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公开(公告)号：CN115090298A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210748810.X
申请日：2022-06-28
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种铜掺杂二硫化锡复合光催化材料的制备方法，将SnCl4·5H2O和L‑半胱氨酸溶于去离子水中，滴加CuCl2水溶液；转移到高压釜的聚四氟乙烯内衬中，并将其在130～160℃保温8～16小时；得到的沉淀物经过水和乙醇充分洗涤，干燥并研磨成粉末，即得到铜掺杂二硫化锡复合光催化材料；本发明采用简单便捷的原位水热方法，通过在合成二硫化锡的水热过程中，原位加入铜源。原位掺杂铜离子，在生长过程中，成为成核中心，增加成核数量，从而抑制二硫化锡经历长大，获得薄的二硫化锡纳米片；与此同时，可以提高光催化剂的比表面积，从而提高样品对二氧化碳的吸附作用。
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公开(公告)号：CN114534684A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210140046.8
申请日：2022-02-16
Applicant: 武汉工程大学
IPC: B01J20/06 , B01J20/28 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F1/70 , C02F1/30 , B01J23/78 , B01J37/10 , C02F101/22
Abstract: 本发明公开了一种用于除铬的磁性可回收复合材料的制备方法，配制Cu1+盐、Fe3+盐和Ca2+盐的混合溶液，加入强碱充分搅拌，转移至反应釜水热反应，得到产物离心洗涤至中性后烘干、研磨处理，制得Ca掺杂铜铁矿结构CuFeO2粉体材料(Ca‑CuFeO2)；将所得Ca‑CuFeO2和TiO2(B)粉体混合均匀，经研磨退火处理，得到Ca‑CuFeO2/TiO2(B)复合材料；本发明所得复合材料的方法，操作简便，成本低，安全可靠；Ca掺杂提高了CuFeO2的比表面积和对Cr(VI)的吸附能力，降低了CuFeO2的载流子转移电阻；TiO2(B)复合促进了光生载流子的有效分离，使复合材料具有优异的吸附和光催化还原Cr(VI)溶液性能，在光电催化等领域中具有优异的应用前景。
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公开(公告)号：CN112331947B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202011076234.6
申请日：2020-10-10
Applicant: 武汉工程大学 , 苏州香榭轩表面工程技术咨询有限公司
IPC: H01M10/54
Abstract: 本发明公开了一种锂电池回收拆解过程中的锂电池放电方法，其包括：采用等离子体放电方法生成等离子体并形成放电导通通道，通过所述放电导通通道导通锂电池的正极和负极，实现锂电池放电；该方法可以实现将锂电池存储的能量充分安全释放，达到绿色工业化批量生产的要求，其不仅具有技术先进，智能化水平高，污染少，能耗小等诸多优点；而且符合国家现在绿水青山的环保政策，符合目前的锂电池发展的趋势，也符合整体社会发展智能化的发展需求。
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公开(公告)号：CN110078128A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910380115.0
申请日：2019-05-08
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C01G49/00
Abstract: 本发明提供一种镍掺杂p型铜铁矿结构CuFeO2材料的制备方法，属于半导体光电材料领域。包括以下步骤：（1）将铜盐、铁盐和镍盐按摩尔比1:0.94～0.98:0.02～0.06容器中混合，将混合物加入强碱溶液中，所述强碱溶液与所述铜盐的的摩尔比是为13～110；（2）溶液搅拌均匀后在120～180℃下反应6～24 h后，随炉冷却；（3）过滤得到粗样品，将粗样品置于恒温干燥烘箱中干燥得到铜铁矿结构CuFeO2粉末。本发明主要是向p型半导体材料CuFeO2中掺入受主杂质Ni，受主杂质可以从价带中获得电子而电离，使价带中空穴的浓度增多，从而增强了半导体的p型导电能力。镍掺杂提高了铜铁矿CuFeO2的空穴载流子浓度，降低了半导体的电阻率。
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公开(公告)号：CN106216879B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201610689108.5
申请日：2016-08-17
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种Cu‑TiH2‑Ni+B复合焊料及其制备方法和在连接石墨/Cu合金上的应用。所述复合焊料由下述原料按下述重量百分比球磨制备而成：Cu粉：48％～53％，TiH2粉：37％～42％，Ni粉：3％～6％，B粉：1％～4％。所得复合焊料主要用于核聚变以及汽车工业中石墨与铜合金接头的制备。所述接头的制备方法包括下述步骤：将Cu‑TiH2‑Ni+B复合焊料与丙三醇混合调制成膏状，涂抹在石墨与Cu合金的待连接面上，合上待连接面，钎焊；所述钎焊的条件为：880～930℃下保温8～15min，施加压力为5～10kPa。本发明提供的复合焊料制备方法简单，原料成本低，由其制得的石墨与铜合金接头，具有接头界面层结合良好、无裂纹及孔隙等优点，接头最高强度可达石墨母材强度的86.7％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098401B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201610536522.2
