结构包括：N型碳化硅衬底；形成于N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区以及第二JTE区，第一JTE区与第二JTE区不同层设置；形成于N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，第一JTE区或者第二JTE区与介质钝化层接触。上述终端结构中第一JTE区与第二JTE区位于不同层，第一JTE区与第二JTE区中的一个与介质钝化层接触，减小了JTE区与介质钝化层之间的接触面积，可降低介质钝化层界面电荷对JTE终端耐压的影响。

公开(公告)号：CN113113315B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202010031012.6

申请日：2020-01-13

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  马颖江

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明涉及功率模块的领域，公开一种防止智能功率模块溢胶的方法，包括：提供一正面和背面均形成有金属层的DBC基板；将引线框架与DBC基板正面的金属层连接，且在DBC基板背面的金属层一侧形成保护膜；将形成有保护膜的DBC基板与所述引线框架注塑成型以形成模块；由于在DBC基板的背面金属层形成有保护膜，使得在将形成有保护膜的DBC基板与所述引线框架注塑成型以形成模块时，对DBC基板的背面金属层进行保护，使得在注塑成型形成模块的过程中，不会有注塑成型中胶体物质与DBC基板的背面金属层接触，从而保证了DBC基板的背面金属层的正常工作，提高了功率模块的散热性能。