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公开(公告)号：CN119507056A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411715685.8
申请日：2024-11-27
Applicant: 燕山大学
Abstract: 多级序构TiAl单晶的大尺寸键合方法，属于金属合金焊接技术领域。提供了一种大尺寸多级序构TiAl单晶的平行片层键合方法：样品表面粗糙度达到200nm以下；在高真空度下，通过调节温度、压力和保温时间进行平行片层取向键合。还提供了一种大尺寸多级序构TiAl单晶的原子级扩散键合方法，在上述平行片层取向键合后，再重复置于高真空度下，通过调节温度、压力和保温时间进行垂直片层取向键合，获得平行层和垂直片层均键合后的大尺寸多级序构TiAl单晶。本发明实现了大尺寸TiAl单晶的原子级扩散键合，满足了实际应用的尺寸要求。本发明操作方法简单、节能环保、可批量进行键合。
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公开(公告)号：CN116693296A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310555292.4
申请日：2021-12-21
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。
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公开(公告)号：CN113526475B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202010305181.4
申请日：2020-04-17
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B21/064 , C30B29/40 , C30B1/12
Abstract: 本发明涉及一种新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼及其制备方法。本发明以常见sp2或sp3杂化的氮化硼为原料，利用高温高压的合成方法制备出一种新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼同素异形体，其基本结构单元由sp2杂化的类石墨结构单元和sp3杂化的类金刚石结构单元构成，并将其命名为—Gradia氮化硼。本发明所公开的Gradia氮化硼是一类新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼同素异构体，其晶体结构可根据其内部sp2和sp3结构单元的尺寸和界面匹配关系而改变，具有可调的新奇物理性能。
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公开(公告)号：CN115340380A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210581528.7
申请日：2022-05-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种新型异质结构金刚石/立方氮化硼(cBN)复合块材及其制备方法，属于超硬复合材料领域。本发明以洋葱碳纳米颗粒和六方BN微米片为原料，通过静电自组装工艺精心制备了洋葱碳纳米颗粒包裹六方BN微米片的前驱体，然后结合高温高压条件下的结构相变，使洋葱碳纳米颗粒转变成了纳米孪晶金刚石，六方BN微米片转变成了细长片层状cBN，两者构筑成异质结构金刚石/cBN复合块材。合成的异质结构金刚石/cBN复合块材的努氏硬度为50‑180GPa，断裂韧性为15‑25MPa·m1/2。这种金刚石/cBN复合块材在精密机械加工、地质勘探及化石燃料开采等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114315361A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111574952.0
申请日：2021-12-21
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112174211B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202011168522.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 燕山大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明涉及一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Cr、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Cr同时进行硫化，共同参与成键，使Cr取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Cr掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低廉，制备得到的Cr掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
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公开(公告)号：CN111218717B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010096253.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Fe2O3、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Fe2O3同时硫化，共同参与成键，使Fe取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Fe掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低，制备得到的Fe掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
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公开(公告)号：CN110342943B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201910651003.4
申请日：2019-07-18
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/5831 , C04B35/5833 , C04B35/5835 , B23D79/00
Abstract: 本发明公开了工业压力下合成无粘结剂聚晶氮化硼块材的方法及其应用，属于聚晶氮化硼合成领域，方法主要包括将cBN、hBN、oBN、pBN中的任意一种或任意几种粉末混合进行提纯、真空加热预处理后预制成柱状坯体，再在高温和工业压力下处理得到聚晶氮化硼块材；应用主要在于加工制备成切削刀具，实现对铁基材料以及硬质合金(WC)等高硬难加工材料的切削加工。本发明大幅降低合成压力，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN110372394B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201910791250.4
申请日：2019-08-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/5833 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种高塑性高弹性氮化硼致密陶瓷及其制备方法，制备方法包括以下步骤：A）装料：称量一定质量的洋葱结构的球形氮化硼纳米粉体，预压成型，将预压成型后的预压坯放入烧结模具；B）烧结：将步骤A）中的预压坯连同烧结模具一起放入放电等离子烧结设备或者热压烧结设备中烧结；C）出料：待设备内温度自然冷却至室温后取出模具，退模获得高塑性高弹性氮化硼致密陶瓷块体。本发明通过烧结洋葱结构的球形氮化硼纳米粉体，获得高强度高塑性的氮化硼陶瓷。
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公开(公告)号：CN110395988B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910790924.9
申请日：2019-08-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/5831 , C04B35/645 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高强度氮化硼陶瓷及其制备方法，制备方法包括以下步骤：A)装料：称量一定质量的单一粒径纳米立方氮化硼粉体，预压成型，将预压成型后的预压坯放入烧结模具；B)烧结：将步骤A)中的预压坯连同烧结模具一起放入放电等离子烧结设备或者热压烧结设备中烧结；C)出料：待设备内温度冷却至室温后取出模具，退模获得高强度氮化硼陶瓷块体。本发明通过烧结单一粒径的纳米立方氮化硼粉体，获得高强度的氮化硼陶瓷。
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