公开(公告)号：CN102956608B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210111961.0

申请日：2012-04-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卓秀英

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件。该半导体器件包括衬底。该半导体器件包括被置于衬底上方的电子器件。电子器件包括开口。该半导体器件包括：位于衬底上方并围绕电子器件的屏蔽器件。该屏蔽器件包括多个伸长件。多个伸长件的子集延伸穿过电子器件的开口。电子器件和屏蔽器件中的至少一个形成在位于衬底上方的互连结构中。本发明还提供了一种垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构。

公开(公告)号：CN103094242B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201110375484.4

申请日：2011-11-23

Applicant: 欣兴电子股份有限公司

Inventor： 赖建光 ,  黄俊智

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/64 ,  H01L21/48 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/642 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/10015 ,  H05K2201/10515 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种嵌埋电容组件的封装基板及其制法，该封装基板包括：具有芯层、开口及线路层的本体、置于该开口中的第一电容组件；形成于该第一电容组件上的结合层、置于该结合层上的第二电容组件、以及设于该本体及该开口上以覆盖该第一及第二电容组件的介电层。借由结合层将第一及第二电容组件堆栈于本体的开口中，使单一层的芯层中嵌埋两层的电容组件，以达到多功能的需求。

公开(公告)号：CN102930981B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201110232289.6

申请日：2011-08-12

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 秦仁刚 ,  王德进 ,  何波涌

IPC: H01G4/06

CPC classification number: H01L28/75 ,  C23C16/345 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明公开了一种电容及其制作方法，该电容采用低压正硅酸乙酯-低压氮化硅-低压正硅酸乙酯的结构，取代现有ONO电容中氧化层-氮化层-氧化层的结构，具有较高的单位电容值。另外在制作该低压正硅酸乙酯-低压氮化硅-低压正硅酸乙酯结构时，由于采用温度相对较低的低压化学气相沉积方法制作而成，因此其整个工艺产生的热量相对较低，不足以使半导体器件产生偏移，更不会使得栅极金属层或金属化硅层产生剥落。因而本发明的电容及其制作方法，可以较好的应用在0.5um及以下的PIP电容工艺中去。

公开(公告)号：CN104752154A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310739280.3

申请日：2013-12-27

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 方三军 ,  朱瑜杰 ,  张冠军

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明提出了一种电容器的制作方法，使形成在下电极表面的介质层暴露出一部分下电极，接着在介质层以及暴露出的下电极表面形成上电极，使所述上电极有一部分与下电极相连接，从而保证在形成上电极的时所产生的电荷也能够传导至所述下电极上，使上电极和下电极之间不具有电势差，从而避免了电弧放电缺陷的形成，接着去除上电极和下电极相连的部分即可形成电容器，从而使形成的电容器良率较高，符合要求。

公开(公告)号：CN102763165B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201180009631.4

申请日：2011-01-31

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 罗伊·E·米迪

IPC: G11C11/00 ,  G11C7/10

CPC classification number: G11C11/24 ,  G11C8/08 ,  G11C11/34 ,  G11C11/56 ,  G11C11/565 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  H01L27/101 ,  H01L28/40 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233

Abstract: 本发明描述交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法以及写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法。在一个实施例中，交叉点存储器单元包含：字线，其沿第一方向延伸；位线，其沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述位线与所述字线在彼此无物理接触的情况下交叉；及电容器，其形成于所述字线与所述位线之间此交叉所在处。所述电容器包括经配置以防止DC电流从所述字线流动到所述位线及从所述位线流动到所述字线的电介质材料。

公开(公告)号：CN102598263B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201080050627.8

申请日：2010-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·F·麦卡利斯特 ,  M·J·沙皮罗 ,  金兑洪 ,  E·J·斯普罗吉斯

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/642 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体基板（10）中的电容器（180）采用导电贯穿基板通路（TSV）（80）作为内部电极，并采用柱状掺杂半导体区域作为外部电极。电容器（80）在小的区域内提供大的去耦电容，并且不影响电路密度或Si 3D结构设计。附加的导电TSV可设置在半导体基板（10）中以提供对电源的电连接以及通过其的信号传输。与具有可比的电容的传统电容器阵列相比，电容器（180）具有更低的电感系数，从而能够减小堆叠的半导体芯片的电源系统中的高频噪声。

公开(公告)号：CN104347625A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410354654.4

申请日：2014-07-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·梅瑟 ,  M·聪德尔 ,  T·施勒塞尔

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90 ,  H01L29/407

Abstract: 提出一种集成电路以及制造集成电路的方法。该集成电路形成于半导体衬底中。该集成电路包括形成于该半导体衬底的第一主表面中的沟槽。该沟槽包括第一沟槽部分和第二沟槽部分。该第一沟槽部分与第二沟槽部分相连接。第一和第二沟槽部分的开口与第一主表面相邻。该集成电路进一步包括沟槽晶体管结构，沟槽晶体管结构包括设置在第一沟槽部分中的栅极电极，以及包括电容器电介质和第一电容器电极的沟槽电容器结构。电容器电介质和第一电容器电极布置在第二沟槽部分中。该第一电容器电极包括与第二沟槽部分的侧壁共形的层。

公开(公告)号：CN104347345A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310315145.6

申请日：2013-07-24

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 洪中山

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L28/00 ,  H01L28/40

Abstract: 一种电容结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面具有介质层；采用刻蚀工艺在所述介质层内形成暴露出部分衬底的开口，所述开口包括第一子开口和第二子开口，第一子开口暴露出衬底表面，第二子开口的底部暴露出第一子开口的顶部，且第一子开口的侧壁与第二子开口的侧壁相连接，第一子开口的侧壁相对于衬底表面具有第一角度，第二子开口的侧壁相对于衬底表面具有第二角度，第一角度大于第二角度，所述开口的顶部尺寸大于所述开口的底部尺寸；在所述第一子开口的侧壁表面形成第一电极层；在形成第一电极层之后，在所述第二子开口的侧壁表面以及第一电极层表面形成绝缘层；在绝缘层表面形成填充满开口的第二电极层。所形成的电容结构性能改善。

公开(公告)号：CN104241273A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410276686.7

申请日：2014-06-19

Applicant: 阿尔特拉公司

Inventor： K·S·吴 ,  B·王 ,  施红 ,  刘辉 ,  S·舒马拉耶夫 ,  S·钱德拉 ,  丁玮琦 ,  K·钱德

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/7687 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/642 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明的各实施例涉及具有裸片上去耦合电容器的集成电路。一种集成电路，包括去耦合电容器和内部电路。去耦合电容器耦合到集成电路的第一外部端子。集成电路中的内部电路耦合到集成电路的第二外部端子。去耦合电容器被耦合以通过第一外部端子和第二外部端子并且通过外部导体向内部电路提供供应电压电流。外部导体在集成电路外。

公开(公告)号：CN104241244A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201310346901.1

申请日：2013-08-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜孝璁 ,  罗正玮

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0682 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66166 ,  H01L29/8605 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种可变电容器件，包括：具有第一电容的电容器和与该电容器串联的可变电阻器。可变电阻器包括形成在沟道区上方的栅极结构，沟道区被限定在半导体衬底中所形成的掺杂阱内。可变电阻器的电阻基于施加给栅极结构的电压，从而调节沟道的电阻和可变电容器件的电容。