公开(公告)号：CN118860960A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410872732.3

申请日：2024-07-01

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 李富翼 ,  毛伟 ,  李晓茜 ,  朱星宇 ,  杨鹏城 ,  李博 ,  丁一洝 ,  周久人 ,  刘艳 ,  韩根全

IPC: G06F15/78 ,  G11C11/411 ,  G11C11/414 ,  H03M1/12 ,  H03M1/08

Abstract: 本发明公开了输出动态范围可调的电荷域SRAM存算一体阵列系统，系统包括：升压存算阵列、行控制单元、地址译码器、时钟控制单元、移位寄存器与预充单元。移位寄存器与行控制单元以及升压存算阵列连接；地址译码器与升压存算阵列连接；行控制单元接入驱动电源，并与升压存算阵列连接；时钟控制单元分别与行控制单元以及预充单元连接；预充单元与升压存算阵列连接。行控制单元能够对输入数据进行翻转控制，升压存算阵列能够对翻转信号与权重数据进行乘累加运算并输出累加结果，其中预充单元提供的预充电压可与翻转信号配合对累加结果进行升压处理，以实现输出电压的自举升压，从而可提高模数转换器的量化精度，进而提高整个存算系统的计算精度。

公开(公告)号：CN118471822A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410924048.5

申请日：2024-07-11

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 周久人 ,  孙温馨 ,  韩根全 ,  郝跃

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H10B51/30

Abstract: 本发明涉及一种纤锌矿铁电材料硅基衬底集成方法及存储器应用，用于在硅基衬底上制备纤锌矿铁电材料。首先，清洗硅衬底并去除自然氧化层，随后在精密调控的磁控溅射条件下，于真空或非真空环境中沉积纤锌矿铁电薄膜，依赖环境选择调整工艺参数。接下来，采用磁控溅射或电子束蒸发技术在铁电薄膜上淀积顶电极层，过程支持真空互联传输或原位处理以适应不同互联环境。此法优化了纤锌矿铁电材料与硅衬底的集成工艺，提升了器件制备的可靠性与灵活性。

公开(公告)号：CN118299427A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410470292.9

申请日：2024-04-18

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 郑思颖 ,  周久人 ,  王辰波 ,  刘艳 ,  韩根全

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道型可重构晶体管及其制备方法，晶体管主要包括漏端电极、垂直沟道层、栅介质层、编程端电极、控制端电极、源端电极和硅衬底。垂直沟道层直接设置在硅衬底上，为布置漏端电极，垂直沟道层的上端沿水平方向延伸，形成上端延伸部。编程端电极和控制端电极布置在垂直沟道层的上端延伸部与硅衬底之间，二者相互隔离，并与垂直沟道层的垂直部之间以栅介质层相接。源端电极和漏端电极肖特基接触实现可重构的功能。本发明垂直沟道层和栅介质层的结构，在较小的面积上实现了器件的集成，本发明通过编程端电极调控垂直沟道层内的载流子类型，能够调控器件的工作模式，通过控制端电极则能够调控垂直沟道中导通电荷的浓度。

公开(公告)号：CN118039728A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410343901.4

申请日：2024-03-25

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 李晓茜 ,  吴志帆 ,  方媛 ,  方慈浙 ,  刘艳 ,  韩根全

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提出了超结横向氧化镓紫外探测器及其应用，包括衬底；氧化镓层，位于衬底上表面；氧化镍层，周期性嵌入于氧化镓层，形成异质结；阳极电极，位于氧化镓层其中一端以及氧化镓层的上表面，阴极电极，位于氧化镓层剩余一端以及氧化镓层的上表面；其中，阳极电极和阴极电极均不与氧化镍层接触，阳极电极和阴极电极均氧化镓层形成欧姆接触；氧化镓层和氧化镍层被PN结形成的空间电荷区全覆盖。本发明可以提高光生电子的收集效率，提高器件的响应时间。

公开(公告)号：CN117596891A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311536315.3

申请日：2023-11-16

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 周久人 ,  刘宁 ,  王迪 ,  韩根全 ,  郝跃

IPC: H10B51/30 ,  H10B53/30 ,  H10N97/00 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明一种无界面纤锌矿铁电氮化物存储器，包括相接触的氮化物半导体衬底、纤锌矿铁电介质层；利用纤锌矿铁电材料与氮化物衬底材料之间良好的晶格匹配，通过原位溅射工艺、原子层沉积工艺或外延生长工艺在氮化物半导体衬底上直接生长纤锌矿铁电介质层，最终实现纤锌矿铁电材料与氮化物半导体衬底之间无界面层的纤锌矿铁电氮化物存储器，以解决现有的铁电存储器因非理想界面层的存在引发的额外功耗和可靠性退化等一系列问题。本发明提供的低功耗、高可靠性、高开关比及高记忆窗口的无界面层纤锌矿铁电氮化物存储器可应用于发展高算力、高能效、低功耗和高可靠性的存算器件及芯片技术。

