公开(公告)号：CN110078128B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201910380115.0

申请日：2019-05-08

Applicant: 武汉工程大学

Inventor： 邓泉荣 ,  陈海 ,  廖辉 ,  王戈明 ,  毛样武 ,  王升高

IPC: C01G49/00

Abstract: 本发明提供一种镍掺杂p型铜铁矿结构CuFeO2材料的制备方法，属于半导体光电材料领域。包括以下步骤：（1）将铜盐、铁盐和镍盐按摩尔比1:0.94～0.98:0.02～0.06容器中混合，将混合物加入强碱溶液中，所述强碱溶液与所述铜盐的的摩尔比是为13～110；（2）溶液搅拌均匀后在120～180℃下反应6～24 h后，随炉冷却；（3）过滤得到粗样品，将粗样品置于恒温干燥烘箱中干燥得到铜铁矿结构CuFeO2粉末。本发明主要是向p型半导体材料CuFeO2中掺入受主杂质Ni，受主杂质可以从价带中获得电子而电离，使价带中空穴的浓度增多，从而增强了半导体的p型导电能力。镍掺杂提高了铜铁矿CuFeO2的空穴载流子浓度，降低了半导体的电阻率。

公开(公告)号：CN110078128A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910380115.0

申请日：2019-05-08

Applicant: 武汉工程大学

Inventor： 邓泉荣 ,  陈海 ,  廖辉 ,  王戈明 ,  毛样武 ,  王升高

IPC: C01G49/00

Abstract: 本发明提供一种镍掺杂p型铜铁矿结构CuFeO2材料的制备方法，属于半导体光电材料领域。包括以下步骤：（1）将铜盐、铁盐和镍盐按摩尔比1:0.94～0.98:0.02～0.06容器中混合，将混合物加入强碱溶液中，所述强碱溶液与所述铜盐的的摩尔比是为13～110；（2）溶液搅拌均匀后在120～180℃下反应6～24 h后，随炉冷却；（3）过滤得到粗样品，将粗样品置于恒温干燥烘箱中干燥得到铜铁矿结构CuFeO2粉末。本发明主要是向p型半导体材料CuFeO2中掺入受主杂质Ni，受主杂质可以从价带中获得电子而电离，使价带中空穴的浓度增多，从而增强了半导体的p型导电能力。镍掺杂提高了铜铁矿CuFeO2的空穴载流子浓度，降低了半导体的电阻率。