公开(公告)号：CN116693296B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202310555292.4

申请日：2021-12-21

Applicant: 燕山大学

Inventor： 高国英 ,  孙荣鑫 ,  魏旭东 ,  武英举 ,  王霖 ,  于栋利 ,  徐波 ,  田永君

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。

公开(公告)号：CN114315361B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202111574952.0

申请日：2021-12-21

Applicant: 燕山大学

Inventor： 高国英 ,  孙荣鑫 ,  魏旭东 ,  武英举 ,  王霖 ,  于栋利 ,  徐波 ,  田永君

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。

公开(公告)号：CN116693296A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310555292.4

申请日：2021-12-21

Applicant: 燕山大学

Inventor： 高国英 ,  孙荣鑫 ,  魏旭东 ,  武英举 ,  王霖 ,  于栋利 ,  徐波 ,  田永君

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。

公开(公告)号：CN114315361A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111574952.0

申请日：2021-12-21

Applicant: 燕山大学

Inventor： 高国英 ,  孙荣鑫 ,  魏旭东 ,  武英举 ,  王霖 ,  于栋利 ,  徐波 ,  田永君

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。