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公开(公告)号：CN102103167B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201010212769.1
申请日：2010-06-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 卓秀英
CPC classification number: G01R27/28 , G01R35/007
Abstract: 本发明是一种用于去嵌入的方法。该方法包括：在半导体芯片中形成主结构；以及在半导体芯片中形成辅助结构。辅助结构复制主结构的第一部分。该方法还包括：基于测量确定用于主结构和辅助结构中的每一个的传输矩阵；以及通过确定主结构的传输矩阵和辅助结构的传输矩阵的逆矩阵的积，提取主结构的第一组件的传输矩阵。
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公开(公告)号：CN101943739A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010222592.3
申请日：2010-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01R31/2846 , G01R31/27 , G01R31/2884 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供一种去嵌入的方法和装置，该方法包括：形成具有待测元件的受测结构，待测元件嵌入受测结构之内，受测结构具有多个左测试焊盘和多个右测试焊盘，右测试焊盘和左测试焊盘耦接待测元件，待测元件将受测结构分成左半结构和右半结构，每一左半结构和右半结构均具有本征传输参数；形成多个虚设受测结构，每一虚设受测结构均包括左焊盘和右焊盘；测量受测结构和虚设受测结构的传输参数；以及使用左半结构和右结构的本征传输参数与受测结构和虚设受测结构的传输参数，推导待测元件的本征传输参数。本发明可避免过度去嵌入。
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公开(公告)号：CN101604781A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810213818.6
申请日：2008-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 卓秀英
IPC: H01P3/08
CPC classification number: H01P3/081 , H01P3/082 , H05K1/0225
Abstract: 本发明提供一种微条状线结构，其包括一导电接地面具有一条状开口被接地面所环绕，其中条状开口自接地面的一顶表面向一底表面延伸，以及其中接地面为一导体。微条状线结构还包括一介电条填入条状开口中，一介电层位于接地面之上且与其接触，以及一信号线位于介电层之上，其中信号线具有一部分直接地位于介电条的一部分上，以及其中信号线和介电条为非平行。本发明的微条状线结构可调变特征阻抗和特征波长；实现具有较大特征阻抗的微条状线，而不增加微条状线所占的芯片面积；各微条状线可具有较小的特征波长，导致较短的微条状线，导致可进一步降低所使用的芯片面积；以及无需使用而外的光罩步骤形成微条状线，因此并不会增加制造成本。
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公开(公告)号：CN101499551A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910001962.8
申请日：2009-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01P3/003 , H01P3/06 , H05K1/0219 , H05K1/0242 , H05K1/025 , H05K2201/09236 , H05K2201/09727 , H05K2201/09781
Abstract: 一种用于沿信号线发射射频信号的半导体器件，包括沿主轴延伸的信号线。第一电介质在所述信号线的一侧上，第二电介质在所述信号线的相对侧上。第一和第二地线分别接近于所述第一和第二电介质，地线近似平行于所述信号线。所述器件具有沿主轴变化的横剖面。
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公开(公告)号：CN103050479B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210107455.4
申请日：2012-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 卓秀英
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
CPC classification number: G01R31/282 , G01R31/26 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , Y10T29/49004 , H01L2924/00
Abstract: 公开了去嵌入装置和去嵌入的方法。去嵌入装置包括：测试结构，包括嵌入测试结构的待测器件(DUT)；以及多个伪测试结构，包括开路伪结构、分布式开路伪结构和短路伪结构。分布式开路伪结构可以包括连接至左信号测试焊盘的第一信号传输线和连接至右信号测试焊盘的第二信号传输线，第一和第二信号传输线具有比开路伪结构的信号传输线的总长短的总长，并且可以从伪测试结构和测试结构的传输参数中得到DUT的固有传输特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102645625B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110165311.X
申请日：2011-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 卓秀英
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种短路虚拟测试架构、解内嵌的方法及装置。短路虚拟测试架构包括一接地屏蔽层、至少二信号测试垫及一信号传输线。接地屏蔽层位于一基板上方。信号传输线位于接地屏蔽层上方及二信号测试垫之间。信号传输线电耦接到接地屏蔽层，且信号传输线的总长度小于一对应的信号传输线及一测试架构的一待测装置的一总长度。本发明在高频时使能更精确的RF模式。
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公开(公告)号：CN102956606B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210058938.X
申请日：2012-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 卓秀英
IPC: H01L23/522 , H01L23/552
CPC classification number: H01L21/768 , H01L21/76877 , H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/552 , H01L25/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件。半导体器件包括具有水平面的衬底。半导体器件包括形成在衬底的水平面上方的互连结构。互连结构包括感应线圈，该电感线圈被基本上缠绕在与衬底的水平面垂直的垂直平面上。互连结构包括被设置为紧邻感应线圈的电容器。电容器具有阳极元件和阴极元件。感应线圈和电容器均包括多个水平延伸的伸长件。本发明还提供了一种垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构。
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公开(公告)号：CN101834330B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200910141122.1
申请日：2009-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 卓秀英
IPC: H01P3/02
CPC classification number: H01P3/003 , H01L2924/0002 , H01P1/2013 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种共平面波导装置。此共平面波导装置包含一条或多条邻近于一条或多条信号线的地线，上述信号线与上述地线彼此约互相平行且大致上为沿一第一方向延伸；一周期结构，包含在上述至少一信号线中含有多个交替区段，其中上述至少一交替区段以第二方向延伸，且该第二方向横断第一方向。本发明可用于许多产品，像是集成电路、单晶微波集成电路、射频传播器及接收器、射频通信设备、天线、电路板、放大器、调频器及解调器的物品。在此揭示的装置及结构可使某些物品能够被做的更小、更轻、更有效率、更强大、更灵敏、更少的噪声、更有选择性、更快或更便宜。
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公开(公告)号：CN102956607A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210111630.7
申请日：2012-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 卓秀英
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5227 , H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L2924/0002 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，在X方向和与X方向垂直的Y方向上延伸。半导体器件包括互连结构，在衬底上方在与X方向和Y方向均垂直的Z方向上形成该互连结构。该互连结构包括通过多个通孔在Z方向上互连在一起的多条金属线。互连结构包括变压器器件，该变压器器件包括初级线圈和次级线圈。初级线圈和次级线圈均至少部分地沿着Z方向缠绕。本发明还提供了一种垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构。
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公开(公告)号：CN102956606A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210058938.X
申请日：2012-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 卓秀英
IPC: H01L23/522 , H01L23/552
CPC classification number: H01L21/768 , H01L21/76877 , H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/552 , H01L25/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件。半导体器件包括具有水平面的衬底。半导体器件包括形成在衬底的水平面上方的互连结构。互连结构包括感应线圈，该电感线圈被基本上缠绕在与衬底的水平面垂直的垂直平面上。互连结构包括被设置为紧邻感应线圈的电容器。电容器具有阳极元件和阴极元件。感应线圈和电容器均包括多个水平延伸的伸长件。本发明还提供了一种垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构。
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