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公开(公告)号：CN115090298B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210748810.X
申请日：2022-06-28
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种铜掺杂二硫化锡复合光催化材料的制备方法，将SnCl4·5H2O和L‑半胱氨酸溶于去离子水中，滴加CuCl2水溶液；转移到高压釜的聚四氟乙烯内衬中，并将其在130～160℃保温8～16小时；得到的沉淀物经过水和乙醇充分洗涤，干燥并研磨成粉末，即得到铜掺杂二硫化锡复合光催化材料；本发明采用简单便捷的原位水热方法，通过在合成二硫化锡的水热过程中，原位加入铜源。原位掺杂铜离子，在生长过程中，成为成核中心，增加成核数量，从而抑制二硫化锡经历长大，获得薄的二硫化锡纳米片；与此同时，可以提高光催化剂的比表面积，从而提高样品对二氧化碳的吸附作用。
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公开(公告)号：CN115007127A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210749838.5
申请日：2022-06-28
Applicant: 武汉工程大学
Inventor： 狄廷敏
Abstract: 本发明公开了一种硫化镉‑氧化石墨烯‑氢氧化钴三元复合光催化材料的制备方法，将硫化镉纳米片分散液与氧化石墨烯分散液混合，维持搅拌将混合溶液于666666℃范围内保温8612小时，加入氢氧化钴继续保温163小时，所得的沉淀物洗涤、离心、干燥研磨得到硫化镉‑氧化石墨烯‑氢氧化钴复合材料；本发明提供的半导体光催化材料硫化镉禁带宽度仅为2.46eV，导带电位在‑6.586V，价带电位+1.886V；因此，在光催化中可以有效的吸收可见光，同时氧化还原电位也足以驱动裂解水反应。同时，本发明中制备的硫化镉为超薄的纳米片，具备二维材料的优异特性，在光催化反应过程中受光激发产生的光生电子空穴对可以快速迁移到表面参与光催化反应。
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公开(公告)号：CN114308079A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111662103.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 武汉工程大学
IPC: B01J27/051 , B01J37/34 , B01J37/20 , C01B3/04
Abstract: 本发明涉及一种硫化镉‑双助催化剂复合光催化材料及其制备方法与应用，所述硫化镉‑双助催化剂复合光催化材料由硫化镉纳米棒和负载在其表面的氧化钴以及二硫化钼颗粒形成。本申请提供的光催化材料在光催化中可以有效吸收可见光，其氧化还原电位足以驱动裂解水反应，光催化析氢活性高，并且不含贵金属，成本低，制备方法简单便捷，反应条件温和，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN115007127B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202210749838.5
申请日：2022-06-28
Applicant: 武汉工程大学
Inventor： 狄廷敏
Abstract: 本发明公开了一种硫化镉‑氧化石墨烯‑氢氧化钴三元复合光催化材料的制备方法，将硫化镉纳米片分散液与氧化石墨烯分散液混合，维持搅拌将混合溶液于60‑90℃范围内保温8‑12小时，加入氢氧化钴继续保温1‑3小时，所得的沉淀物洗涤、离心、干燥研磨得到硫化镉‑氧化石墨烯‑氢氧化钴复合材料；本发明提供的半导体光催化材料硫化镉禁带宽度仅为2.4eV，导带电位在‑0.58V，价带电位+1.88V；因此，在光催化中可以有效的吸收可见光，同时氧化还原电位也足以驱动裂解水反应。同时，本发明中制备的硫化镉为超薄的纳米片，具备二维材料的优异特性，在光催化反应过程中受光激发产生的光生电子空穴对可以快速迁移到表面参与光催化反应。
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公开(公告)号：CN115090298A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210748810.X
申请日：2022-06-28
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种铜掺杂二硫化锡复合光催化材料的制备方法，将SnCl4·5H2O和L‑半胱氨酸溶于去离子水中，滴加CuCl2水溶液；转移到高压釜的聚四氟乙烯内衬中，并将其在130～160℃保温8～16小时；得到的沉淀物经过水和乙醇充分洗涤，干燥并研磨成粉末，即得到铜掺杂二硫化锡复合光催化材料；本发明采用简单便捷的原位水热方法，通过在合成二硫化锡的水热过程中，原位加入铜源。原位掺杂铜离子，在生长过程中，成为成核中心，增加成核数量，从而抑制二硫化锡经历长大，获得薄的二硫化锡纳米片；与此同时，可以提高光催化剂的比表面积，从而提高样品对二氧化碳的吸附作用。
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