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公开(公告)号：CN103227490A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310152822.7
申请日：2013-04-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H02J7/00
Abstract: 本发明公开了一种可杀菌消毒的无线充电系统，其包括基座、盖子、无线充电模块和紫外LED模块；其中，盖子盖在基座上，所述无线充电模块置于基座内部，所述紫外LED模块位于所述无线充电系统内部，其用于发出能够杀菌消毒的紫外光。本发明公开的上述无线充电系统尤其适合用于对手机进行无线充电的同时，完成对智能手机的杀菌消毒。
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公开(公告)号：CN102709429A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210162775.X
申请日：2012-05-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片，包括：一衬底；一AlN模板层，其生长在衬底上；一N型AlGaN层，其生长在AlN模板层上；一多量子阱的有源区，其生长在N型AlGaN层上；一电子阻挡层，其生长在多量子阱的有源区上；一P型过渡层，其生长在电子阻挡层上；一P型接触层，其生长在P型过渡层上；一反射欧姆接触电极，其制作在P型接触层上；采用所述基片制备的紫外发光二极管的发光波长范围在200nm-365nm之间。具有较高的紫外反射率，从而提高了紫外发光二极管的光提取效率。
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公开(公告)号：CN102694088A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210184727.0
申请日：2012-06-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法，包括如下步骤：1)在LED的电流扩展层的表面排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；2)在自组装聚苯乙烯球的间隙填充二氧化硅凝胶；3)加热，将聚苯乙烯球气化，形成二氧化硅纳米碗阵列，该二氧化硅纳米碗阵列覆盖于电流扩展层的表面；4)采用ICP干法刻蚀，把纳米碗阵列转移到电流扩展层上；5)在BOE或HF溶液中处理，将电流扩展层表面残留的二氧化硅凝胶去除干净，形成电流扩展层的纳米碗阵列。本发明可以提高发光二极管出光效率，得到较佳的发光强度。
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公开(公告)号：CN102683523A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210184531.1
申请日：2012-06-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法，包括如下步骤：1)用碱液或混酸腐蚀蓝宝石衬底上的GaN模以形成六角微坑；2)采用ICP的方法，继续刻蚀六角微坑，在六角微坑周围形成GaN纳米柱；3)采用MOCVD的方法，在GaN纳米柱上外延GaN LED层，使GaN层与蓝宝石衬底之间形成空气柱，完成制备。采用本发明的方法，可有效降低GaN外延层的位错密度，提高外延材料的晶体质量和均匀性。
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公开(公告)号：CN101976712A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010263076.5
申请日：2010-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种增强LED出光效率的粗化方法，用于对LED的ITO层、P型层、N型层和衬底背面进行纳米级粗化，以提高LED的出光效率，该方法包括：步骤1：在需要粗化的薄膜上旋涂光刻胶；步骤2：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该需要粗化的薄膜上形成一层纳米尺寸胶点；步骤3：以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该需要粗化的薄膜；步骤4：湿法去除光刻胶并清洗，完成薄膜的粗化。本发明提供的这种粗化方法，具有低温、低成本、低污染及与传统的LED工艺相兼容等优点，在LED领域具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101969088A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010263069.5
申请日：2010-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，包括：步骤1：准备并清洗衬底；步骤2：对该衬底进行前烘，然后涂敷光刻胶；步骤3：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该衬底上形成一层纳米尺寸胶点；步骤4：以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该衬底；步骤5：湿法去除光刻胶并清洗，完成纳米级图形衬底的制备。本发明提供的这种适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，具有易操作、低成本、低污染等优点，在LED领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114284397A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202011036503.6
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种在异质衬底上生长高质量氮化铝薄膜的方法，包括：S1，在异质衬底上生长石墨烯薄膜；S2，等离子体处理石墨烯薄膜，使石墨烯薄膜表面形成大量悬挂键；S3，在石墨烯薄膜表面金属有机化学气相沉积氮化铝薄膜；S4，高温退火，得到表面结构平整且位错密度低的氮化铝薄膜。本发明提供的方法实施工艺简单，适合在氮化铝薄膜生长及光电器件和电子器件制造领域应用。
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公开(公告)号：CN113358998A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110650166.8
申请日：2021-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种通用LED测试装置及测试方法，属于LED测试技术领域，该方法包括：测试平台，测试平台内嵌有置物台，置物台内开有置物台窗口，置物台的上表面设有上层测试夹，上层测试夹连接有金属电极柱，金属电极柱的顶部位于测试平台的上方，金属电极柱的下部穿过测试平台，置物台的下底面设有下层测试夹，下层测试夹一端与金属电极柱的下部连接；测试底座，测试底座位于测试平台的下方，测试底座内设有电极柱槽，电极柱槽内设有电极触点，电极触点具有弹性，金属电极柱下部位于所电极柱槽内，且与电极触点紧密接触。
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公开(公告)号：CN111710595A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010600417.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法，包括以下步骤：提供耐高温衬底；采用磁控溅射技术分别在所述衬底的正面和反面分别沉积AlN薄膜，厚度分别为0.1微米至1微米，形成低质量双面AlN模板；将得到的双面沉积的低质量AlN模板放入高温设备中进行退火处理，制备高质量双面AlN模板。本发明实现了对AlN模板的应力与晶圆翘曲比较好的控制，很好的避免了在芯片工艺制作过程中所导致的晶圆崩裂，并提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN111341648A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811559236.3
申请日：2018-12-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种在图形衬底生长氮化物薄膜结构及其方法，其方法包括：在图形衬底的凹洞图形区域内生长石墨烯；在生长有石墨烯的图形衬底上生长具有空气孔隙的III族氮化物薄膜；其中，空气孔隙形成于所述图形衬底与所述III族氮化物薄膜之间，所述石墨烯上方。本发明在外延生长前，先插入了一层选区生长的表面完整度良好的单层石墨烯插入层，并且利用金属原子在无缺陷石墨烯上表面吸附率极低的特点，诱导氮化物只在平面区域成核并以三维模式生长，最终生长成在氮化物与图形衬底有极大空气孔隙的平滑薄膜，该实施工艺简单，适合在氮化物薄膜生长及光电器件和电子器件制造领域应用。
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