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公开(公告)号：CN102763219B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180009465.8
申请日：2011-01-25
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/7841 , G11C11/565 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2213/51 , G11C2213/53 , G11C2213/77 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/0629 , H01L28/40 , H01L29/792
Abstract: 一种忆容器装置包含一对相对导电电极。包含电介质内的移动掺杂剂的半导电材料及移动掺杂剂势垒电介质材料接纳于所述对相对导电电极之间。所述半导电材料及所述势垒电介质材料相对于彼此具有至少由至少一种不同原子元素来表征的不同组成。所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的一者比所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的另一者更靠近所述对电极中的一者。所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的所述另一者比所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的所述一者更靠近所述对电极中的另一者。本发明还揭示其它实施方案，包含场效应晶体管、存储器阵列及方法。
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公开(公告)号：CN109166785A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810775899.2
申请日：2014-07-15
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/02 , H01L27/092 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/66 , H01L29/778 , H01L29/78
Abstract: 本申请揭示一种半导电石墨烯结构、形成此类结构的方法及包含此类结构的半导体装置。此类结构可包含石墨烯材料及所述石墨烯材料的至少一部分上方的石墨烯晶格匹配材料，其中所述石墨烯晶格匹配材料具有在所述石墨烯材料的晶格常数或键长的倍数的约5％内的晶格常数。所述半导电石墨烯结构可具有至少约0.5eV的能量带隙。本申请还揭示一种对石墨烯材料的能量带隙进行改质的方法，其可包含在石墨烯材料的至少一部分上方形成石墨烯晶格匹配材料，所述石墨烯晶格匹配材料具有在所述石墨烯材料的晶格常数或键长的倍数的约5％内的晶格常数。
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公开(公告)号：CN109690732A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780052426.3
申请日：2017-08-08
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本发明揭示一种形成半导体装置结构的方法，所述方法包括在衬底上方形成至少一个2D材料。使用至少一个激光束来处理所述至少一个2D材料，以选择性地从所述至少一个2D材料激发且移除所述结晶缺陷，所述至少一个激光束具有对应于所述至少一个2D材料内的结晶缺陷的共振频率的电磁辐射的频率。还揭示形成半导体装置结构的额外方法，及相关的半导体装置结构、半导体装置，及电子系统。
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公开(公告)号：CN102763219A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180009465.8
申请日：2011-01-25
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/7841 , G11C11/565 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2213/51 , G11C2213/53 , G11C2213/77 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/0629 , H01L28/40 , H01L29/792
Abstract: 一种忆容器装置包含一对相对导电电极。包含电介质内的移动掺杂剂的半导电材料及移动掺杂剂势垒电介质材料接纳于所述对相对导电电极之间。所述半导电材料及所述势垒电介质材料相对于彼此具有至少由至少一种不同原子元素来表征的不同组成。所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的一者比所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的另一者更靠近所述对电极中的一者。所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的所述另一者比所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的所述一者更靠近所述对电极中的另一者。本发明还揭示其它实施方案，包含场效应晶体管、存储器阵列及方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105452162A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480042945.8
申请日：2014-07-15
Applicant: 美光科技公司
IPC: C01B31/04
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/02175 , H01L21/02527 , H01L21/02664 , H01L27/092 , H01L29/165 , H01L29/42364 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/78 , Y02E10/50
Abstract: 本发明揭示一种半导电石墨烯结构，其可包含石墨烯材料及所述石墨烯材料的至少一部分上方的石墨烯晶格匹配材料，其中所述石墨烯晶格匹配材料具有在所述石墨烯材料的晶格常数或键长的倍数的约5％内的晶格常数。所述半导电石墨烯结构可具有至少约0.5eV的能量带隙。本发明还揭示一种对石墨烯材料的能量带隙进行改质的方法，其可包含在石墨烯材料的至少一部分上方形成石墨烯晶格匹配材料，所述石墨烯晶格匹配材料具有在所述石墨烯材料的晶格常数或键长的倍数的约5％内的晶格常数。
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公开(公告)号：CN102763165A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180009631.4
申请日：2011-01-31
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 罗伊·E·米迪
CPC classification number: G11C11/24 , G11C8/08 , G11C11/34 , G11C11/56 , G11C11/565 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , H01L27/101 , H01L28/40 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233
Abstract: 本发明描述交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法以及写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法。在一个实施例中，交叉点存储器单元包含：字线，其沿第一方向延伸；位线，其沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述位线与所述字线在彼此无物理接触的情况下交叉；及电容器，其形成于所述字线与所述位线之间此交叉所在处。所述电容器包括经配置以防止DC电流从所述字线流动到所述位线及从所述位线流动到所述字线的电介质材料。
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公开(公告)号：CN103222044B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201180055984.8
申请日：2011-10-14
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L45/1666 , H01L21/76834 , H01L21/76883 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/147 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 一些实施例包含形成电组件的方法。在第一结构之上形成第一和第二暴露的表面配置，且接着跨越所述表面配置形成材料。在两个或两个以上域当中再分所述材料，其中所述域中的第一者是通过所述第一表面配置诱发，且其中所述域中的第二者是通过所述第二表面配置诱发。接着在所述材料之上形成第二结构。所述材料的所述第一域并入到电组件中。所述第二域可由介电材料替换以在邻近电组件之间提供隔离，或可用作邻近电组件之间的介入区。
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公开(公告)号：CN102763165B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201180009631.4
申请日：2011-01-31
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 罗伊·E·米迪
CPC classification number: G11C11/24 , G11C8/08 , G11C11/34 , G11C11/56 , G11C11/565 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , H01L27/101 , H01L28/40 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233
Abstract: 本发明描述交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法以及写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法。在一个实施例中，交叉点存储器单元包含：字线，其沿第一方向延伸；位线，其沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述位线与所述字线在彼此无物理接触的情况下交叉；及电容器，其形成于所述字线与所述位线之间此交叉所在处。所述电容器包括经配置以防止DC电流从所述字线流动到所述位线及从所述位线流动到所述字线的电介质材料。
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公开(公告)号：CN103222044A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055984.8
申请日：2011-10-14
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L45/1666 , H01L21/76834 , H01L21/76883 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/147 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 一些实施例包含形成电组件的方法。在第一结构之上形成第一和第二暴露的表面配置，且接着跨越所述表面配置形成材料。在两个或两个以上域当中再分所述材料，其中所述域中的第一者是通过所述第一表面配置诱发，且其中所述域中的第二者是通过所述第二表面配置诱发。接着在所述材料之上形成第二结构。所述材料的所述第一域并入到电组件中。所述第二域可由介电材料替换以在邻近电组件之间提供隔离，或可用作邻近电组件之间的介入区。
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