申请日：2016-07-08
Applicant: 武汉工程大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种碳包铜复合电极材料的制备方法。包括以下步骤：把洁净的铜高温氧化，得到具有发射状结构的纳米氧化铜线阵列；采用化学镀的方法在所得材料的表面镀上一层镍；采用浸渍的方法，在所得材料表面覆盖一层有机聚合物；将步骤3所得材料高温处理，使有机聚合物碳化，获得纳米碳包铜线阵列。本发明碳层包覆在纳米铜线表面，具有良好导电能力的纳米铜线均匀分布于碳材料中，导电能力强；在纳米铜线和碳层之间有一层镍，部分镍与铜在高温下形成合金，具有非常良好的化学稳定性；镍和碳之间具有很强的亲和力，电极的制备不需要粘接剂，能很好地解决目前碳材料电极存在的导电能力差、结构不稳定等问题。
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公开(公告)号：CN107538147A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710690338.8
申请日：2017-08-14
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种用于低温(260～350℃)连接铜的复合纳米银焊料，其特征在于，其由两种不同尺寸的纳米银颗粒混合而成；所述两种不同尺寸的纳米银颗粒的粒径分别为30～50nm和100～150nm。所述复合纳米银焊料具有烧结温度低、烧结体孔隙率低等优势，可用于连接铜或镀Ni/Ag铜。本发明还公开了由所述复合纳米银焊料制备而成的连接件。本发明还提供了所述连接件的制备方法，步骤如下：将所述复合纳米银焊料与酒精混合调制成膏状，涂抹在母材(裸铜或镀Ni/Ag层铜)的待连接面上，然后将母材的待连接面对接，在一定压力下进行烧结连接。本发明操作简单，安全可靠，成本低廉，由其制得的连接件具有接头界面层结合良好、孔隙少及焊料层均匀等优点，接头最高强度超过55MPa。
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公开(公告)号：CN107511602A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710690344.3
申请日：2017-08-14
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米Ag-Cu焊膏及其制备方法和应用。所述纳米Ag-Cu焊膏由Ag粉、Cu粉和丙三醇按照下述比例制备而成：Ag粉和Cu粉的质量比为2～4:1；Ag粉和Cu粉的质量之和与丙三醇的质量比为8～12:1。其中，所述Ag粉的粒径为5～10nm，Cu粉的粒径为20～60nm。所述纳米Ag-Cu焊膏的制备方法为：取Ag粉和Cu粉，加入酒精研磨，得Ag-Cu混合粉末，再加入丙三醇调制成粘稠膏状，得到纳米Ag-Cu焊膏。所述纳米Ag-Cu焊膏可用于制备铜与铜的连接件，具体步骤如下：取适量纳米Ag-Cu焊膏，均匀涂抹在两块铜母材的待连接面上，合上待连接面，连接。本发明提供的纳米Ag-Cu焊膏抗氧化性强、抗电化学迁移性好、电导率和热导率高，由其连接制备的接头剪切强度理想、可靠性高。
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公开(公告)号：CN106041350A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610686197.8
申请日：2016-08-17
Applicant: 武汉工程大学
CPC classification number: B23K35/005 , B23K1/19 , B23K1/206 , B23K35/007 , B23K35/025
Abstract: 本发明公开了一种钨/铜或钨/钢接头。所述钨/铜或钨/钢的连接层具有“三明治”式三层结构，包括：用来与钨连接的Cu‑TiH2层、用来与铜或钢连接的Ag‑Cu合金层、用来与所述Cu‑TiH2层和Ag‑Cu合金层分别连接的位于中间的Cu层。其制备方法包括下述步骤：1)将Cu粉和TiH2粉混合，加入酒精研磨，直到酒精完全挥发，再加入丙三醇调和，得Cu‑TiH2膏状焊料；2)在铜或钢块上依次放置Ag‑Cu合金箔、Cu箔，再在Cu箔上涂覆步骤1得到的Cu‑TiH2膏状焊料，最后盖上将钨块，将整体放入模具中，钎焊，得到钨/铜或钨/钢接头。本发明制备方法简单，易于操作，原料成本低廉；制得的连接钨/铜或钨/钢接头，其连接层均匀致密，接头界面结合良好，无裂纹及孔隙等缺陷，接头连接强度较高。
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公开(公告)号：CN105855745A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610303962.3
申请日：2016-05-10
Applicant: 武汉工程大学
IPC: B23K35/30 , B23K35/36 , B23K103/18
CPC classification number: B23K35/302 , B23K35/3608 , B23K2103/18 , B23K2103/50
Abstract: 本发明涉及一种可以用来制备钨/铜和石墨/铜接头的铜基焊料，其为微米级的Cu粉和TiH2粉经混合后的粉料，其中TiH2粉所占质量百分比为20％～25％，Cu粉所占质量百分比为75％～80％，所述的铜基焊料的制备方法，选取粒径为微米级的Cu粉和TiH2粉；将Cu粉和TiH2粉按比例混合之后放入研钵中；然后倒入酒精，并研磨，直到酒精完全挥发，得到粉体焊料。本发明的主要优点是：(1)制备工艺简单；(2)接头连接强度较高；(3)因此工艺成本较低。
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