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公开(公告)号：CN106098401B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201610536522.2
申请日：2016-07-08
Applicant: 武汉工程大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种碳包铜复合电极材料的制备方法。包括以下步骤：把洁净的铜高温氧化，得到具有发射状结构的纳米氧化铜线阵列；采用化学镀的方法在所得材料的表面镀上一层镍；采用浸渍的方法，在所得材料表面覆盖一层有机聚合物；将步骤3所得材料高温处理，使有机聚合物碳化，获得纳米碳包铜线阵列。本发明碳层包覆在纳米铜线表面，具有良好导电能力的纳米铜线均匀分布于碳材料中，导电能力强；在纳米铜线和碳层之间有一层镍，部分镍与铜在高温下形成合金，具有非常良好的化学稳定性；镍和碳之间具有很强的亲和力，电极的制备不需要粘接剂，能很好地解决目前碳材料电极存在的导电能力差、结构不稳定等问题。
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公开(公告)号：CN105655151B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201511016064.1
申请日：2015-12-29
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种MnO2/C/CNT复合电极材料的制备方法。包括以下步骤：在洁净的金属片上涂覆含有CNT的铸膜液，使其在金属片上形成一层厚90～150μm、孔径为0.05～10μm包含CNT的有机微滤薄膜；把步骤1)所得金属片利用阳极电沉积二氧化锰的方法在金属片上电沉积，清洗，干燥；把步骤2)所得金属片经高温处理使微滤薄膜碳化，冷却后得到MnO2/C/CNT复合电极材料。本发明MnO2具有阵列结构，C/CNT填充在阵列二氧化锰之间，柱状阵列结构的MnO2不仅能有效的提高电极材料的比表面积而且也能有利于离子在均匀分布的柱状阵列结构间快速传输。
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公开(公告)号：CN106098401A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610536522.2
申请日：2016-07-08
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种碳包铜复合电极材料的制备方法。包括以下步骤：把洁净的铜高温氧化，得到具有发射状结构的纳米氧化铜线阵列；采用化学镀的方法在所得材料的表面镀上一层镍；采用浸渍的方法，在所得材料表面覆盖一层有机聚合物；将步骤3所得材料高温处理，使有机聚合物碳化，获得纳米碳包铜线阵列。本发明碳层包覆在纳米铜线表面，具有良好导电能力的纳米铜线均匀分布于碳材料中，导电能力强；在纳米铜线和碳层之间有一层镍，部分镍与铜在高温下形成合金，具有非常良好的化学稳定性；镍和碳之间具有很强的亲和力，电极的制备不需要粘接剂，能很好地解决目前碳材料电极存在的导电能力差、结构不稳定等问题。
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公开(公告)号：CN105957727B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201610537428.9
申请日：2016-07-08
Applicant: 武汉工程大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种NiO/NiCu复合电极材料的制备方法。包括以下步骤：将洁净的铜高温氧化，获得呈发射状结构的纳米氧化铜线阵列；采用化学镀的方法在纳米氧化铜线阵列表面镀上一层镍，高温退火，形成Ni/NiCu阵列；将所得材料高温氧化，生成氧化镍，制得NiO/NiCu电极材料。制得的电极材料中铜镍合金为呈发射状的纳米阵列，并且氧化镍附着在合金表面，这样不仅增大了电极材料的表面积，也有利于离子在阵列结构中快速传输，进而提高超级电容器的能量密度和功率密度。
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公开(公告)号：CN105957727A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610537428.9
申请日：2016-07-08
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种NiO/NiCu复合电极材料的制备方法。包括以下步骤：将洁净的铜高温氧化，获得呈发射状结构的纳米氧化铜线阵列；采用化学镀的方法在纳米氧化铜线阵列表面镀上一层镍，高温退火，形成Ni/NiCu阵列；将所得材料高温氧化，生成氧化镍，制得NiO/NiCu电极材料。制得的电极材料中铜镍合金为呈发射状的纳米阵列，并且氧化镍附着在合金表面，这样不仅增大了电极材料的表面积，也有利于离子在阵列结构中快速传输，进而提高超级电容器的能量密度和功率密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106001597B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201610537427.4