公开(公告)号：CN117542739A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311763752.9

申请日：2023-12-20

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 李晓茜 ,  方慈浙 ,  刘艳 ,  韩根全

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明提供一种透明可折叠的Ga2O3晶体管及制备方法和应用，包括：步骤一、制备背栅Ga2O3场效应晶体管：将Ga2O3薄膜覆盖在标记片的工作面的第一区域，在Ga2O3薄膜和标记片的工作面上光刻阴极窗口和阳极窗口，在标记片的工作面的第二区域上沉积金属电极；步骤二、形成欧姆接触：将制备的背栅Ga2O3场效应晶体管在预定温度下、惰性气氛中快速退火预定时间；步骤三、制备含有Ga2O3器件薄膜：在标记片的工作面上涂胶后浸泡在HF缓冲液中；步骤四、制备柔性衬底；步骤五、转移含有Ga2O3器件薄膜：将含有Ga2O3器件薄膜转移至柔性衬底表面，通过整体转移技术将硬性衬底上的器件转移至柔性可折叠衬底上，制备得到透明可折叠的Ga2O3晶体管。

公开(公告)号：CN117410353A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311499378.6

申请日：2023-11-09

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 方慈浙 ,  杨家泳 ,  刘艳 ,  韩根全 ,  郝跃

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种电极光栅化氧化镓纳米腔日盲紫外光电探测器及制备方法，包括：自下而上依次布设的反射层、补偿层、有源层以及光栅电极，其中反射层为金属Al，补偿层采用Al2O3材料沉积在金属材质的反射层上，有源层采用β‑Ga2O3材料，光栅电极为Ti/Al电极叠层结构，且为周期排列的叉指电极形成的光栅结构，通过调整结构参数和周期调控表面等离激元，并在底部使用金属反射镜减少透射，辅助提升有源层光吸收，同时金属光栅作为插指电极降低载流子渡越时间，从光学和电学两方面改善探测器光电性能，为实现高性能日盲紫外光电探测器提供有效途径。

公开(公告)号：CN117156861A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311212620.7

申请日：2023-09-20

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 周久人 ,  孙温馨 ,  韩根全 ,  郝跃

IPC: H10B43/30

Abstract: 本发明公开了一种电荷俘获型可编程单电容非易失性存储器，包括衬底层，在所述衬底层表面的第一区域，沿远离衬底层之方向，依次设置隧穿层氧化物、电荷捕获层、阻挡层氧化物和顶电极；在所述衬底层表面的第二区域，沿远离衬底层之方向，依次设置掺杂区和底电极，所述掺杂区与衬底层的掺杂类型相反；通过施加顶电极电压，使得半导体产生反型和耗尽状态，以顶电极与底电极之间总电容对应高电容状态和低电容状态，即逻辑状态“1”和逻辑状态“0”。本发明可解决传统基于电流型读取机制的三端存储器件以及新兴两端阻变机制存储器件所存在的“潜行电流通路”及其所导致的额外功耗和噪声串扰问题。

公开(公告)号：CN117012818A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310880924.4

申请日：2023-07-18

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 韩根全 ,  於春晓 ,  杨金雨 ,  贾晓乐

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44

Abstract: 本发明公开了一种异质结场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体功率器件的技术领域。本发明的异质结场效应晶体管包括自下而上依次设置的衬底层、Ga2O3缓冲层、AlGaO势垒层和栅电极，Ga2O3缓冲层之上设有源极区域和漏极区域，且源极区域和漏极区域分别位于Ga2O3缓冲层的两端，栅电极包括第一金属和第二金属，栅电极位于源极电极和漏极电极之间，第一金属位于源极电极一侧，第二金属位于漏极电极一侧，第一金属的功函数比第二金属高。本发明通过调节β‑(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3HFETs沟道中的电场分布，能够提高沟道中的载流子漂移速度，从而提高器件的跨导、截止频率、最大振荡频率。

公开(公告)号：CN116666494A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310639555.X

申请日：2023-05-31

Applicant: 西安交通大学 ,  西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 张易军 ,  王瑞康 ,  韩根全 ,  王虹 ,  罗拯东 ,  任巍 ,  叶作光

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明提供的一种两步法异质外延生长氧化镓薄膜及其制备方法,包括如下步骤：步骤1，利用等离子体增强原子层沉积法在衬底上生长氧化镓薄膜，得到氧化镓薄膜籽晶层；步骤2，在得到的氧化镓薄膜籽晶层上同质外延氧化镓薄膜主体层，最终得到异质外延氧化镓薄膜；本发明解决了目前氧化镓薄膜制备方法存在的生长速率缓慢、制备厚度在100nm以上外延片成本高的难题。