申请日：2016-07-08
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种元素分析仪中铜柱的回收方法。包括以下步骤：将元素分析仪中被氧化的铜柱用低温等离子体还原；然后将还原后的铜柱进行高温退火，获得呈发射状结构的纳米氧化铜线阵列；再在低温等离子体的作用下将铜柱上的纳米氧化铜线还原成纳米铜线。本发明利用等离子体还原和高温退火的方法，可使使用以后的铜柱得到还原，并且能在铜柱表面生成纳米铜线，大大增加铜柱和氧气接触的表面积，提高铜与氧的反应速度，使测量更加精确。同时对铜柱的回收也节约了资源、降低了对环境的污染、提高了经济效益。
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公开(公告)号：CN106001597A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610537427.4
申请日：2016-07-08
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种元素分析仪中铜柱的回收方法。包括以下步骤：将元素分析仪中被氧化的铜柱用低温等离子体还原；然后将还原后的铜柱进行高温退火，获得呈发射状结构的纳米氧化铜线阵列；再在低温等离子体的作用下将铜柱上的纳米氧化铜线还原成纳米铜线。本发明利用等离子体还原和高温退火的方法，可使使用以后的铜柱得到还原，并且能在铜柱表面生成纳米铜线，大大增加铜柱和氧气接触的表面积，提高铜与氧的反应速度，使测量更加精确。同时对铜柱的回收也节约了资源、降低了对环境的污染、提高了经济效益。
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公开(公告)号：CN105632785A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511016370.5
申请日：2015-12-29
Applicant: 武汉工程大学
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G11/86 , H01G11/24 , H01G11/30 , H01G11/36 , H01G11/38 , H01G11/46
Abstract: 本发明公开了一种管状二氧化锰阵列复合电极材料的制备方法。包括以下步骤：在洁净的金属片上均匀涂覆上含纳米碳管的铸膜液，使其在金属片上形成具有均匀孔径的有机微滤薄膜；把所得金属片浸没于0.1～6mol/L含锰溶液中，然后在200～400℃高温下处理30～200min，使其在金属片上形成定向管状阵列结构的二氧化锰；将所得金属片放在惰性气体氛围中于400～1000℃高温下处理30～180min，金属片上即形成二氧化锰/纳米碳管/碳复合电极材料。其中，二氧化锰具有定向的管状阵列结构，纳米碳管/碳填充在二氧化锰周围。此结构不仅提高复合电极材料的导电性而且也能提高超级电容器的能量密度和功率密度。
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公开(公告)号：CN105632785B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201511016370.5
申请日：2015-12-29
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种管状二氧化锰阵列复合电极材料的制备方法。包括以下步骤：在洁净的金属片上均匀涂覆上含纳米碳管的铸膜液，使其在金属片上形成具有均匀孔径的有机微滤薄膜；把所得金属片浸没于0.1～6mol/L含锰溶液中，然后在200～400℃高温下处理30～200min，使其在金属片上形成定向管状阵列结构的二氧化锰；将所得金属片放在惰性气体氛围中于400～1000℃高温下处理30～180min，金属片上即形成二氧化锰/纳米碳管/碳复合电极材料。其中，二氧化锰具有定向的管状阵列结构，纳米碳管/碳填充在二氧化锰周围。此结构不仅提高复合电极材料的导电性而且也能提高超级电容器的能量密度和功率密度。
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公开(公告)号：CN105655151A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201511016064.1
申请日：2015-12-29
Applicant: 武汉工程大学
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G11/86 , H01G11/24 , H01G11/30 , H01G11/36 , H01G11/38 , H01G11/46
Abstract: 本发明公开了一种MnO2/C/CNT复合电极材料的制备方法。包括以下步骤：在洁净的金属片上涂覆含有CNT的铸膜液，使其在金属片上形成一层厚90～150μm、孔径为0.05～10μm包含CNT的有机微滤薄膜；把步骤1)所得金属片利用阳极电沉积二氧化锰的方法在金属片上电沉积，清洗，干燥；把步骤2)所得金属片经高温处理使微滤薄膜碳化，冷却后得到MnO2/C/CNT复合电极材料。本发明MnO2具有阵列结构，C/CNT填充在阵列二氧化锰之间，柱状阵列结构的MnO2不仅能有效的提高电极材料的比表面积而且也能有利于离子在均匀分布的柱状阵列结构间快速传输。
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